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公开(公告)号：KR101554658B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020130074055
申请日：2013-06-26
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지에서의투명전극의제조방법에있어서, 버퍼층(400)위에투명전극(500)을형성시키는단계(s1000); 상기투명전극(500) 위에전도성고분자무반사코팅층(510)을형성시키는단계(s2000); 를포함하는것을특징으로하여, 태양광의반사를억제하고, 태양광의광흡수층내에서의광경로를증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.
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公开(公告)号：KR101508132B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020120151848
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서 Chelating Agent가첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과 complex를형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.
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公开(公告)号：KR101503043B1
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020140044484
申请日：2014-04-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/208 , H01L31/032 , H01L31/04 , Y02E10/52
Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).
Abstract translation: 薄膜太阳能电池技术领域本发明涉及薄膜太阳能电池，具体地说涉及一种具有含有Ib族元素，VIa族元素和Va族元素的光吸收层的薄膜的制造方法。 和使用其的薄膜太阳能电池。 本发明提供一种太阳能电池的透明电极的制造方法，特别是制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，包括：基板（100）; 形成在所述基板上的背面电极层（200） 形成在背面电极层（200）上的光吸收层（300）; 形成在所述光吸收层上的缓冲层（400） 和形成在缓冲层（400）上的透明电极层（500）。 制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：制备Ib族元素的二元纳米颗粒 - 族VIa元素（s100）; 将包含Va族元素的溶剂，粘合剂和溶液前体加入到组Ib元素的二元纳米颗粒 - 组VIa元素中，以制备Ib族元素 - 组VIa元素（s200）的二元纳米颗粒浆料; 分散和混合组Ib元素的二元纳米颗粒浆料 - 组VIa元素（s300）; 涂覆Ib族元素的二元纳米颗粒浆料 - 背面电极层（200）上的VIa族元素（s400）; 并在提供VIa族元素的同时对涂覆的纳米颗粒浆料进行热处理（s500）。
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公开(公告)号：KR1020150006926A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080222
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , G02B6/1226 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 광산란용 금속 나노구조층이 형성된 투명전극을 갖는 CIGS 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 태양전지에서의 투명전극의 제조방법에 있어서, 버퍼층(400)위에 투명전극층(500)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 투명전극층(500) 위에 광산란용 금속 나노구조층(510)을 형성시키는 단계(s2000)를 포함하는 것을 특징으로 하여, 태양광의 광경로를 증가시켜 광포획 성능을 개선시킴으로써 광-전기 변환의 효율을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有用于散射光的金属纳米结构层的透明电极及其制造方法的CIGS薄膜太阳能电池。 根据本发明，太阳能电池中的透明电极的制造方法包括：在缓冲层（400）上形成透明电极层（500）的工序（s1000）。 以及形成用于在透明电极层（500）上散射光的金属纳米结构层（510）的步骤（s2000）。 太阳光的光路可以增加以提高光捕获性能，从而最大化光电转换效率。
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公开(公告)号：KR1020140146693A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130068920
申请日：2013-06-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a transparent conductive layer of a solar cell and, more particularly, to the improvement of a transparent conductive layer capable of improving light capturing performance. The present invention is the transparent conductive layer which is used for a front electrode, a rear reflection layer, or a front antireflection layer of the solar cell. The present invention provides the transparent conductive layer of a dual structure which includes a light transmitting layer (100) and a light capturing layer (200). One side of the light capturing layer (200) is in contact with the light transmitting layer (100) and a surface texture structure is formed on the other side of the light capturing layer (200). The electric conductivity (A) of the light transmitting layer (100) and the electric conductivity (a) of the light capturing layer (200) satisfy A>a. The etching property (B) of the light transmitting layer (100) and the etching property (b) of the light capturing layer (200) satisfy B>b. The light transmitting layer (100) is an indium tin oxide (ITO) layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的透明导电层，更具体地说，涉及能够提高光捕获性能的透明导电层的改进。 本发明是用于太阳能电池的前电极，后反射层或前防反射层的透明导电层。 本发明提供一种双重结构的透明导电层，其包括透光层（100）和光捕获层（200）。 光捕获层（200）的一侧与透光层（100）接触，并且在光捕获层（200）的另一侧上形成表面纹理结构。 透光层（100）的导电率（A）和光捕获层（200）的导电率（a）满足A> a。 透光层（100）的蚀刻性（B）和光捕获层（200）的蚀刻性能（b）满足B> b。 透光层（100）是氧化铟锡（ITO）层。
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公开(公告)号：KR1020140120961A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130036156
申请日：2013-04-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다.
이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.Abstract translation: 本发明涉及一种在太阳能电池中使用的CI（G）S系薄膜的制造工序中提高硒化工序的效率的方法，更具体地说，涉及一种可以通过以下方法实现高压硒化： 将CI（G）S基前体薄膜插入到某个容器或室中，将硒（Se）注入容器或室中，并提高温度进行硒化。 该方法可以通过增加某些容器或室内硒（Se）的分压来降低高压硒化硒（Se）的量，提高硒化效率，减少热处理时间 。 为了达到此目的，使CI（G）S系前体薄膜与室之间的间隙为6〜20mm， 硒（Se）注入室内; 并且通过使用放置在室的一个内侧或内部前部的加热单元来进行温度来进行硒化的热处理。
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公开(公告)号：KR1020140120414A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130035753
申请日：2013-04-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0445 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 황동광계 태양전지의 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 황동광계 화합물의 전구체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막에 빛을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 황동광계 화합물 전구체가 빛 에너지를 흡수하여 결정화가 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 열에 의해서 기판이 손상되는 문제없이 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 몰리브덴 후면전극이 가열되어 MoSe
2 가 형성되는 문제가 없다.
나아가, 박막에 깊이 침투하는 장파장 범위의 빛을 먼저 조사하고 얕게 침투하는 단파장 범위의 빛을 나중에 조사함으로써, 아래쪽에서부터 순차적으로 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种形成基于黄铜矿的太阳能电池的光吸收层的方法，包括以下步骤：形成包含黄铜矿基化合物的前体的薄膜; 并用光照射薄膜，其中基于黄铜矿的化合物的前体吸收光能以使其结晶。 在本发明中，由于在不施加热量的情况下，在形成基于黄铜矿的光吸收层的过程中使用光，所以可以形成基于黄铜矿的光吸收层，而不会由于热而损坏基板。 此外，由于在不施加热量的情况下使用形成基于黄铜矿的光吸收层的光，因此不会产生后钼电极被加热以形成MoSe_2的问题。 此外，由于首先辐射具有深度渗透到薄膜的长波长范围的光，并且稍后辐射具有薄薄的薄膜的短波长范围的光，因此能够依次形成黄铜矿型光吸收层 从底部。
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公开(公告)号：KR101406704B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020130042782
申请日：2013-04-18
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a quality CZTSe light absorption thin film based on a simultaneous vacuum evaporation process. The method includes: (a) a step of depositing Cu, Zn, Sn, and Se onto a substrate by evaporating the same simultaneously; and (b) a step of lowering the temperature of the substrate and depositing Zn, Sn, and Se by evaporating the same simultaneously. By performing a simultaneous vacuum evaporation process and then performing an additional evaporation process while lowering the temperature of the substrate, the present invention is able to resolve the problems due to the loss of Sn accompanied in a high-temperature simultaneous vacuum evaporation process. A CZTSe light absorption thin film manufactured by the manufacturing method given in the present invention has excellent membranous property so that a CZTSe solar cell manufactured using the same is able to have improved photoelectric conversion efficiency.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于同时真空蒸镀工艺制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括：（a）通过同时蒸发将Cu，Zn，Sn和Se沉积到衬底上的步骤; 和（b）降低衬底温度并同时蒸发Zn，Sn和Se的步骤。 通过同时进行真空蒸发处理，然后在降低基板的温度的同时进行额外的蒸发处理，本发明能够解决由于伴随着高温同时真空蒸发处理而引起的Sn的损失的问题。 通过本发明的制造方法制造的CZTSe光吸收薄膜具有优异的膜性质，因此使用其制造的CZTSe太阳能电池能够提高光电转换效率。
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50.发明授权탄소층이 감소한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 有权具有降低碳层的CI（G）S基薄膜的制备方法，由其制备的基于CI（G）S的薄膜和包括其的太阳能电池
公开(公告)号：KR101388451B1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120087925
申请日：2012-08-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.
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