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公开(公告)号：KR1020120132178A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110050843
申请日：2011-05-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 이태우
CPC classification number: H01M4/96 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/184 , C01B32/20 , H01M4/133 , H01M4/663 , H01M8/0213 , H01M8/0234 , H01M10/052 , Y02E10/549 , Y02E60/122 , Y02P70/521 , Y02P70/54 , Y02P70/56 , Y10T428/30
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a carbon thin film, an electronic device including the carbon thin film, and an electrochemical device including the carbon thin film are provided to simplify manufacturing processes by directly forming devices on the upper part of a carbon thin film grown on a substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of a carbon thin film includes the following steps: a precursor film(13) containing one or more of coal-tar and coal-tar pitch is formed on a substrate(11); one or more of a catalyst film between the precursor film and the substrate and a protection film(15) on the precursor film; and a carbon thin film(17) is formed on the substrate by thermally treating the substrate. [Reference numerals] (AA) Step 1A; (BB) Step 1B; (CC) Step 1C
Abstract translation: 目的：提供碳薄膜的制造方法，包括碳薄膜的电子装置和包括碳薄膜的电化学装置，以通过在生长在碳薄膜上的碳薄膜的上部直接形成装置来简化制造工艺 底物。 构成：碳薄膜的制造方法包括以下步骤：在基材（11）上形成含有煤焦油和煤焦油沥青中的一种或多种的前体膜（13）。 在前体膜和衬底之间的一种或多种催化剂膜和在前体膜上的保护膜（15）; 并且通过对衬底进行热处理在衬底上形成碳薄膜（17）。 （附图标记）（AA）步骤1A; （BB）步骤1B; （CC）步骤1C
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42.发明公开미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 有权用于形成微尺度和纳米尺度图案的方法和用于生产微尺寸和纳米尺度的通道晶体管的方法，以及使用其的微米和纳米尺度的通道发光晶体管
公开(公告)号：KR1020120037882A
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020110100763
申请日：2011-10-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0005 , B81C1/00031 , G03F7/164 , H01L51/0016 , H01L51/0023 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/428 , H01L51/5296 , Y02E10/549 , B82B3/0009 , H01L21/0274 , H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern, a minute channel transistor using the same, and a method for forming a minute channel emission transistor are provided to manufacture a minute channel transistor device with high performance by using an organic wire or organic/inorganic hybrid wire as a patterning mask. CONSTITUTION: A solution storage unit(10) stores organic solutions. A discharging control unit(20) discharges the organic solutions through a nozzle(30) with a fixed speed. A voltage applying unit(40) applies a high voltage to the nozzle. A robot stage(60) moves a collector(50). A micro distance controller(70) controls a distance between the nozzle and the collector.
Abstract translation: 目的：提供一种形成精细图案的方法，使用其的微通道晶体管和用于形成微通道发射晶体管的方法，以通过使用有机线或有机/无机混合物制造具有高性能的微通道晶体管器件 线作为图案掩模。 构成：解决方案存储单元（10）存储有机溶液。 排出控制单元（20）以固定速度通过喷嘴（30）排出有机溶液。 电压施加单元（40）向喷嘴施加高电压。 机器人台（60）移动收集器（50）。 微距离控制器（70）控制喷嘴和收集器之间的距离。
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公开(公告)号：KR101794735B1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020160010807
申请日：2016-01-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/0077 , H01L51/0021 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/5012 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56
Abstract: 금속할라이드페로브스카이트발광소자및 이의제조방법을제공한다. 금속할라이드페로브스카이트발광소자는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기제1 전극상에위치하되, 금속할라이드페로브스카이트물질을포함하는발광층및 상기발광층상에위치하는제2 전극을포함하고, 상기제1 전극은도전층및 상기도전층상에위치하는표면에너지-제어층을포함하고, 상기도전층은전도성고분자및 제1 불소계물질을포함하고, 상기표면에너지-제어층은제2 불소계물질을포함하되상기전도성고분자는비포함하는것을특징으로한다. 따라서, 제1 전극은일함수조절을통해금속할라이드페로브스카이발광층과옴 접촉을이루게하며, 엑시톤해리를막아발광효율을증가시킴으로써, 발광소자의효율을효과적으로향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101746295B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150156170
申请日：2015-11-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: C09K11/06 , C09K11/025 , C09K11/664 , C09K2211/188 , H01G9/2059 , H01L51/0003 , H01L51/0026 , H01L51/0047 , H01L51/005 , H01L51/0077 , H01L51/422 , H01L51/4253 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L51/56 , H01L2251/5346
Abstract: 그래디언트구조의유무기하이브리드페로브스카이트나노결정입자발광체, 이의제조방법및 이를이용한발광소자를제공한다. 그래디언트구조의유무기하이브리드페로브스카이트나노결정입자발광체는유기용매에분산이가능한유무기하이브리드페로브스카이트나노결정을포함하고, 상기나노결정은중심에서외부방향으로갈수록조성이변하는그래디언트조성을갖는다. 따라서, 나노결정내의점진적인함량변화는나노결정내의분율을균일하게조절하고, 표면산화를줄여내부에다량존재하는페로브스카이트안에서의엑시톤구속 (exciton confinement)를향상시켜발광효율을증가시킬뿐만아니라내구성-안정성도증가시킬수 있다.
Abstract translation: 提供具有梯度结构的杂化有机钙钛矿纳米晶粒子发射体，其制造方法以及使用其的发光装置。 梯度结构的粒子的发光体的有机 - 无机混合钙钛矿的纳米晶体能够分散在有机溶剂中或无混合钙钛矿含有纳米晶体的基团，所述纳米晶体具有中心向外朝向组成变化的梯度组成 。 因此，在纳米晶体的逐渐变化的内容，以及以提高发光效率和均匀地控制在纳米晶体的级分，位内提高结合的钙钛矿激子（激发子限制），以通过减少其中的表面氧化大量存在 耐用性 - 也可以增加稳定性。
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公开(公告)号：KR101746336B1
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020160037534
申请日：2016-03-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: C09K11/00 , B82Y20/00 , C09K11/06 , C09K11/08 , H01L31/036 , H01L51/502
Abstract: 금속할라이드페로브스카이트나노결정입자크기조절방법및 이를이용한광전자소자를제공한다. 금속할라이드페로브스카이트나노결정입자크기조절방법은제1유기용매에금속할라이드페로브스카이트가녹아있는제1 용액및 제2유기용매에계면활성제가녹아있는제2 용액을준비하는단계및 상기제1 용액을상기제2 용액에섞어금속할라이드페로브스카이트나노결정입자를형성하는단계를포함하고, 상기계면활성제는아민리간드및 카르복실산을포함하고, 상기아민리간드의종류에따라상기형성되는페로브스카이트나노결정입자의크기를조절하는것을특징으로한다. 따라서, 나노결정입자의크기에따라밴드갭과엑시톤바인딩에너지를조절할수 있다.
Abstract translation: 提供金属卤化物钙钛矿纳米晶体粒度控制方法和使用其的光电子器件。 金属卤化物钙钛矿纳米晶粒尺寸控制方法，包括制备其中的表面活性剂溶于第一溶液和在第一有机溶剂中金属卤化物的钙钛矿第二有机溶剂的第二溶液的步骤中熔化，并且 混合金属卤化物的钙钛矿形成纳米晶粒的第二溶液，其中所述表面活性剂是按照胺配体的种类形成第一溶液，和包括胺的配体，和羧酸 并且钙钛矿纳米晶颗粒的尺寸受到控制。 因此，可以根据纳米晶颗粒的尺寸来控制带隙和激子结合能。
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Patent Agency Ranking46.发明授权퀜처 제거를 통한 엑시톤 소멸 방지 공정을 이용한 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 및 이의 제조방법 有权混合钙钛矿发光二极管及使用有机薄膜去除工艺制造混合钙钛矿发光二极管的方法
公开(公告)号：KR101729390B1
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020150058867
申请日：2015-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L51/50 , H01L21/316 , H01L51/52 , H01L31/0256
Abstract: 본발명은 ?처제거를통한엑시톤소멸방지공정을이용한유무기하이브리드페로브스카이트발광다이오드및 이의제조방법을제공한다. 본발명에따른유무기하이브리드페로브스카이트발광다이오드는유무기하이브리드페로브스카이트발광층을포함하고, 상기유무기하이브리드페로브스카이트는 ABX, ABX, ABX또는 ABX의구조를포함하고, 상기 ABX, ABX, ABX또는 ABX의구조의화학식량적비율에비하여 A가 2% 내지 20% 과량으로함유함으로써, 페로브스카이트결정구조를바꾸지않으면서금속성납 원자를없앨수 있어엑시톤 ?칭을방지하여, 박막의균일도, 발광효율및 휘도가향상된유무기하이브리드페로브스카이트발광다이오드및 이의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 使用激子衰变防止处理由混合处理本发明？无机删除页面叶提供天空位的发光二极管和方法。 根据本发明的有机 - 无机混合钙钛矿的发光二极管，有机 - 无机混合椒叶包括天际线位发光层，所述有机 - 无机混合钙钛矿teuneun包括ABX，ABX，ABX或ABX中，ABX的结构， 和从2％到防止由一个含有过量20％，钙钛矿在不改变晶体结构的激子的摆脱金属铅原子的？清比ABX，ABX或ABX uigu条式重量百分比过，该膜的 具有改善的均匀性，发光效率和亮度的混合有机钙钛矿发光二极管及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020160150274A
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150114533
申请日：2015-08-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 금속나노선전극어레이제조방법을제공한다. 금속나노선전극어레이제조방법은금속전구체/금속산화물전구체/유기고분자복합프린팅용액을준비하는단계, 금속전구체/금속산화물전구체/유기고분자복합나노선패턴을제조하는단계, 및고분자제거및 금속전구체/금속산화물전구체환원단계를포함한다. 따라서, 프린팅용액의금속산화물전구체의조성조절을통해일함수가제어되고대면적으로정렬된금속나노선전극어레이를제조할수 있다. 따라서, 일함수제어가가능한금속나노선전극을이용하면대면적의고집적전자소자를공정단계와시간, 비용의측면에서매우효율적으로제작할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160149962A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020150117193
申请日：2015-08-20
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 금속나노선패턴제조방법을제공한다. 금속나노선패턴제조방법은전기장보조로보틱노즐프린터를이용하여제작된유기나노선을템플릿으로사용하여, 이위에금속층을도금함으로써, 금속나노선을원하는모양으로형성하는방법이다. 따라서, 금속나노선을다양한패턴으로대면적에서형성하고, 이를전극이나전자소자에적용할수 있다.
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49.发明公开
公开(公告)号：KR1020160055092A
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020150156175
申请日：2015-11-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/0077 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/665 , C09K2211/10 , C09K2211/188 , H01G9/2059 , H01L51/0007 , H01L51/0037 , H01L51/426 , H01L51/502 , H01L51/5032 , Y10S977/774 , Y10S977/812 , Y10S977/892 , Y10S977/948 , Y10S977/95
Abstract: 코어-쉘구조의페로브스카이트나노결정입자발광체, 이의제조방법및 이를이용한발광소자를제공한다. 코어-쉘구조의유무기하이브리드페로브스카이트나노결정입자발광체또는금속할라이드페로브스카이트나노결정입자발광체는유기용매에분산이가능하면서페로브스카이트나노결정구조를포함하고, 코어-쉘구조의나노결정입자구조를가진다. 따라서, 본발명에따른페로브스카이트나노결정입자발광체는코어보다밴드갭이큰 물질로쉘을형성함으로써엑시톤이코어에좀더잘 구속되도록하고, 공기중에안정한페로브스카이트혹은무기반도체혹은유기고분자를사용하여코어페로브스카이트가공기중에노출되지않도록하여나노결정의내구성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光材料，其包括具有核 - 壳结构的钙钛矿型纳米晶粒，其制备方法以及使用其的电致发光元件。 包括有机/无机混合钙钛矿纳米晶体颗粒或金属卤化物钙钛矿纳米晶粒子的发光材料可以分散在有机溶剂中，包括钙钛矿纳米晶体结构并具有核 - 壳结构的纳米晶体结构。 因此，在根据本发明的包括钙钛矿纳米晶粒子的发光材料中，通过使用具有比芯更大的带隙的材料形成壳体，以便于将芯体中的烧结体限制，并且钙钛矿或无机半导体或 空气中稳定的有机聚合物用于防止核心钙钛矿暴露于空气中，从而提高纳米晶体的耐久性。
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公开(公告)号：KR101585767B1
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140054638
申请日：2014-05-08
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은그래핀박막의제조방법및 이를이용하여제조된그래핀박막등에관한것으로, 보다상세하게는제 1 기판상에콜타르(coal tar) 및콜타르피치(coal tar pitch) 중하나이상을포함한전구체막을형성하는단계; 상기전구체막상에촉매층을형성하는단계; 및촉매층이형성된제 1 기판을비활성기체분위기하에서열처리후 냉각하여상기촉매층상에그래핀박막을형성하는단계를포함하는그래핀박막의제조방법, 이로부터제조된그래핀박막및 이와같은그래핀박막을포함하는소자에관한것이다.
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