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公开(公告)号：KR1020120009484A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117026434
申请日：2010-04-09
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B81C1/00373 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B5/00 , C30B29/60 , G03F7/0002 , Y10T156/10 , Y10T428/24851 , Y10T428/24876 , Y10T428/24893 , Y10T428/25
Abstract: PURPOSE: A fine particle arranging method by physical pressure is provided to align fine particles of a single layer or multilayer on a substrate with a wide area. CONSTITUTION: A first substrate is prepared. A first intaglio print or first embossing print is arranged for fixing the orientation and/or location of fine particles on the surface of the first substrate. A plurality of fine particles is placed on the first substrate. A part or all of the fine particles are inserted into an air gap arranged by the first intaglio print or first embossing print. The fine particles are aligned on the first substrate by physical pressure.
Abstract translation: 目的：提供通过物理压力的精细粒子排列方法，以将基底上的单层或多层的细颗粒与广泛区域对齐。 构成：制备第一衬底。 第一凹版印刷或第一压花印刷被布置用于将细颗粒的取向和/或位置固定在第一基底的表面上。 在第一基板上放置多个细颗粒。 将一部分或全部细颗粒插入由第一凹版印刷或第一压花印刷布置的气隙中。 微粒通过物理压力在第一衬底上排列。
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公开(公告)号：KR1020110112717A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031999
申请日：2010-04-07
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: C01B39/46 , B01J29/076 , B01J29/78 , B01J2229/183 , C01B37/005 , C01B39/08 , C01B39/48
Abstract: 신규 바나도실리케이트 분자체 및 그의 유도체와 그의 제조 방법이 제공되며, 상기 신규 제조 방법은 실리콘 소스와 함께 사용되는 바나듐 소스로서 V
5+ -함유 화합물을 이용하며, 이러한 V
5
+ -함유 화합물을 환원제에 의하여 V
4
+ 로 환원시키는 것을 포함함으로써 신속하고 저비용으로 효율적으로 바나도실리케이트 분자체를 제조할 수 있으며, ETS-10 결정을 씨드로 사용할 필요가 없고, TMA
+ 이온을 채널 안에 함유하지 않으며, 질 좋은 V
IV O
3
2
- 양자선을 얻을 수 있으며, 상기 신규 제조 방법에 의하여 바나도실리케이트 분자체를 수득할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020060048504A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050054643
申请日：2005-06-23
Applicant: 서강대학교산학협력단
IPC: B32B18/00
CPC classification number: C23C22/02 , B82Y15/00 , C03C17/002 , C03C17/007 , C03C17/009 , C03C2217/23 , C03C2217/465 , C03C2217/475 , C23C26/00 , C23C30/00
Abstract: 본 발명은 초음파를 이용하는 기질-분자체막 복합체의 제조방법 및 이에 사용되는 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기질, 연결화합물 및 분자체 입자가 결합되어 형성되는 기질-분자체막 복합체의 제조방법에 있어서, 단순 환류 대신에 15 KHz ∼ 100 MHz의 초음파를 사용하여 기질과 연결화합물, 분자체 입자와 연결화합물, 연결화합물과 연결화합물 또는 연결화합물과 중간 연결화합물 사이의 공유, 이온, 배위 또는 수소결합을 유도함으로써, 다양한 방법으로 기질과 분자체 입자를 결합시킬 수 있을 뿐만 아니라 시간과 에너지를 절약하면서 현저히 높은 부착속도, 부착세기, 부착정도 및 조밀도를 가지며, 연결화합물이 결합된 기질과 그렇지 않은 기질이 혼합되어 있는 경우에는 선택적으로 연결화합물이 결합된 기질 모두에만 고르게 분자체 입자를 부착시킬 수 있어서 기질-분자체막 복합체의 대량 생산이 가능하도록 개선된, 초음파를 이용하는 기질-분자체막 복합체의 제조방법 및 이에 사용되는 제조장치에 관한 것이다.
초음파, 기질-분자체막 복합체, 부착강도, 부착속도, 조밀도, 대량생산-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170028343A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020170027316
申请日：2017-03-02
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 본원은규칙적으로배열된복수개의홀을가지는다공성박막을이용하여형성된수소이온수송멤브레인(membrane)과수소생성용멤브레인, 및이들의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101695496B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020100087935
申请日：2010-09-08
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: C30B19/12 , B01D67/0051 , B01D69/10 , B01D71/028 , B01D2323/24 , C01B37/02 , C01B39/00 , C01B39/38 , C01B39/40 , C30B7/005 , C30B29/60 , Y10T428/24273 , Y10T428/24744
Abstract: 본발명은기재상에각 비구형종자결정(non-spherical seed crystal)의결정축 a축, b축및 c축모두가일정한규칙에따라배향되도록정렬된비구형종자결정들을수득하는제1단계; 및종자결정들을성장시키는용액에상기 a축, b축및 c축배향이모두정렬된종자결정들을노출시켜 2차성장법을이용하여, 상기종자결정들로부터막을형성및 성장시키는제2단계를 포함하여, 박막(film) 또는후막을제조하는방법; 및상기방법에의해제조된막을제공한다. 본발명에따른제조방법에의해서, 종자결정보다큰 크기의결정또는막을제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种制备薄膜或厚膜的方法，包括以下步骤：（1）将非球形晶种布置在基板上，使得每个晶种的a，b和c轴全部取向 根据预定规则 和（2）通过将步骤（1）中排列的晶种暴露于晶种生长溶液，通过二次生长从晶种形成和生长膜。 本发明还提供了通过该方法制备的膜。 根据本发明，可以制备大于晶种的晶体或膜。
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公开(公告)号：KR101590535B1
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020110108891
申请日：2011-10-24
Applicant: 서강대학교산학협력단
Inventor： 윤경병
CPC classification number: Y02A50/2342 , Y02E10/50
Abstract: 본원은광촉매가로딩(loading)되어있고, 반응물공급부와연결되어있는광반응기; 및상기반응물공급부와연결되어있고, 태양전지를포함하는물 분해용반응기를포함하고, 이산화탄소기체및 상기물 분해용반응기에서물의분해에의해생성된수소기체가상기반응물공급부를통해상기광반응기내로주입되어상기광반응기내에서태양광조사(irradiation) 하에상기이산화탄소기체와상기수소기체가반응되는것인, 이산화탄소의환원반응장치에관한것이다.
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49.发明公开
公开(公告)号：KR1020130079288A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120157631
申请日：2012-12-28
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: C30B19/12 , C01B39/02 , C01B39/38 , C04B35/14 , C04B38/0025 , C04B2111/0081 , C04B2235/3217 , C04B2235/528 , C04B2235/5454 , C30B29/34 , C30B29/60 , Y10T428/249969 , C04B38/0054 , C04B38/0074
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film or a thick film and a film manufactured by the method are provided to improve productivity and reproducibility and to reduce the consumption of unnecessary raw materials by using a solution without synthetic gel. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thin film or a thick film comprises the steps of: preparing a porous base material which supplies silicon; applying zeolite seed crystals to the surface of the porous base material; coating the porous base material with a structure directing agent containing aqueous solution; and forming and growing a film based on the seed crystals using a secondary growing method at a temperature higher than or equal to the temperature at which moisture in the porous base material forms vapor.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜或厚膜的方法以及通过该方法制造的膜以提高生产率和再现性，并且通过使用不含合成凝胶的溶液来减少不需要的原料的消耗。 构成：制造薄膜或厚膜的方法包括以下步骤：制备提供硅的多孔基材; 将沸石晶种施加到多孔基材的表面; 用含有水溶液的结构导向剂涂覆多孔基材; 并且在高于或等于多孔基材中的水分形成蒸气的温度的温度下，使用二次生长方法，以晶种为基础，形成和生长膜。
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公开(公告)号：KR101255780B1
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：KR1020110033418
申请日：2011-04-11
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: B32B3/30 , B81C1/00103 , B81C1/00373 , C23C14/083 , C23C14/22 , Y10T428/13
Abstract: 본원은, 입자의 정렬층이 형성된 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 입자의 정렬층을 박막 형성 물질로 코팅하여 입자-박막 복합체를 형성하는 단계; 상기 복합체 중 박막 형성 물질의 일부를 제거하여 상기 입자를 노출시킨 후 상기 노출된 입자를 제거하여 홀(hole)을 가지는 주형(template)을 형성하는 단계; 및 상기 주형의 홀 표면에 제 1 물질을 코팅한 후 상기 주형을 제거하여 보울(bowl)-형태의 구조체를 형성하는 단계: 를 포함하는, 보울(bowl)-형태 구조체의 제조방법, 상기 방법에 의하여 제조된 보울(bowl)-형태 구조체, 및 상기 보울(bowl)-형태 구조체를 이용한 보울 어레이를 제공한다.
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