公开(公告)号：KR1020080107013A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：KR1020070054762

申请日：2007-06-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  박상현

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0014 ,  B82Y40/00

Abstract: A manufacturing method of a nanostructure is provided to remove selectively only an oxide of a conductive layer formed at a lower part of a nanopore and to expose a catalyst layer for grow a bottom electrode or a nanowire using a nanopore array. A manufacturing method of a nanostructure comprises steps of: forming in order a conductive layer(13) and an anodic oxide quality layer on a substrate; anodizing the anodic oxide quality layer and forming a plurality of nanopores; exposing the oxide of the conductive layer formed between a surface of the anodic oxide quality layer and a lower part of the oxide of the conductive layer space by removing the oxide of the anodic oxide quality layer formed at the lower part of nanopore; and exposing the conductive layer at a lower part of the nanopore by removing the oxide of the exposed conductive layer.

Abstract translation: 提供了纳米结构的制造方法，以仅选择仅在纳米孔的下部形成的导电层的氧化物，并且使用纳米孔阵列暴露出用于生长底部电极或纳米线的催化剂层。 纳米结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上依次形成导电层（13）和阳极氧化物质量层; 阳极氧化阳极氧化物质量层并形成多个纳米孔; 通过去除形成在纳米孔下部的阳极氧化物质量层的氧化物，使形成在阳极氧化物质层的表面和导电层空间的氧化物的下部的导电层的氧化物暴露; 并且通过去除暴露的导电层的氧化物，在纳米孔的下部暴露导电层。

公开(公告)号：KR100727857B1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020050025209

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭

IPC: G03F7/00

Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막

公开(公告)号：KR1020060103357A

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：KR1020050025210

申请日：2005-03-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  남성욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: 본 발명은 나노 와이어 또는 나노 튜브의 선택적 성장을 위한 촉매 물질 양자점 배열 방법이다. 구체적으로는 촉매 물질의 균일한 분포를 가능하게 하기 위해 증착된 감광막을 광 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 사용하여 일정한 패턴을 형성하고, 형성한 임의의 패턴 위에 촉매 물질을 증착한 후, 일정한 온도에서 열처리를 하여 표면 응집 현상이 발생하게 함으로써 촉매 물질 원자들이 계면 에너지가 낮아지는 방향으로 확산하여 감광막 패턴의 형태에 따라 촉매 물질 양자점들을 형성한다. 이러한 방법으로 촉매물질 양자점들의 자기 조립화가 가능하며, 또한 감광막 패턴에 의하여 촉매 물질을 격리되게 하는 자기 격리화가 가능하다.
나노 와이어, 나노 튜브, 선택적 성장, 촉매물질, 양자점

公开(公告)号：KR100597014B1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020010001422

申请日：2001-01-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F7/2037 ,  H01J37/3174 ,  H01L29/04 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7613

Abstract: 본 발명은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법으로, 결정구조를 갖는 물질을 투과 전자 현미경의 챔버에 위치시키고, 전자선을 조사하고, 결정구조를 갖는 물질을 투과 및 회절된 전자 빔의 간섭을 이용하여 피조사 물질의 표면에 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지를 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성하고, 이렇게 형성된 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지로 패턴을 형성함으로써 제어가능한 방법으로 양자점을 형성할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR100584681B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040049986

申请日：2004-06-30

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  위정섭

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.
원자이미지, 다층감광막, AIPEL, 포토리소그라피, 전자빔리소그라피

公开(公告)号：KR1020060001036A

公开(公告)日：2006-01-06

申请号：KR1020040050049

申请日：2004-06-30

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범 ,  김병성

IPC: G02B21/02

CPC classification number: G02B21/02 ,  G02B21/36 ,  H01J37/26

Abstract: 본 발명은 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈의 조리개에 관한 것으로, 특히 시편에 조사된 전자빔이 시편을 통과하여 나오는 투과빔(transmitted beam)과 회절빔(diffracted beam)의 간섭에 의해 상이 형성되는 고분해능 이미지형성에 있어서의 배경잡음을 제거할 수 있는 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈 조리개의 구조에 관한 것이다.
대물렌즈 조리개, 배경잡음, 고분해능 이미지, 투과전자현미경, 전자빔 리소그라피 장치, 원자 이미지

公开(公告)号：KR1020020060380A

公开(公告)日：2002-07-18

申请号：KR1020010001422

申请日：2001-01-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기범

IPC: H01L21/263

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F7/2037 ,  H01J37/3174 ,  H01L29/04 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7613

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern using a crystal structure of a material and a functional device having the structure are provided to form the pattern of the quantum dots and the quantum lines by using the crystal structure of the material having the uniform size and density and capable of precisely controlling the distribution. CONSTITUTION: The material(13) having the crystal structure processed with a thickness of several tens nm in order to penetrate the electron beam(11) is placed on a chamber. The electron beam is divided into a penetration beam and a diffraction beam by the material having the crystal structure. The penetration beam and the diffraction beam pass through an object lens(15) and an aperture(17) of the object lens and form a lattice image of the material having the crystal structure by interfering with each other in the space. The image formed on an image plane is enlarged by a middle lens(19).

Abstract translation: 目的：提供一种使用材料的晶体结构形成图案的方法和具有该结构的功能器件的方法，通过使用具有均匀尺寸和密度的材料的晶体结构来形成量子点和量子线的图案 并能够精确控制分布。 构成：为了穿透电子束（11），具有处理数十nm厚度的晶体结构的材料（13）被放置在室上。 电子束被具有晶体结构的材料分成穿透光束和衍射光束。 穿透光束和衍射光束通过物镜的物镜（15）和孔（17），并通过在该空间中彼此干涉而形成具有晶体结构的材料的晶格图像。 形成在图像平面上的图像被中间透镜（19）放大。