이온교환막
    42.
    发明授权
    이온교환막 有权
    离子交换膜

    公开(公告)号:KR101825323B1

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:KR1020170021738

    申请日:2017-02-17

    Abstract: 이온교환막이제공된다. 상기이온교환막은, 불소계고분자막및 상기불소계고분자막에결합되고불소계사슬을갖는그래핀옥사이드를포함한다. 상기이온교환막은우수한성능과물성을가질수 있다. 예를들어상기이온교환막은산화-환원종인이온의투과를저감시킬수 있고, 우수한양성자전도도및 이온선택성을가질수 있다. 상기이온교환막을구성하는불소계고분자막과그래핀옥사이드의결합력이증가하여내구성이향상될수 있다.

    Abstract translation: 提供离子交换膜。 离子交换膜包括基于氟的聚合物膜和与氟基聚合物膜结合并具有氟基链的氧化石墨烯。 离子交换膜可具有优异的性能和物理性质。 例如,离子交换膜可以降低作为氧化还原物质的离子的渗透性,并且可以具有优异的质子传导性和离子选择性。 构成离子交换膜的氟系高分子膜与氧化石墨烯的结合力提高,耐久性提高。

    연료 전지용 고분자 전해질 막 전구체 조성물, 연료 전지용 고분자 전해질 막, 이의 제조방법, 이를 포함하는 연료 전지용 막-전극 어셈블리 및 연료 전지 시스템
    43.
    发明授权
    연료 전지용 고분자 전해질 막 전구체 조성물, 연료 전지용 고분자 전해질 막, 이의 제조방법, 이를 포함하는 연료 전지용 막-전극 어셈블리 및 연료 전지 시스템 有权
    一种燃料电池用高分子电解质膜前体组合物,燃料电池用高分子电解质膜,制造燃料电池膜,其包含相同的电极组件和燃料电池系统的方法

    公开(公告)号:KR101797160B1

    公开(公告)日:2017-11-13

    申请号:KR1020160115168

    申请日:2016-09-07

    Abstract: 본기재는화학식 1로표시되는반복단위와화학식 2로표시되는반복단위를포함하는고분자및 화학식 3-1로표시되는화합물, 화학식 3-2로표시되는화합물, 화학식 3-3으로표시되는화합물및 이들의조합에서선택되는화합물을포함하는가교제를포함하는고분자전해질막 전구체조성물, 화학식 1로표시되는반복단위및 화학식 2로표시되는반복단위를포함하는고분자가화학식 3-1로표시되는화합물, 화학식 3-2로표시되는화합물, 화학식 3-3으로표시되는화합물및 이들의조합에서선택되는화합물을포함하는가교제에의해가교되어형성된가교고분자를포함하는고분자전해질막, 이의제조방법, 이를포함하는막-전극어셈블리및 연료전지시스템에관한것이다.

    Abstract translation: 由式3-2表示的基片和由该化合物,化合物表示的化合物,3-3)和(由含有由式2表示的重复单元表示3-1的聚合物和由通式表示的重复单元(1) 由式3-1,式做所述化合物选自包括关联膜前体组合物,含有由式表示的重复单元(2)和由通式表示的重复单元的高分子化合物的高分子电解质的组合选自(1)表示 由3-2,含有该化合物的聚合物所代表的化合物,并且不包括从它们的组合是由交联的关系中选择的化合物形成式3-3的电解质膜,制造包含其的膜的方法为代表的交联聚合物 电极组件和燃料电池系统。

    원 포트 탐침을 이용한 투자율 및 유전율 측정 장치 및 방법
    44.
    发明授权
    원 포트 탐침을 이용한 투자율 및 유전율 측정 장치 및 방법 有权
    使用一个端口探测器测量磁性渗透性和容许度的装置和方法

    公开(公告)号:KR101616114B1

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:KR1020150003581

    申请日:2015-01-09

    CPC classification number: G01R27/2617 G01R1/067

    Abstract: 본발명은마이크로파대역에서탐침을이용하여기체나액체또는고체상태의피측정물질의투자율과유전율을측정할때 피측정물질이기체상태이거나액체상태또는고체상태인것에관계없이투자율과유전율을정확하고편리하게측정할수 있도록한 기술에관한것이다. 이를위해본 발명은평면형상의동축케이블구조를갖고일측종단부에형성된발산부를통해피측정물질과평면적으로접촉이가능한구조를갖는탐침과, 상기탐침에직류자기장을걸어주기위해상기탐침을사이에두고서로대향지게설치된제1전자석패널및 제2전자석패널을구비한탐침장치; 상기탐침장치를이용하여반사계수를측정하기위한반사계수측정장치; 및상기반사계수측정장치를이용하여측정한반사계수를이용하여피측정물질의유전율과투자율을연산하는연산장치를구비한다.

    Abstract translation: 本发明涉及当测量目标材料在气态,液态或固体状态下的磁导率和介电常数被测量时,无论目标材料的状态如何,以准确和方便的方式测量磁导率和介电常数的技术 通过在微波带中使用的探针。 本发明包括:探针装置; 反射系数测量装置; 和计算装置。 探针装置设置有具有平面同轴电缆结构的探针,并且被构造成能够通过形成在一侧的终端部分中的发射单元和第一电磁体面板与第二电磁体面板平面地接触测量目标材料 电磁体面板设置成跨越探针彼此面对用于施加到探针的直流磁场。 反射系数测量装置通过使用探针装置测量反射系数。 计算装置使用由所使用的反射系数测量装置测量的反射系数来计算测量对象材料的介电常数和磁导率。

    고열치료요법을 위한 어플리케이터
    45.
    发明授权
    고열치료요법을 위한 어플리케이터 有权
    对高效治疗的应用者

    公开(公告)号:KR101404565B1

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:KR1020120119194

    申请日:2012-10-25

    Abstract: 본 발명은 고열치료요법을 위한 어플리케이터에 유전체 렌즈를 구비하여 마이크로파나 밀리미터파를 환부 깊숙히 침투시키는 기술에 관한 것이다.
    본 발명은 도전체, 전송선을 구비한 어플리케이터; 상기 전송선을 통해 외부로부터 인가되는 마이크로파를 고열치료요법으로 치료받고자 하는 환부 방향으로 방사하는 복수개의 동축 개구면; 및 상기 동축 개구면의 상부에 형성되어 상기 동축 개구면에서 방사되는 마이크로파의 초점거리를 환부의 심부 방향으로 확장시키는 유전체 렌즈;를 포함한다.
    따라서, 본 발명을 이용하는 경우 유전체 렌즈의 초점거리를 암 조직의 심부에 설계할 수 있어 치료 범위가 확장되는 효과가 있다.

    인쇄회로기판 및 그 제조방법
    46.
    发明公开
    인쇄회로기판 및 그 제조방법 无效
    印刷电路板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100068787A

    公开(公告)日:2010-06-24

    申请号:KR1020080127262

    申请日:2008-12-15

    CPC classification number: H05K3/386 H05K1/09 H05K2201/0154

    Abstract: PURPOSE: A printed circuit board and manufacturing method thereof does not accompany the deposition process by the sputtering process and photo lithography process. The manufacturing process is simplified and the material cost is reduced. CONSTITUTION: A base film(10) is included of the polyimide. The coating seed layer(30) printed on the base film. The metallic coating(40) is formed on the coating seed layer. In the surface of the base film, the surface reformed layer(20) is formed. The surface reformed layer has the bonding structure of the oxygen and metal.

    Abstract translation: 目的:印刷电路板及其制造方法不伴随溅射工艺和光刻工艺的沉积工艺。 制造工艺简化,材料成本降低。 构成:聚酰亚胺包括基膜(10)。 印刷在基膜上的涂层种子层(30)。 金属涂层(40)形成在涂层种子层上。 在基膜的表面形成表面改性层(20)。 表面改性层具有氧和金属的键合结构。

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