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公开(公告)号：KR1020090038309A
公开(公告)日：2009-04-20
申请号：KR1020070103735
申请日：2007-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/0404 , H01M4/0414 , H01M4/1391 , H01M4/1393
Abstract: An electrode for a secondary battery is provided to improve the capacity of electrode and cycle of a battery by improving the uniformity of an active material layer through the printing of low point ink. An electrode for a secondary battery comprises a current collector(10) and an active material layer formed by printing and drying ink(11) having the viscosity of 500 mPa . s on the current collector. The surface roughness Ra the current collector is 0.025-1.0 micron. The thickness the active material layer is 0.1-10 micron. The current collector is surface-treated with UV or the plasma.
Abstract translation: 提供一种用于二次电池的电极，用于通过印刷低点油墨来提高活性物质层的均匀性，从而提高电极的电容量和电池循环。 用于二次电池的电极包括集流器（10）和通过印刷和干燥具有500mPa的粘度的油墨（11）形成的活性物质层。 在当前收藏家。 集电体的表面粗糙度Ra为0.025〜1.0微米。 活性物质层的厚度为0.1-10微米。 集电器用UV或等离子体进行表面处理。
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公开(公告)号：KR1020080065119A
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：KR1020070002110
申请日：2007-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76237 , H01L21/765 , H01L21/823481 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L2223/6688 , H01L2924/12044
Abstract: A semiconductor device is provided to absorb the noise generated in a digital circuit region by forming an isolation layer and a conductive region on a boundary between a digital circuit region and an analog circuit region and by applying a ground voltage to the conductive region. A semiconductor substrate is prepared which includes a digital circuit region and an analog circuit region. An isolation layer(120) is formed on a boundary between the digital circuit region and an analog circuit region. A conductive region adjoins the lateral and bottom surfaces of the isolation layer. A ground pad(135) to which a ground voltage is applied is electrically connected to the conductive region. The conductive region can include an impurity region formed in the semiconductor substrate adjacent to the isolation layer.
Abstract translation: 提供一种半导体器件，用于通过在数字电路区域和模拟电路区域之间的边界上形成隔离层和导电区域并且通过向导电区域施加接地电压来吸收在数字电路区域中产生的噪声。 准备了包括数字电路区域和模拟电路区域的半导体衬底。 在数字电路区域和模拟电路区域之间的边界上形成隔离层（120）。 导电区域邻接隔离层的侧表面和底表面。 施加了接地电压的接地焊盘（135）电连接到导电区域。 导电区域可以包括形成在与隔离层相邻的半导体衬底中的杂质区域。
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公开(公告)号：KR100543455B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020030034896
申请日：2003-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76224
Abstract: 본 발명은 공동이 없는 소자분리막을 형성하기 위한 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 패드 산화막과 패드 질화막을 순차로 형성하는 단계; 상기 반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 매립하도록 상기 반도체 기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 평탄화하는 단계; 상기 패드 산화막이 손상받지 않도록 상기 제1절연막을 일부 제거하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 평탄화하는 단계; 및 상기 패드 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 소자분리막 내의 공동이 없는 소자분리막을 형성할 수 있게 되어 반도체 소자의 수율이 향상되고 신뢰성이 향상되는 효과가 있다. 또한, 패드 산화막을 식각 손상으로부터 보호할 수 있게 되어 이를 그대로 사용할 수 있는 효과도 있게 된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种器件隔离方法用于形成无空腔形成器件隔离膜，所述方法包括的半导体器件：提供半导体衬底; 在半导体衬底上顺序地形成衬垫氧化物膜和衬垫氮化物膜; 在半导体衬底中形成沟槽; 在半导体衬底上形成第一绝缘膜以填充沟槽; 平面化第一绝缘膜; 去除第一绝缘膜的一部分，使得衬垫氧化膜不被损坏; 在半导体衬底上形成第二绝缘膜; 平面化第二绝缘膜; 并去除垫氮化物膜。 据此，可以在器件隔离膜中形成没有空腔的器件隔离膜，从而提高半导体器件的产量并提高可靠性。 另外，可以保护衬垫氧化膜免受蚀刻损伤，从而可以照原样使用。
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公开(公告)号：KR1020040037545A
公开(公告)日：2004-05-07
申请号：KR1020020066087
申请日：2002-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L27/11 , H01L29/6659
Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device is provided to restrain voids from being generated at a gap between gate patterns and minimize the deterioration of leakage current characteristics due to an exposed low concentration impurity diffusion layer by using an etch stop layer. CONSTITUTION: A gate pattern(105) including a gate electrode(103) is formed on a semiconductor substrate(101). A low concentration impurity diffusion layer(107a) is formed at both sides of the gate pattern in the semiconductor substrate. A spacer is formed at both sidewalls of the gate pattern. A high concentration impurity diffusion layer(107b) is formed in the semiconductor substrate by implanting doped ions into the resultant structure using the gate pattern and spacer as a mask. Then, the spacer is removed from the resultant structure. A conformal etch stop layer(111) is formed on the entire surface of the resultant structure. The thickness of the etch stop layer has the same size as the width of the lower surface of the spacer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的方法，以限制在栅极图案之间的间隙处产生空隙，并且通过使用蚀刻停止层使由于暴露的低浓度杂质扩散层引起的漏电流特性的劣化最小化。 构成：在半导体衬底（101）上形成包括栅电极（103）的栅极图案（105）。 在半导体衬底中的栅极图案的两侧形成低浓度杂质扩散层（107a）。 在栅极图案的两个侧壁处形成间隔物。 通过使用栅极图案和间隔物作为掩模将掺杂离子注入到所得结构中，在半导体衬底中形成高浓度杂质扩散层（107b）。 然后，从所得到的结构中除去间隔物。 在所得结构的整个表面上形成保形蚀刻停止层（111）。 蚀刻停止层的厚度与间隔物的下表面的宽度具有相同的尺寸。
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公开(公告)号：KR100299138B1
公开(公告)日：2001-11-02
申请号：KR1019990041545
申请日：1999-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본발명에따른에이티엠장치에서비실시간트래픽제어장치가, 수신되는셀들을저장하며피포(fifo)방식에의해출력하는수신버퍼와, 상기수신버퍼의출력셀들을헤더정보에의해라우팅하는스위치와, 상기스위치의출력셀들을저장하며피포방식에의해송신하는송신버퍼와, 상기송신버퍼의양을감시하여임계치에이르면상기수신버퍼로경고신호를출력하고, 설정치이하가되면상기경고신호를해제하도록통보하여전송데이타의양을조정하는출력큐감시부로구성된것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100300355B1
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：KR1019990030447
申请日：1999-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김한수
IPC: H04Q1/00
Abstract: 본발명은, 비동기전송모드교환시스템에서의가입자정합장치에있어서, 동기식전송모듈-1x4 단위의고속가입자신호에대응한상기가입자정합장치에서의상태관리정보나가입자연결정보처리를수행하는적어도두개의제어부들과, 상기동기식전송모듈-1x4 단위의고속가입자신호에대응한수신된프레임정보를처리하고비동기전송모드셀을추출하여출력하고, 그반대의기능을수행하는적어도두개의물리계층인터페이스들과, 상기동기식전송모듈-1x4 단위의고속가입자신호에대응한상기비동기전송모드셀에대해서각종비동기전송모드기능을처리하는적어도두개의비동기전송모드계층처리부들과, 상기동기식전송모듈-1x4 단위의고속가입자신호에대응한상기비동기전송모드셀을스위치망 및상기비동기전송모드계층처리부들에맞게형식변환하여출력해주는적어도 2개의스위치링크정합부들로구성한다.
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公开(公告)号：KR100265763B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019970082095
申请日：1997-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김한수
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L27/1108
Abstract: PURPOSE: An SRAM(static random access memory) device and a method for manufacturing the same are to minimize a thyristor capacity produced from a word line. CONSTITUTION: A substrate(100) is divided into an active region and an inactive region by an isolation film(102), and a gate(104) of an access transistor and a gate(106) of a drive transistor are formed on the substrate, the gates made of same conductive film. The first interlayer film(107) and a gate insulating film(111) of a PMOS TFT(thin film transistor) are deposited on the gates. Each of access transistors includes the first conductive film. A conductive film pattern(114) is formed on the gate insulating film, the pattern being used as an active region and a power line of the PMOS TFT. The second interlayer film(115) is deposited on the entire surface of the substrate. A word line(122) is formed on the second interlayer dielectric, and is connected to the gate of the access transistor through a contact hole exposing the gate of the access transistor. A number of bit lines(128) are formed on the second interlayer dielectric.
Abstract translation: 目的：SRAM（静态随机存取存储器）装置及其制造方法是使从字线产生的晶闸管容量最小化。 构成：通过隔离膜（102）将衬底（100）分为有源区和非活性区，并且在衬底上形成存取晶体管的栅极（104）和驱动晶体管的栅极（106） ，由相同导电膜制成的门。 第一层间膜（107）和PMOS TFT（薄膜晶体管）的栅极绝缘膜（111）沉积在栅极上。 每个存取晶体管包括第一导电膜。 导电膜图案（114）形成在栅极绝缘膜上，该图案用作PMOS TFT的有源区和电源线。 第二层间膜（115）沉积在基板的整个表面上。 字线（122）形成在第二层间电介质上，并通过暴露存取晶体管的栅极的接触孔与存取晶体管的栅极连接。 在第二层间电介质上形成多个位线（128）。
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公开(公告)号：KR100260034B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980013968
申请日：1998-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: PURPOSE: A method for transmitting data at a subscriber part in an ATM switching system is provided to increase the quality of service by preventing a cell having a CBR(Constant Bit Rate) from being discarded to the maximum. CONSTITUTION: A routing tag inserting part checks whether a cell is inputted from a physical layer processing part(200). In case that a cell is inputted, the routing tag inserting part reads a VPI and a VCI from the input cell(202). The routing tag inserting part searches a routing table for a routing tag through the VPI and the VCI(204), inserts the routing tag into the cell and outputs it to a trunk-line access part(206). The trunk-line access part checks whether the input cell is a UBR(Unspecified Bit Rate) cell(208). If the input cell is the UBR cell, the trunk-line access part sets a cell discriminating bit in the routing tag of the received cell as '1'(210). In case that input cell is a CBR cell, the trunk-line access part sets the cell discriminating bit as '0'(212). The trunk-line access part substitutes the cell discriminating bit for the CLP(Cell Loss Priority) of the received cell and transmits the cell to a switch module access part(214). The switch module access part inserts dummy data into the received cell(216) and transmits the cell to a switch module(218).
Abstract translation: 目的：提供一种在ATM交换系统的用户部分发送数据的方法，以通过防止具有CBR（恒定比特率）的小区被最大化地丢弃来提高服务质量。 构成：路由标签插入部分检查是否从物理层处理部分（200）输入单元。 在单元被输入的情况下，路由标签插入部分从输入单元（202）读取VPI和VCI。 路由标签插入部分通过VPI和VCI（204）在路由表中搜索路由标签，将路由标签插入单元，并将其输出到中继线接入部分（206）。 中继线接入部检查输入单元是UBR（未指定比特率）单元（208）。 如果输入单元是UBR单元，则中继线访问部分将接收单元的路由标签中的单元识别位设置为“1”（210）。 在输入单元是CBR单元的情况下，中继线接入部将单元鉴别位设置为“0”（212）。 中继线接入部分将小区识别比特替换为接收小区的CLP（小区丢失优先级），并将小区发送到交换模块接入部分（214）。 交换机模块接入部分将伪数据插入接收的小区（216），并将小区发送到交换模块（218）。
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公开(公告)号：KR1019990055964A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970075940
申请日：1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김한수
IPC: B65H35/08
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야.
본 발명은 에스 엠 디에서 사용한 후 취출되는 폐비닐테이프를 수집하는 원형틀에서 상기 비닐테이브를 제거하기 위한 절단기에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.
본 발명은 부품이 소진되어 원형틀에 일정량 감겨있는 비닐테이프를 쉽게 제거할 수 있는 에스 엠 디의 칩 테이프 절단기를 제공하는데 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지.
본 발명은 비닐테이프가 감기도록 상측으로 권취부가 형성된 원형틀과, 상기 원형틀에는 상기 권취부의 외주면까지 형성되는 가이드홈과, 상기 비닐테이프가 감긴 원형틀이 일측부에 장착되는 판형의 플레이트와, 상기 플레이트의 타측 상부면에는 상기 원형틀의 비닐테이프를 절단하기 위하여 일단부에 커터가 장착되는 커터고정봉과, 상기 커터고정봉의 타단부에는 힌지결합되어 상기 커터고정봉을 좌우로 유동시키기위하여 장착되는 다수개의 링크로 구성됨을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도.
본 발명은 에스 엠 디의 폐비닐을 절단하기 위하여 사용.-
公开(公告)号：KR100192973B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950068625
申请日：1995-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 경사진 게이트 산화막을 갖는 전력용 모스소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명은 소스/드레인 영역과 게이트 도전층 사이의 게이트 산화막을 얇게 형성하면서 소스/드레인 영역 사이에서 기판과 게이트 도전층 사이의 게이트 산화막을 점진적으로 두껍게 형성한다.
따라서, 본 발명은 게이트 산화막을 경사 구조로 형성함으로써 문턱 전압을 낮게 유지하면서도 게이트 개패시턴스가 작은 전력용 모스소자를 구현할 수 있다.
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