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公开(公告)号：KR1020120018585A
公开(公告)日：2012-03-05
申请号：KR1020100081517
申请日：2010-08-23
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to suppress the lattice mismatch and coefficient of thermal expansion of a material by forming a buffer layer between a nitride semiconductor and a substrate. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). An active layer(130) of a multiple quantum well is formed on the first conductive semiconductor layer. A quantum well includes at least two quantum wells comprised of InGaN between the quantum wells. A second conductive semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A first electrode(150) and a second electrode(160) are formed in the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，通过在氮化物半导体和衬底之间形成缓冲层来抑制材料的晶格失配和热膨胀系数。 构成：在基板（100）上形成第一导电半导体层（120）。 在第一导电半导体层上形成多量子阱的有源层（130）。 量子阱包括在量子阱之间由InGaN组成的至少两个量子阱。 在有源层上形成第二导电半导体层（140）。 第一电极（150）和第二电极（160）分别形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层中。
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公开(公告)号：KR101064025B1
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020100066396
申请日：2010-07-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , F21K9/00 , F21Y2115/10 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/48 , H01L2924/12041
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 발광층을 포함하고, 상기 발광층은, 상기 제2 도전형 반도체층에 인접한 제1 발광층; 상기 제1 도전형 반도체층에 인접한 제2 발광층; 및 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 게이트 양자벽;을 포함한다.-
公开(公告)号：KR102224109B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020140088826
申请日：2014-07-15
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14 , H01L33/02 , H01L33/00 , F21Y115/10
Abstract: 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층; 상기제 1 도전형반도체층상에활성층; 상기활성층상에전자차단층; 상기전자차단층상에제 2 도전형반도체층; 및상기제 1 도전형반도체층내에카본이도핑된전류확산층; 을포함하고, 상기전류확산층의두께는 0.5nm 내지 10nm 사이이고, 상기카본도핑농도는 1.0 X 1016 Atoms/cm3 내지 1.0 X 1018 Atoms/cm3 사이인것을특징으로한다. 실시예에따른발광소자는 ESD 수율이높고, 신뢰성과발광효율이향상되는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101823687B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020110087407
申请日：2011-08-30
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에전자차단층; 및상기전자차단층상에제2 도전형반도체층;을포함하며, 상기전자차단층의에너지밴드갭이상기활성층에서상기제2 도전형반도체층방향으로증가할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层; 形成在包括量子阱和量子墙的第一导电类型半导体层上的有源层; 有源层上的电子阻挡层; 以及电子阻挡层上的第二导电类型半导体层，并且可以从电子阻挡层的能带隙周期有源层向第二导电类型半导体层增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101805192B1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020110059192
申请日：2011-06-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 양자우물과양자벽을포함하여상기제1 도전형반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에전자차단층; 상기전자차단층상에제2 도전형반도체층;을포함하며, 상기전자차단층은상기양자벽의에너지밴드갭이상의제1 에너지밴드갭을가지는제1 전자차단층을포함하는 A 그룹초격자전자차단층; 및상기제1 에너지밴드갭이상의제3 에너지밴드갭을가지는제3 전자차단층을포함하는 B 그룹초격자전자차단층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括第一导电半导体层; 形成在包括量子阱和量子墙的第一导电类型半导体层上的有源层; 有源层上的电子阻挡层; 在电子阻挡层中的第二导电类型半导体层包括电子阻挡层是一组超晶格电子阻挡包括具有比所述两个壁的能带隙的第一能带隙的第一电子阻挡层 层; 以及具有大于或等于第一能带隙的第三能带隙的第三电子阻挡层。
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公开(公告)号：KR1020170105941A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160029361
申请日：2016-03-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층상에활성층과, 상기활성층상에초격자 AlGaN 계열층과, 상기초격자 AlGaN 계열층상에벌크(bulk) AlGaN 계열층과, 상기벌크 AlGaN 계열층상에제2 도전형반도체층을포함할수 있다. 상기초격자 AlGaN 계열층은상기활성층상에제2 도전형 AlGaN층(단, 0
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明器件。 根据本实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层，第一导电类型和有源层的半导体层，和所述AlGaN基有源层超晶格层，本体（本体）的AlGaN的AlGaN基基础网格层上串联 以及在块状AlGaN基层上的第二导电半导体层。 基于AlGaN的层的基础网格可以是第二导电类型的AlGaN层（其中，0
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公开(公告)号：KR101712049B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020100114334
申请日：2010-11-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/04
Abstract: 실시예는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상의적어도 2개의초격자층을포함하는초격자층그룹; 상기초격자층그룹상의활성층; 및상기활성층상의제2 도전형반도체층을포함하고, 상기각각의초격자층은서로상이한에너지밴드갭을갖는제1 층과제2 층이적어도 2회반복되고, 상기활성층에인접한초격자층의에너지밴드갭은상기제1 도전형반도체층에인접한초격자층의에너지밴드갭보다작은발광소자를제공한다.
Abstract translation: 公开了一种发光器件和具有该发光器件的照明系统。 发光器件包括第一导电型半导体层，在第一导电型半导体层上包括至少两个超晶格结构的界面层，界面层上的有源层，以及活性层上的第二导电型半导体层 层。 与有源层相邻的超晶格结构的能带隙小于与第一导电型半导体层相邻的超晶格结构的能带隙。
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公开(公告)号：KR1020160008749A
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020140088826
申请日：2014-07-15
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , F21Y2115/10 , H01L33/007 , H01L33/025
Abstract: 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층; 상기제 1 도전형반도체층상에활성층; 상기활성층상에전자차단층; 상기전자차단층상에제 2 도전형반도체층; 및상기제 1 도전형반도체층내에카본이도핑된전류확산층; 을포함하고, 상기전류확산층의두께는 0.5nm 내지 10nm 사이이고, 상기카본도핑농도는 1.0 X 10Atoms/cm내지 1.0 X 10Atoms/cm사이인것을특징으로한다. 실시예에따른발광소자는 ESD 수율이높고, 신뢰성과발광효율이향상되는장점이있다.
Abstract translation: 根据实施例的发光器件包括：第一导电类型半导体层; 在第一导电类型半导体层上的有源层; 有源层上的电子阻挡层; 电子阻挡层上的第二导电类型半导体层; 以及在第一导电型半导体层中掺杂有碳的电流扩散层。 电流扩散层的厚度为0.5nm至10nm。 碳的掺杂浓度为1.0×10 ^ 16原子/ cm 3至1.0×10 ^ 18原子/ cm 3。 根据实施例的发光器件具有高的ESD产量并且提高了可靠性和发光效率。
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公开(公告)号：KR1020150012552A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088199
申请日：2013-07-25
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/12 , H01L33/145
Abstract: A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first conductivity type semiconductor layer on the substrate, an active layer on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer on the active layer. The first conductivity type semiconductor layer includes a first layer which has an upper side with recessed first curvature parts, a second layer on the first layer, and a third layer arranged on the second layer. The first layer is doped with an impurity. The second layer is an undoped layer which is not doped with an impurity. The third layer may include InAlGaN.
Abstract translation: 根据实施例的发光器件包括衬底，衬底上的第一导电类型半导体层，第一导电类型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型半导体层。 第一导电型半导体层包括第一层，其具有上侧，具有凹陷的第一曲率部分，第一层上的第二层和布置在第二层上的第三层。 第一层掺杂有杂质。 第二层是未掺杂杂质的未掺杂层。 第三层可以包括InAlGaN。
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