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公开(公告)号：KR1020110109827A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110013390
申请日：2011-02-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/30 , G01N27/414 , B82Y15/00
CPC classification number: B82Y15/00 , G01N27/4146 , G01N27/48 , G01R1/28 , G01R19/0084 , Y10S977/742
Abstract: 일 실시 예에 있어서, 기준 전위 조절 장치가 개시된다. 기준 전위 조절 장치는 용액의 전위를 측정하는 기준전위측정부, 상기 용액 내에 배치되고 상기 용액과의 산화환원반응을 통하여 상기 용액의 전위를 변화시키는 상대전극, 및 상기 기준전위측정부로부터 제공되는 측정전압과 기준전원으로부터 제공되는 기준전압을 서로 비교하여 상대전극과 상기 용액 사이의 반응성을 조절하는 제어신호를 발생시키는 비교기를 포함한다. 상기 기준전위측정부는 기준전극, 상기 기준전극과 이격되어 배치되는 공통전극, 및 상기 기준전극과 상기 공통전극과 접촉하며 상기 용액의 전위에 따라 전기전도도가 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100014101A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020090035002
申请日：2009-04-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A monolithic photovoltaic cell is provided to insulate a first photodiode from a reference region by including an isolation diode. CONSTITUTION: One board photoelectric cell comprises a plurality of unit photocells. A plurality of unit photocells are integrated in the substrate(110) having a semiconductor region. Each unit photocell comprises a first photo diode(102) and the isolation diode(106). The first photo diode and the isolation diode are integrated in the semiconductor region. The isolation diode insulates the first photo diode from a reference area(152). The cathode of the first photo diode and isolation diode are electrically connected from the first node. The anode of the first photo diode is electrically connected to the second node.
Abstract translation: 目的：通过包括隔离二极管，提供单片光伏电池以使第一光电二极管与参考区域绝缘。 构成：单板光电池包括多个单元光电管。 多个单元光电池集成在具有半导体区域的基板（110）中。 每个单元光电池包括第一光电二极管（102）和隔离二极管（106）。 第一光电二极管和隔离二极管集成在半导体区域中。 隔离二极管将第一光电二极管与参考区域（152）绝缘。 第一光电二极管和隔离二极管的阴极与第一节点电连接。 第一光电二极管的阳极与第二节点电连接。
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公开(公告)号：KR1020090106849A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020080032232
申请日：2008-04-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06F3/044 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: G01R27/2605
Abstract: PURPOSE: A capacitance detecting apparatus and a capacitive sensor having the same are provided to repetitively integrate a charge amount difference, thereby accurately detecting capacitance. CONSTITUTION: Features of a capacitance detecting apparatus comprise the following. A charge amount difference between the first capacitor(1100) and the second capacitor(1200) is integrated during the first time interval. A controller(1300) preserving the integrated charge amount is included in the second time interval. The first and second capacitors respectively receive the first clock signal and the second clock signal having complementary relationship with the first clock signal.
Abstract translation: 目的：提供电容检测装置和具有该电容检测装置的电容传感器，以反复地积分电荷量差，从而精确地检测电容。 构成：电容检测装置的特征如下。 第一电容器（1100）和第二电容器（1200）之间的电荷量差在第一时间间隔期间被积分。 在第二时间间隔中包括保持积分充电量的控制器（1300）。 第一和第二电容器分别接收第一时钟信号和与第一时钟信号互补关系的第二时钟信号。
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公开(公告)号：KR101790866B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160015689
申请日：2016-02-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본실시예에의한단위셀은, 타겟(target)을검출하는센서에포함된단위셀로, 단위셀은:기판과, 기판상에형성된일 전극과, 일전극과적어도어느한 면을마주보되, 서로이격된복수의타 전극들을포함하는전극어레이및기판및 전극어레이에무작위로배치되며, 타겟과결합하는프로브(probe)를포함하며,일전극과타 전극의표면적은동일하다.
Abstract translation: 本实施方式所涉及的单位单元是包含在检测对象物的传感器中的单位单元，包括：基板;形成在所述基板上的一个电极;以及面对至少一个表面的一个电极， 它随机地排列的电极阵列和所述基板和电极阵列，包括彼此，包括间隔开的多个第二电极的：一个探针（探针），其结合到目标，所述第一电极和所述第二电极的表面积是相同的。
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公开(公告)号：KR101492861B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：KR1020130092703
申请日：2013-08-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L22/32 , B82Y15/00 , G01R27/02 , H01L21/823892 , H01L22/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L27/0629 , H01L29/0646 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 제1 타입으로 도핑된 반도체 기판; 하나 이상의 소자가 형성되며, 상기 반도체 기판의 일면으로부터 내부로 형성되는 제2 타입으로 도핑된 딥 웰(Deep Well); 상기 반도체 기판의 상기 일면의 일부에 형성되며, 상기 딥 웰 상부에 형성되는 제1 전기적 접촉; 및 상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되는 제2 전기적 접촉을 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 제1 전기적 접촉 및 상기 제2 전기적 접촉을 이용하여 전원을 입력받고, 데이터를 입출력할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：半导体衬底，其被掺杂有第一类型，深阱掺杂有第二类型，其上形成有一个或多个器件，并且由半导体衬底的一侧形成 在内部形成有形成在半导体衬底的一侧的一部分并形成在深阱的上侧的第一电接触部，以及在半导体衬底的另一侧上形成的第二电接触。 半导体器件通过使用第一电接触和第二电接触来接收电力并输入和输出数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101438726B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020120126044
申请日：2012-11-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명에 의한 적외선 검출기는 채널이 형성되는 채널 영역을 포함하는 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판 내에 일정 깊이로 형성된 게이트 리세스(gate recess), 상기 게이트 리세스 일측면에 인접하여 제1 도전형으로 도핑되어 형성된 소스, 상기 게이트 리세스 타측면에 인접하여 제2 도전형으로 도핑되어 형성된 드레인 및 상기 리세스 내에 게이트 절연막을 개재하여 형성된 게이트(gate)를 포함하여 상기 소스와 상기 채널 영역의 접합부에 입사한 적외선을 검출하는 적외선 검출기로, 게이트에 인가된 바이어스를 조절하여 검출하고자 하는 적외선의 파장을 조절한다.
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公开(公告)号：KR101394488B1
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：KR1020120109736
申请日：2012-10-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G11C11/4063 , H01L27/108
Abstract: 본 발명에 의한 다이내믹 램은 제1 전극과, 기준 전극 및 상기 제1 전극과 기준 전극사이에 위치하는 전해질을 포함하는 정보 저장 소자; 상기 정보저장소자와 일단이 연결된 패스 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 패스 트랜지스터의 턴온/턴오프(turn on/turn off)를 제어하는 워드 라인 드라이버 및 상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결된 센스 앰프를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140056423A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120118886
申请日：2012-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C5/02 , G11C5/063 , G11C11/4097
Abstract: A memory according to the present invention comprises: at least one first substrate in which unit memory arrays with unit memory cells arranged in an array, are arranged in a matrix; a second substrate which is laminated with at least one of the first substrates and includes a sense amplifier region in which sense amplifiers, detecting information stored by the memory cells, are located; and a plurality of vertical conduction traces for electrically connecting the at least one first substrate and the second substrate, wherein the sense amplifier region is disposed within a memory region of the second substrate.
Abstract translation: 根据本发明的存储器包括：至少一个第一衬底，其中以阵列布置有单位存储单元的单位存储器阵列布置成矩阵; 第二衬底，其与至少一个第一衬底层叠，并且包括读出放大器区域，读出放大器，由存储器单元存储的检测信息; 以及用于电连接所述至少一个第一衬底和所述第二衬底的多个垂直导电迹线，其中所述读出放大器区域设置在所述第二衬底的存储区域内。
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公开(公告)号：KR101287162B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020110013390
申请日：2011-02-15
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G01N27/30 , G01N27/414 , B82Y15/00
CPC classification number: B82Y15/00 , G01N27/4146 , G01N27/48 , G01R1/28 , G01R19/0084 , Y10S977/742
Abstract: 일 실시 예에 있어서, 기준 전위 조절 장치가 개시된다. 기준 전위 조절 장치는 용액의 전위를 측정하는 기준전위측정부, 상기 용액 내에 배치되고 상기 용액과의 산화환원반응을 통하여 상기 용액의 전위를 변화시키는 상대전극, 및 상기 기준전위측정부로부터 제공되는 측정전압과 기준전원으로부터 제공되는 기준전압을 서로 비교하여 상대전극과 상기 용액 사이의 반응성을 조절하는 제어신호를 발생시키는 비교기를 포함한다. 상기 기준전위측정부는 기준전극, 상기 기준전극과 이격되어 배치되는 공통전극, 및 상기 기준전극과 상기 공통전극과 접촉하며 상기 용액의 전위에 따라 전기전도도가 변화하는 적어도 하나의 나노구조물을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101270643B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020120079375
申请日：2012-07-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7311 , H01L29/66931 , H01L29/7376
Abstract: PURPOSE: A tunneling field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a current operation by using an MOS(Metal Oxide Semiconductor) process. CONSTITUTION: A semiconductor substrate has a gate recess of a preset depth. The gate(130) is formed by inserting a gate insulating layer into the gate recess. A source(140) is doped with a first conductive dopant. The depth of the source is deeper than that of the gate recess. A drain(150) is doped with a second conductive dopant.
Abstract translation: 目的：提供隧道场效应晶体管及其制造方法，以通过使用MOS（金属氧化物半导体）工艺来改善电流操作。 构成：半导体衬底具有预设深度的栅极凹槽。 栅极（130）通过将栅极绝缘层插入栅极凹部中而形成。 源极（140）掺杂有第一导电掺杂剂。 源的深度比栅极凹槽深。 漏极（150）掺杂有第二导电掺杂剂。
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