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公开(公告)号：KR1020090075392A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0015 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10S977/887
Abstract: A mold for uv nano-imprint lithography and a laminated structure for thereof are provided to prevent the damage of a discharge layer in surface treatment with a piranha solution by forming the discharge layer with an oxide silicon layer. A discharge layer(520) is made of a conductive material transmitting a light formed on the transparent substrate(510). A protective layer transmits the light formed on the discharge layer and prevents the damage of the protective layer. A silicon layer(540) is formed on the protective layer. An electronic beam resist layer(550) is formed on the silicon layer, and while being made of the HSQ(hydrogen silsesquioxane).
Abstract translation: 提供了一种用于uv纳米压印光刻的模具及其层压结构，以通过用氧化硅层形成放电层来防止用食人鱼溶液进行表面处理的放电层的损坏。 放电层（520）由透射形成在透明基板（510）上的光的导电材料制成。 保护层透过形成在放电层上的光并防止保护层的损坏。 在保护层上形成硅层（540）。 在硅层上形成电子束阻挡层（550），同时由HSQ（氢倍半硅氧烷）制成。
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公开(公告)号：KR1020060103356A
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：KR1020050025209
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막-
公开(公告)号：KR100925223B1
公开(公告)日：2009-11-06
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
Abstract: UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV 나노 임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물이 개시된다. 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 투명기판, 투명기판 상에 형성된 광을 투과시키는 전도성 물질로 이루어진 방전층, 방전층 상에 형성된 광을 투과시키고 방전층의 손상을 방지하는 보호층, 보호층 상에 형성된 패터닝된 실리콘층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 방전층을 보호하는 산화실리콘층이 방전층 상에 형성되어 있어 피라나 용액으로 표면처리시에 방전층이 손상되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드는 한 번의 식각공정으로 간단하게 형성되므로 제조비용을 절감할 수 있고, 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지므로 설계대로 명확하게 패터닝을 할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100727857B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020050025209
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막-
公开(公告)号：KR100584681B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040049986
申请日：2004-06-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.
원자이미지, 다층감광막, AIPEL, 포토리소그라피, 전자빔리소그라피-
公开(公告)号：KR100907473B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070095633
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 실리사이드 나노점(silicide nanodot) 형성방법 및 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물을 개시한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법은 기판 상에 금속층과 산소를 함유하는 실리콘층으로 이루어진 계면이 적어도 하나 형성된 적층구조물을 준비하고 이 적층구조물 상에 전자빔을 조사하여 계면 상에 실리사이드 나노점을 형성하는 것이다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 기판과 기판 상에 형성된 금속층과 금속층 상에 형성된 금속층과 동종의 금속이 포함되어 있는 실리사이드 나노점을 구비한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법에 의하면, 실리사이드 나노점의 크기가 실리사이드 나노점을 둘러싸고 있는 산소를 많이 함유한 실리콘에 의해 제한되므로 균일한 형상을 갖는 10nm 이하의 나노점을 형성할 수 있다. 또한, 전자빔을 이용함으로써 손쉽게 크기와 밀도가 균일한 패터닝된 나노점 어레이를 구현할 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 금속층 상에 실리사이드 나노점이 형성되어 있어 나노와이어나 탄소 나노튜브의 촉매나 전계방출소자(field emission display, FED)의 에미션 팁(emission tip) 그리고 에칭이나 산화시에 하드마스크로서 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090030383A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070095633
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A method for formation a silicide nano-dot is provided to form the silicide nano dot less than 10nm while having uniform shape by restricting a laminated structure with a silicon having much oxide surrounding the silicide nano dot. A silicon having a metal layer and oxide is laminated on a substrate(S110). The metal layer is composed of one of Pd, Ni, Co, Ti, Ta, W, Pt, Cr, V, Zr, Hf, Nb, Fe, Ru, Rh, Re, Os, Ir and Mo. The substrate is formed by depositing a SiO2 of 1000Å thickness on the silicon wafer. The metal layer is formed by depositing Pd by 40Å thickness on the substrate. The silicide nano dot is formed by irradiating an electron beam(E-beam) in a lamination structure(S120). The silicon layer is etched by using a plasma containing oxide(S130).
Abstract translation: 提供一种形成硅化物纳米点的方法，通过用围绕硅化物纳米点的氧化物的硅限制层压结构，形成小于10nm的硅化物纳米点，同时具有均匀的形状。 将具有金属层和氧化物的硅层压在基板上（S110）。 金属层由Pd，Ni，Co，Ti，Ta，W，Pt，Cr，V，Zr，Hf，Nb，Fe，Ru，Rh，Re，Os，Ir和Mo中的一种构成。 通过在硅晶片上沉积1000埃的SiO 2。 通过在基板上沉积厚度为40埃的Pd来形成金属层。 硅化物纳米点通过在层叠结构中照射电子束（E-beam）而形成（S120）。 通过使用含有等离子体的氧化物来蚀刻硅层（S130）。
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公开(公告)号：KR1020060000986A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049986
申请日：2004-06-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7045 , G03F7/095 , G03F7/7005
Abstract: 본 발명은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.
원자이미지, 다층감광막, AIPEL, 포토리소그라피, 전자빔리소그라피Abstract translation: 本发明是使用原子图像形成原子图像投影电子束光刻的方法的模式：其通过在AIPEL过程，使用所述多层光敏膜涉及（AIPEL原子图像投影电子束光刻）技术，尤其涉及一种用于形成精细图案 。 通过顺序地通过光刻工艺将电子束施加光致抗蚀剂（电子束抗蚀剂）和精细图案（AIPEL图案）的光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）型区域和所述点的所需要的区域，例如通过选择性地形成的多层光敏膜之后 决定，因此，当使用投影系统的原子图像的电子束光致抗蚀剂的表面上，用于仅在所选择的区域和的现象揭示了前进的电子束光刻工艺，能够在期望的位置，以获得所期望的形状的最终的精细图案（AIPEL图案） 。
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