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公开(公告)号：KR1020080079059A
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020070019098
申请日：2007-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/08
CPC classification number: H04H20/31 , H04L27/2618 , H04L27/2626 , Y02D70/142 , Y02D70/168
Abstract: A digital transmission system and method capable of transmitting additional data are provided to generate a transmission signal and load a low power signal representing additional data on the transmission signal to transmit the additional data efficiently without deteriorating main data transmission quality. A digital transmission system includes a transmission signal generator(110) and an additional data processor(120). The transmission signal generator loads data to be transmitted on a carrier to generate a transmission signal. The additional data processor additionally loads a low power signal for representing additional data on the carrier. The transmission signal generator loads the data on a multi-carrier to generate an OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplex) transmission signal. The additional data processor loads the low power signal on the multi-carrier according to at least one of PN(Pseudo Noise) sequence, gold sequence and Kasami sequence.
Abstract translation: 提供能够发送附加数据的数字传输系统和方法以产生传输信号，并且在传输信号上加载表示附加数据的低功率信号，以有效地发送附加数据，而不会降低主数据传输质量。 数字传输系统包括传输信号发生器（110）和附加数据处理器（120）。 发送信号发生器加载要在载波上发送的数据以产生发送信号。 附加数据处理器另外加载用于在载体上表示附加数据的低功率信号。 传输信号发生器在多载波上加载数据以产生OFDM（正交频分复用）传输信号。 根据PN（伪噪声）序列，金序列和Kasami序列中的至少一个，附加数据处理器在多载波上加载低功率信号。
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公开(公告)号：KR1020080029060A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060094550
申请日：2006-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이준희
IPC: G03G15/14
CPC classification number: G03G15/1675 , G03G15/5029 , G03G2215/00763 , G03G2215/1614
Abstract: A media resistance correction method for transfer voltage determination and a laser printing type image forming device performing the same are provided to estimate media resistance in a rising section by using media resistance read in a non-rising section, thereby minimizing the recognition error of the media resistance even when there is an image in a printing media recognition section and preventing an improper transfer voltage from being applied to the image forming device. A media resistance correction method for transfer voltage determination comprises the following steps of: applying a voltage for media recognition and reading media resistance according to a preset reading period(S200,S210); calculating a media resistance estimation value referring to a pattern of the media resistance belonging to within a preset rising point of time from a point of time when the voltage for media recognition is applied out of the read media resistance(S220); and comparing the calculated media resistance estimation value with the media resistance reading value after the rising point of time to determine media resistance to be applied when the transfer voltage is applied to a laser printing type image forming device(S230~S260).
Abstract translation: 提供用于转印电压确定的介质电阻校正方法和执行该方法的激光打印型图像形成装置，以通过使用在非上升部分中读取的介质电阻来估计上升部分中的介质电阻，从而最小化媒体的识别误差 即使当在打印介质识别部分中存在图像并且防止不正确的转印电压被施加到图像形成装置时也是如此。 用于转印电压确定的介质电阻校正方法包括以下步骤：根据预设读取周期施加用于介质识别和读取介质电阻的电压（S200，S210）; 计算媒体电阻估计值，参考媒体电阻的图案，属于在从所读取的媒体电阻施加媒体识别电压的时间点起的预设上升时间之内（S220）; 以及将所计算的介质电阻估计值与上升时间点之后的介质电阻读取值进行比较，以确定当向激光打印型图像形成装置施加转印电压时施加的介质电阻（S230〜S260）。
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公开(公告)号：KR100816756B1
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020060102376
申请日：2006-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/0483 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/2463
Abstract: A NAND-type NVM(non-volatile memory) device is provided to prevent a well bias line and an active region connected to the well bias line from deteriorating the continuity and/or repeatability of a pattern of a NAND-type NVM device by forming a well bias line at the same interval as other peripheral interconnections and by disposing an active region electrically connected to the well bias line as the same interval as other peripheral active regions. A plurality of active regions(102) doped with dopants of a first conductivity type are arranged at regular intervals in a substrate, extended in parallel with a first direction. First and second select gate lines(110a,110b) cross parallel the active regions. A plurality of cell gate lines(110c) cross parallel the active region between the first and second select gate lines. A cell doping region doped with dopants of a second conductivity type, formed in the active region at both sides of the cell gate line. A plurality of contact plugs(180b,180d,180w) penetrate an interlayer dielectric covering the substrate to come in contact with the plurality of active regions at one side of the first select gate line, arranged at regular intervals along a second direction vertical to the first direction. A plurality of interconnections(185b,185d,185w) are arranged at regular intervals on the interlayer dielectric, running in parallel with the active regions and connected to the plurality of contact plugs. The interconnections include bitlines(185b) and one or more well bias lines(185w). The bitlines can be divided into first and second bitline groups.
Abstract translation: 提供NAND型NVM（非易失性存储器）器件以防止井偏压线和连接到阱偏压线的有源区域通过形成NAND型NVM器件的图案的连续性和/或可重复性而劣化 与其它外围互连相同间隔的阱偏压线，并且通过将与阱偏压线电连接的有源区域设置为与其它外围有源区域相同的间隔。 掺杂有第一导电类型的掺杂剂的多个有源区域（102）以规则的间隔布置在与第一方向平行延伸的衬底中。 第一和第二选择栅极线（110a，110b）平行于有源区域交叉。 多个单元栅极线（110c）平行于第一和第二选择栅极线之间的有源区域交叉。 掺杂有第二导电类型的掺杂剂的单元掺杂区，形成在单元栅极线的两侧的有源区中。 多个接触插塞（180b，180d，180w）穿透覆盖基板的层间电介质，以与第一选择栅线一侧的多个有源区接触，沿着与第 第一个方向 多个互连（185b，185d，185w）以规则的间隔布置在层间电介质上，与有源区并联连接并连接到多个接触插塞。 互连包括位线（185b）和一个或多个井偏压线（185w）。 位线可分为第一和第二位线组。
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公开(公告)号：KR100805832B1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020050100410
申请日：2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11531
Abstract: 화학기계적 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 이 방법은 정상 연마 영역 및 과연마 발생영역을 포함하는 반도체 기판 상에 연마 대상막을 형성하고, 상기 과연마 발생영역의 연마 대상막 상에 과연마 방지막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 과연마 방지막을 이용하여 과연마를 억제하며 상기 연마 대상막을 연마한다. 본 발명에 따르면 과연마 방지막을 과연마가 발생되는 영역에 형성하여 화학기계적 연마 공정에서 패턴 밀도가 낮고 패턴의 크기가 큰 영역에서 과연마가 발생하는 것을 억제한다.
화학기계적 연마, 과연마, 과연마 방지막-
公开(公告)号：KR1020070087470A
公开(公告)日：2007-08-28
申请号：KR1020060027204
申请日：2006-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L47/10 , H04B2203/5445 , H04L47/2416 , H04L47/2433 , H04L47/2458 , H04B3/54 , H04L47/748
Abstract: A method and an apparatus for transmitting data on a PLC(Power Line Communication) network after classifying the data are provided to set a data transmission order and a channel assignment order for data transmission more effectively, thereby providing graded QoS(Quality of Service) according to characteristics of the service traffic. A data transmitting method comprises: deciding a data transmission priority according to characteristics of a service traffic; and transmitting data according to the decided priority. The characteristics of the service traffic includes at least one of real time transmission of the data, error sensitivity and delay allowably degree.
Abstract translation: 提供了一种在分类数据之后在PLC（电力线通信）网络上传输数据的方法和装置，以更有效地设置用于数据传输的数据传输顺序和信道分配顺序，从而提供分级QoS（服务质量） 到服务流量的特征。 数据发送方法包括：根据业务流量的特性决定数据传输优先级; 并根据所确定的优先级发送数据。 服务流量的特征包括数据的实时传输，误差灵敏度和延迟允许程度中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100745997B1
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020040073829
申请日：2004-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 무선 네트워크간 재가입 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 무선 네트워크간 이동하는 디바이스의 재가입 과정을 간소화할 수 있는 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 무선 네트워크간 재가입 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 무선 네트워크 장치는, 소정의 디바이스로부터 재가입 요청 프레임을 수신하는 제 1프레임 송수신부와, 상기 수신된 재가입 요청 프레임으로부터 디바이스 ID를 추출하는 디바이스 ID 추출부와, 상기 추출된 디바이스 ID에 따라 재가입 요청 프레임을 송신한 디바이스의 재가입 과정을 결정하는 제 1제어부를 포함한다.
무선 네트워크, 디바이스 ID, 802.15.3-
公开(公告)号：KR100728038B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020060020639
申请日：2006-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A method and an apparatus for transmitting data on a PLC(Power Line Communication) network by aggregating the data are provided to improve data transmission efficiency by transmitting the data units as one frame after aggregating data units with various kinds and sizes. In a method for transmitting data on a PLC(Power Line Communication) network by aggregating the data, a field indicating property information of a data unit is combined to each of at least one data unit. The combined data unit and field are divided into frame blocks having an equal size. The divided frame blocks are aggregated and then are transmitted as one frame. The property information of the data unit is the kind of the data unit, and the data units are different kinds with each other.
Abstract translation: 提供了通过聚集数据在PLC（电力线通信）网络上发送数据的方法和设备，以通过在聚合具有各种类型和大小的数据单元之后将数据单元作为一个帧发送来提高数据传输效率。 在通过聚集数据在PLC（电力线通信）网络上发送数据的方法中，指示数据单元的属性信息的字段被组合到至少一个数据单元中的每一个。 组合的数据单元和字段被分成具有相同大小的帧块。 划分的帧块被聚合然后作为一个帧发送。 数据单元的属性信息是数据单元的种类，数据单元是彼此不同的种类。
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公开(公告)号：KR100669346B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050107907
申请日：2005-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L29/66825
Abstract: A nonvolatile memory device and its forming method are provided to reduce a parasitic capacitance by decreasing an overlapped area between adjacent floating gates using an improved floating gate structure with a flat plate portion and a pair of wall portions. A cell isolation layer(112') for defining an active region of a cell region is formed on a substrate(100). A floating gate(124a) is formed on the cell active region. The floating gate is composed of a lower floating gate(104a) and an upper floating gate(122a). A tunnel dielectric pattern is interposed between the floating gate and the cell active region. A control gate electrode(135a) is formed on the floating gate. A blocking dielectric pattern(127a) is interposed between the control gate electrode and the floating gate. The upper floating gate includes a flat plate portion and a pair of wall portions on the flat plate portion.
Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其形成方法，通过使用具有平板部分和一对壁部分的改进的浮动栅极结构减小相邻浮动栅极之间的重叠区域来减小寄生电容。 用于限定电池区域的有源区的电池隔离层（112'）形成在衬底（100）上。 浮动栅极（124a）形成在电池活性区域上。 浮栅由下浮置栅极（104a）和上浮栅（122a）构成。 在浮动栅极和电池有源区之间插入隧道电介质图案。 在浮栅上形成控制栅电极（135a）。 阻挡电介质图案（127a）插入在控制栅极电极和浮动栅极之间。 上浮动门包括平板部分和平板部分上的一对壁部分。
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公开(公告)号：KR100602213B1
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020040041945
申请日：2004-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/20
Abstract: 화상형성장치가 개시된다. 본 발명에 따른 화상형성장치는 감광매체에 정전잠상을 형성하기 위한 대전유닛과, 상기 감광매체에 현상액을 현상시키는 현상유닛과, 상기 감광매체에 현상된 현상액을 중간전사벨트를 통해 용지로 전사시키는 전사유닛과, 상기 현상액을 상기 용지에 정착시키는 정착유닛과, 상기 중간전사벨트와 상기 감광매체사이의 닙폭을 조절하는 닙폭조절유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 첫째, 닙폭조절유닛을 구비함로써, 중간전사벨트와 감광매체사이의 닙폭을 필요한 만큼 조절할 수 있고, 둘째, 모노화상(black)을 출력할 경우에는, 가변닙폭조절리브를 상승시켜, 중간전사벨트와 떨어지게 함으로써, 스크레치, 마찰열, 마찰대전의 발생을 방지할 수 있고, 회전토크를 감소시키고, 잔류토너에 전기적인 스트레스가 가해지는 것을 방지하며, 셋째, 잼 발생시 닙폭을 크게 하여 감광드럼상에 잔존하는 토너의 제거율을 높일 수 있다.
화상형성장치, 닙폭조절유닛, 가변닙폭조절리브, 고정닙폭유지리브Abstract translation: 公开了一种图像形成设备。 根据本发明的图像形成装置包括：用于在感光介质上形成静电潜像的充电单元，和用于显影的显影剂到感光介质，通过中间转印带转印到纸张上的感光介质上的显影的显影剂的显影单元 定影单元，用于将显影溶液固定到纸张;以及辊隙宽度调节单元，用于调节中间转印带和光敏介质之间的辊隙宽度。 根据这一点，首先，还设置有nippok控制单元，它可以被调整中间转印带与感光介质之间，以及在必要时nippok第二，当以输出单色图像（黑色），通过增加可变nippok调整肋， 由滴和中间转印带，所以能够防止刮擦，摩擦热，在摩擦带电产生的，从而降低了转动力矩和，以防止电应力被施加到剩余调色剂，而第三，主要是发生卡纸nippok滚筒 可以增加记录介质上残留的调色剂的去除速率。
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公开(公告)号：KR100574024B1
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040098458
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 화상형성장치의 폐 현상제를 배출하고 분리하는 폐 현상제 처리장치 및 처리방법이 개시된다. 개시된 폐 현상제 처리장치는, 공급된 현상액을 이용하여 화상을 형성하는 현상유닛; 상기 현상유닛의 하부에 설치되며, 상기 현상유닛으로부터 제거된 폐 현상액이 저장되는 회수통; 상기 회수통과 상기 현상유닛에 연결되며, 폐 현상액과 물의 혼합액이 통과하는 현상제 배출유로 및, 상기 현상유닛에 물을 공급하는 물 공급유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 고농도의 폐 현상제로 인하여 현상제 배출유로가 막히는 일이 적고, 장치의 보수유지도 용이하다.
폐 현상제, 현상액, 처리장치, 물 공급장치, 화상형성장치Abstract translation: 公开权利要求的废物处理设备和方法的用于分离和排出图像形成权利要求的装置的废显影剂的显影方法。 公开的废显影剂处理装置，使用显影液供给显影单元用于形成图像; 安装在所述显影单元的下部，回收管是一个废显影剂从显影单元存储移除; 耦合到通过显影单元的次数，废显影剂到显影水混合物通过排出路径和所述供水单元向显影单元供给的水;其特征在于，它包括：a。 因此，更少的IL停止的废显影剂的浓度高，由于显影剂排出路径，其也是维护该装置的容易。
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