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公开(公告)号：KR1020060089513A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010782
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0002 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 전기장 처리를 이용한 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연층, 유기 반도체층, 및 소스/드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터를 제조하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 DC 전압을 인가하고, 상기 게이트 전극에 AC 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기장 처리를 이용한 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 상기 각 층의 적층 이후에 특성이 저하된 유기박막 트랜지스터의 특성을 복원시킴으로써 단순한 공정을 통해 문턱전압 및 구동전압이 낮고, 전하 이동도 및 전류점멸비(I
on /I
off )가 높은 소자를 제공할 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 유기반도체, 전기장 처리, DC 전압, AC 전압, 게이트 절연층, 유기 반도체 층, 습식공정-
公开(公告)号：KR100584542B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020000009072
申请日：2000-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이은경
IPC: H01S5/18
Abstract: 개시된 표면광 레이저는, 활성층과 상부반사기층 사이 또는 상부반사기층의 활성층에 상대적으로 가까운 쪽에 큰 전류 통과 영역을 한정하도록 형성되어 전류 흐름을 가이드하는 제1가이드부와, 상부반사기층의 윈도우에 상대적으로 가까운 쪽에 제1가이드부보다 상대적으로 작은 전류 통과 영역을 한정하도록 형성되어 전류 흐름을 가이드하는 제2가이드부를 구비하여, 상부 및/또는 하부전극을 통해 인가된 전류가 제2가이드부 및 제1가이드부에 의해 활성층의 중앙부쪽으로 가이드되도록 되어 있다.
이와 같은 전류 가이드 구조를 가지면, 윈도우 중앙부에서의 전류 밀도가 그 외곽부에서 보다 크게 되어, 주로 윈도우 중심에서 레이저 발진이 일어나게 된다.-
公开(公告)号：KR1020050051846A
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030085508
申请日：2003-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K19/26
CPC classification number: C09K19/322 , C07C2601/14 , C07C2602/10 , C09K2019/324 , C09K2019/325 , Y10T428/10
Abstract: 본 발명은 신규한 액정화합물 및 이를 포함한 액정조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 음의 유전율 이방성 및 높은 광학 이방성을 가지는 신규한 액정 화합물 및 이를 포함한 액정 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 액정 화합물은, 음의 유전율 이방성 및 높은 광학 이방성을 동시에 가지면서 회전 점성 및 탄성상수 비 (K11/K33)가 낮은 수준으로 유지되어, 얇은 두께의 액정 셀에 적용시에도 화질이 우수하고 응답속도가 빠른 액정 매질로써 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050036393A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020030072077
申请日：2003-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K19/34 , C09K2019/3425 , G02F1/1333
Abstract: 본 발명은 코어기(core group)에 쿠마린 구조를 도입함으로서 음의 유전율 이방성을 가지는 액정화합물 및 이를 포함하는 액정 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 강한 이중극자 모멘트(dipole moment)를 가지는 변형된 쿠마린 구조를 도입함으로서 충분히 큰 음의 유전율 이방성을 나타내어 액정 디스플레이 모드중의 하나인 VA(vertical alignment) 방식에 효과적으로 적용될 수 있는 신규한 액정 화합물 및 이를 이용한 액정 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물의 경우, 큰 음의 유전율 이방성을 가지고, 비교적 높은 Tni 값을 가지며, 응답속도가 빠르고, 문턱 전압, 전압유지율, 안정성 등 여러 가지 물성이 적합하여 VA, OCB, IPS 등을 포함하는 각종 모드의 전기광학 표시장치에서 작동하는 액정 매질로써 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050032299A
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：KR1020030068332
申请日：2003-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/26533 , H01L21/28506 , H01L21/823878 , H01L24/05 , H01L29/0847 , H01L29/78 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: A contact structure of a semiconductor device is provided to embody an electrically and physically stable semiconductor device and guarantee reliability of the semiconductor device by preventing a spike phenomenon that might occur in an interconnection structure used in a conventional semiconductor device. A semiconductor substrate(21) is prepared. A conductive doping layer(23) is doped with an opposite polarity to the semiconductor substrate, formed on a part of the semiconductor substrate. A conductive layer(24) is formed on the doping layer. An insulated doping layer(25) is formed under the doping layer. The semiconductor substrate and the conductive doping layer constitute a p-n junction. The insulated doping layer includes oxygen or nitrogen.
Abstract translation: 提供半导体器件的接触结构以体现电和物理稳定的半导体器件，并通过防止在常规半导体器件中使用的互连结构中可能发生的尖峰现象来保证半导体器件的可靠性。 制备半导体衬底（21）。 在半导体衬底的一部分上形成与半导体衬底相反极性的导电掺杂层（23）。 导电层（24）形成在掺杂层上。 在掺杂层下方形成绝缘的掺杂层（25）。 半导体衬底和导电掺杂层构成p-n结。 绝缘掺杂层包括氧或氮。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100459894B1
公开(公告)日：2004-12-04
申请号：KR1020020007707
申请日：2002-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/068 , H01L31/103 , Y02E10/547
Abstract: A silicon light-receiving device is provided. In the device, a substrate is based on n-type or p-type silicon. A doped region is ultra-shallowly doped with the opposite type dopant to the dopant type of the substrate on one side of the substrate so that a photoelectric conversion effect for light in a wavelength range of 100-1100 nm is generated by a quantum confinement effect in the p-n junction with the substrate. First and second electrodes are formed on the substrate so as to be electrically connected to the doped region. Due to the ultra-shallow doped region on the silicon substrate, a quantum confinement effect is generated in the p-n junction. Even though silicon is used as a semiconductor material, the quantum efficiency of the silicon light-receiving device is far higher than that of a conventional solar cell, owing to the quantum confinement effect. The silicon light-receiving device can also be formed to absorb light in a particular or large wavelength band, and used as a solar cell.
Abstract translation: 提供了一种硅光接收装置。 在该器件中，衬底基于n型或p型硅。 掺杂区是用衬底的一侧上的衬底的掺杂剂类型的相反类型的掺杂剂超浅掺杂的，从而通过量子限制效应产生对于波长范围为100-1100nm的光的光电转换效应 在与衬底的pn结中。 第一和第二电极形成在衬底上以电连接到掺杂区域。 由于硅衬底上的超浅掺杂区域，在p-n结中会产生量子限制效应。 尽管将硅用作半导体材料，但由于量子限制效应，硅光接收装置的量子效率远远高于常规太阳能电池的量子效率。 硅光接收装置也可以形成为吸收特定波长带或较大波长带的光并用作太阳能电池。
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公开(公告)号：KR1020030072882A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020012157
申请日：2002-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A silicon light emitting device and a display apparatus using the same are provided to be capable of carrying out a multi-function by integrating a multi-step transistor at the silicon light emitting device. CONSTITUTION: A silicon light emitting device is provided with the first type semiconductor based substrate(11), a doped region(15) formed at one surface of the substrate, the first and second semiconductor material part(21,23) formed at the other surface of the substrate, the first electrode(13) electrically connected to the doped region, the second electrode(17) electrically connected to the first semiconductor material part, and the third electrode(19) electrically connected to the second semiconductor material part. At this time, the second semiconductor material part is made of the second type semiconductor layer and the first semiconductor material part is made of the first type semiconductor layer, thereby forming a multi-step transistor.
Abstract translation: 目的：提供硅发光器件和使用其的显示装置，以便能够通过在硅发光器件上集成多级晶体管来执行多功能。 构成：硅发光器件设置有第一类型半导体衬底（11），形成在衬底的一个表面处的掺杂区域（15），形成在另一个的第一和第二半导体材料部分（21,23） 电连接到掺杂区的第一电极（13），与第一半导体材料部分电连接的第二电极（17）和与第二半导体材料部分电连接的第三电极（19）。 此时，第二半导体材料部分由第二类型半导体层制成，并且第一半导体材料部分由第一类型半导体层制成，从而形成多级晶体管。
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公开(公告)号：KR1020010038401A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1019990046362
申请日：1999-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser is provided to be capable of forming an insulation and/or an upper electrode on a connection part, connecting a post and a block, instead of a lateral surface of a trench. CONSTITUTION: A lower reflector layer(110) is formed on a substrate(100) by stacking chemical semiconductors of different compositions in turn. An active layer(120) is formed on the lower reflector layer(110) and generates rays of light by electron-hole recombination. A high resistance part(135) guides flowing of electrons. An upper reflector layer(140) is formed on the active layer and/or the high resistance part by stacking chemical semiconductors of different compositions, which contain an impurity opposite to that of the lower reflector layer(110). A post(200) has a window and generates a laser beam according to an applied power. A block(300) surrounds the post and is spaced apart from the post. A connection part(250) connects the post and the block and has a predetermined width. A trench(220) is formed on the upper reflector layer, the active layer and the lower reflector layer except for the connection part, so as to separate the post and the block. An insulation layer is formed on a region comprising the post, the connection part and the block except for the window and a peripheral region of the window. An upper electrode(160) is formed on the insulation layer and a lower electrode(170) is formed below the substrate.
Abstract translation: 目的：提供垂直腔表面发射激光器，以能够在连接部分上形成绝缘体和/或上部电极，连接柱和块，而不是沟槽的侧表面。 构成：通过依次堆叠不同组成的化学半导体，在衬底（100）上形成下反射层（110）。 在下反射层（110）上形成有源层（120），并通过电子 - 空穴复合产生光线。 高电阻部分（135）引导电子的流动。 通过堆叠含有与下反射层（110）相反的杂质的不同组成的化学半导体，在有源层和/或高电阻部分上形成上反射层（140）。 柱（200）具有窗口并根据所施加的功率产生激光束。 块（300）围绕柱子并与柱子间隔开。 连接部（250）连接柱和块，并具有预定的宽度。 在上反射器层，有源层和除了连接部分之外的下反射器层之间形成沟槽（220），以便分离柱和块。 绝缘层形成在除了窗户之外的柱，连接部分和块之外的区域以及窗口的外围区域上。 在绝缘层上形成上电极（160），在基板的下方形成下电极（170）。
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公开(公告)号：KR100183707B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950007601
申请日：1995-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/18
Abstract: 전극층의 형상을 변형한 표면광 레이저가 개시되어 있다. 이 표면광 레이저는 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판과, 이 기판 상에 위치하며 인가 전원에 따라 전자 또는 정공을 생성하고 그 표면에 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 반도체 물질로 된 제 1반사기층과, 이 제 1반사기층 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 의해 레이저 광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층 상에 위치하고 상기 제 1반사기층과 다른 반도체형으로 되고 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록된 제 2반사기층과, 상기 제 2반사기층 상에 적층되고 상기 전원의 다른 전극이 접속되며 상기 반사 기층을 통과한 광이 출사하는 공동을 가지는 전극층으로 이루어진 표면광 레이저에 있어서, 상기 제 2반사기층 상부에 형성되는 공동의 적어도 일부분의 상부에 상기 전극층과 전기적으로 연결된 � ��조전극층을 가지는 것을 특징으로 한다. 이 보조전극층의 형상은 공동의 상부 일부분에 전극층과 전기적으로 접속 가능하도록 된 일자형, 십자형, 또는 원형 고리형으로 된 것이 바람직하다.
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公开(公告)号：KR200129466Y1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR2019950008990
申请日：1995-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
Abstract: 광검출기 일체형 표면장 레이저가 개시되어 있다. 이 개시된 광검출기 일체형 표면광 레이저는 기판(31)과, 이 기판(31)상에 위치하며 광을 흡수하는 버퍼층(33)과, 버퍼층(33)의 상부에 위치하며 전원의 한 전극이 접속되는 제1전극층(35)과, 제1전극층(35) 상에 위치하며 전원 인가시에 전자 또는 정공을 이동시키며 그 표면으로 입사되는 광을 대부분 반사시키고 나머지 일부만을 투과시키는 제1반사기층(37)과, 이 제1반사기층(37)상에 위치하고 전자와 정공의 재결합으로 발광하는 활성층(39)과, 활성층(39) 상에 위치하고 제1반사기층(37)과 다른 반도체형으로서 전자 또는 정공을 이동시키며 입사되는 광을 대부분 반사시키고 나머지 일부를 투과시키는 제2반사기층(41)과, 제2반사기층(41) 상부면 일부에 적층되고 상기한 전원의 다른 전극이 접속되는 평판부(45)와 제2반사기층(41)을 투과한 광이 출사되는 공동(47 )이 형성된 돌출부(46)를 가지는 제2전극층(43)을 구비하며, 제2반사기층(41)과, 활성층(39) 및 제1반사기층(37)을 관통하여 제1전극층(35)의 일부가 외부로 노출되도록 된 제1홈부(49)가 형성되고, 활성층(39)에서 생성 출사되는 광의 출사영역을 제한하기 위해 돌출부(46)주위에 제2홈부(51)가 형성된 것을 특징으로 한다.
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