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公开(公告)号：KR102237735B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140072635A
申请日：2014-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 메모리 장치의 메모리 코어는 비트라인에 결합되는 적어도 하나의 제1 저항성 메모리 셀, 상보 비트라인에 결합되는 적어도 하나의 제2 저항성 메모리 셀, 제1 저항-전압 컨버터 및 비트라인 감지 증폭기를 포함한다. 제1 저항-전압 컨버터는 제1 노드에서 제1 저항성 메모리 셀과 병렬로 비트라인에 결합되고, 독출 칼럼 선택 신호에 기초하여 상기 제1 저항성 메모리 셀의 저항 값을 상응하는 전압으로 변환한다. 비트라인 감지 증폭기는 제1 노드에서 비트라인과 연결되고, 제2 노드에서 상보 비트라인과 연결되며, 감지 제어 신호에 응답하여 비트라인과 상보 비트라인의 전압 차이를 감지 및 증폭한다.
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公开(公告)号：KR102238706B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140168404A
申请日：2014-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이 및 테스트 회로를 포함한다. 상기 테스트 회로는 테스트 모드에서 상기 메모리 셀 어레이로부터 데이터 열을 독출하고, 상기 데이터 열을 제1 단위씩 비교하면서 상기 제1 단위들의 대응하는 비트들을 제2 단위씩 비교하여 상기 데이터 열의 패스/페일 정보와 추가적인 정보를 포함하는 페일 정보 신호를 출력한다.
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公开(公告)号：KR102171260B1
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：KR1020130110621
申请日：2013-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/406 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C5/04
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公开(公告)号：KR102048407B1
公开(公告)日：2019-11-25
申请号：KR1020120116356
申请日：2012-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/408 , G11C11/406
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101796116B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020100102515
申请日：2010-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/406 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808 , G06F2213/0038 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C2211/4062
Abstract: 고용량메모리에적합한운용정책을채용한반도체장치, 이를포함하는메모리모듈, 메모리시스템및 그동작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른메모리모듈은, 모듈보드와, 상기모듈보드상에장착되며, 다수의영역을갖는메모리셀 어레이를포함하는하나이상의제1 반도체칩 및상기모듈보드상에장착되고, 상기제1 반도체칩의메모리셀 어레이의다수의영역각각에대한메타데이터를저장하는메타데이터저장부를포함하며, 상기메타데이터를참조하여제1 반도체칩의메모리셀 어레이를상기영역별로제어하는제2 반도체칩을구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了采用适用于高容量存储器的操作策略的半导体器件，包括该半导体器件的存储器模块，存储器系统及其操作方法。 根据本发明实施例的存储器模块包括：模块板;至少一个第一半导体芯片，安装在模块板上并且包括具有多个区域的存储器单元阵列; 以及元数据存储单元，用于存储第一半导体芯片的存储器单元阵列的多个区域中的每一个的元数据， 和一个半导体芯片。
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公开(公告)号：KR1020170116853A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020160045039
申请日：2016-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H02J7/0072 , H02J7/0045 , H02J7/045 , H02J7/047 , H02J2007/0062 , H02J2007/0095 , H02J2007/0096
Abstract: 배터리충전방법및 전자장치가개시된다. 상기전자장치는, 외부장치에의해전압이인가되는제1 단자와데이터를송수신하기위한제2 단자를포함하는연결부및 상기제1 단자에인가되는전압을이용하여상기전자장치에연결된배터리를충전시키는제1 충전부를포함할수 있다. 상기제1 충전부는, 상기제2 단자를통해상기배터리와관련된정보를송신하는통신부, 상기배터리로공급되는전압을컨버팅하는전압컨버터및 상기배터리의전압에대한제1 정보를획득하고, 상기제1 정보가상기연결부와연결된충전기로송신되도록상기통신부를제어하고, 상기충전기에의해상기제1 정보에기초하여조정된전압이상기제1 단자에인가되면, 상기조정된전압으로상기배터리가충전되도록상기전압컨버터를제어하는제1 제어부를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种电池充电方法和电子设备。 该电子设备包括连接单元，该连接单元包括通过外部设备施加电压的第一端子和发送和接收数据的第二端子，以及使用施加到第一端子的电压连接到电子设备的电池。 并且可以包括第一充电部分。 它所述第一充电部包括发送通过第二终端相关的电池信息的通信单元，以及获得关于电压转换器和第一信息的电池的转换提供给电池的电压的电压，并且所述第一 其中，控制单元控制通信单元，使得信息被发送到连接到连接单元的充电器，并且当充电单元被应用到基于充电器的第一信息调整的基于电压的故障源1端子时， 以及用于控制转换器的第一控制单元。
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公开(公告)号：KR1020170103546A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160026596
申请日：2016-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H02J7/0045 , G06F1/26 , H01R24/60 , H01R2107/00 , H02J7/0006 , H02J7/007 , H02J7/0073 , H02J7/045 , H02J2007/0095 , H02J2007/0096
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른전자장치는, 외부전자장치와연결되는커넥터, 외부전력소스와연결되는플러그, 상기커넥터를통해상기외부전자장치로전력을공급하는전력공급회로, 제1 프로토콜에따른충전요청정보를수신하고, 상기충전요청정보에기초하여상기전력공급모듈의충전전압및 충전전류를변경하는제1 충전모듈, 상기외부전자장치로부터제2 프로토콜에따른충전요청정보를수신하는제2 충전모듈및 상기제2 프로토콜에따른충전요청정보를상기제1 프로토콜에따른충전요청정보로변환하고, 제1 프로토콜에따른충전요청정보를상기제1 충전모듈로전달하도록설정된프로세서를포함할수 있다. 또한, 다른실시예도가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例的电子设备包括连接到外部电子设备的连接器，连接到外部电源的插头，用于经由连接器向外部电子设备供电的电源电路， 第一充电模块，其接收充电请求信息并且基于充电请求信息来改变电源模块的充电电压和充电电流;第二充电模块，其从外部电子设备接收根据第二协议的充电请求信息; 处理器，用于根据第一协议将根据第二协议的计费请求信息转换为计费请求信息，并将按照第一协议的计费请求信息发送给第一计费模块。 其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：KR101772117B1
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020100086581
申请日：2010-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/10
CPC classification number: H01L45/147 , G11C5/025 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/14
Abstract: 저항스위치기반의로직회로를갖는적층구조의반도체메모리장치및 그제조방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른반도체메모리장치는, 라인으로구성된제1 영역및 제2 영역을포함하고, 상기제1 영역과상기제2 영역이그 사이에위치하는제3 영역에의해전기적으로분리되는제1 도전라인과, 상기제1 영역과연결되며, 데이터를저장하기위한제1 가변저항물질막및 상기제1 영역과제2 영역간의전기적연결을제어하는제2 가변저항물질막을포함하는것을특징으로한다.
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