Abstract:
태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서 Chelating Agent가첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과 complex를형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).
Abstract:
본 발명은 광산란용 금속 나노구조층이 형성된 투명전극을 갖는 CIGS 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 태양전지에서의 투명전극의 제조방법에 있어서, 버퍼층(400)위에 투명전극층(500)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 투명전극층(500) 위에 광산란용 금속 나노구조층(510)을 형성시키는 단계(s2000)를 포함하는 것을 특징으로 하여, 태양광의 광경로를 증가시켜 광포획 성능을 개선시킴으로써 광-전기 변환의 효율을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.
Abstract:
The present invention relates to a transparent conductive layer of a solar cell and, more particularly, to the improvement of a transparent conductive layer capable of improving light capturing performance. The present invention is the transparent conductive layer which is used for a front electrode, a rear reflection layer, or a front antireflection layer of the solar cell. The present invention provides the transparent conductive layer of a dual structure which includes a light transmitting layer (100) and a light capturing layer (200). One side of the light capturing layer (200) is in contact with the light transmitting layer (100) and a surface texture structure is formed on the other side of the light capturing layer (200). The electric conductivity (A) of the light transmitting layer (100) and the electric conductivity (a) of the light capturing layer (200) satisfy A>a. The etching property (B) of the light transmitting layer (100) and the etching property (b) of the light capturing layer (200) satisfy B>b. The light transmitting layer (100) is an indium tin oxide (ITO) layer.
Abstract:
태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Abstract:
본 발명은 황동광계 태양전지의 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 황동광계 화합물의 전구체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막에 빛을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 황동광계 화합물 전구체가 빛 에너지를 흡수하여 결정화가 진행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 열에 의해서 기판이 손상되는 문제없이 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 몰리브덴 후면전극이 가열되어 MoSe 2 가 형성되는 문제가 없다. 나아가, 박막에 깊이 침투하는 장파장 범위의 빛을 먼저 조사하고 얕게 침투하는 단파장 범위의 빛을 나중에 조사함으로써, 아래쪽에서부터 순차적으로 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
The present invention relates to a method of manufacturing a quality CZTSe light absorption thin film based on a simultaneous vacuum evaporation process. The method includes: (a) a step of depositing Cu, Zn, Sn, and Se onto a substrate by evaporating the same simultaneously; and (b) a step of lowering the temperature of the substrate and depositing Zn, Sn, and Se by evaporating the same simultaneously. By performing a simultaneous vacuum evaporation process and then performing an additional evaporation process while lowering the temperature of the substrate, the present invention is able to resolve the problems due to the loss of Sn accompanied in a high-temperature simultaneous vacuum evaporation process. A CZTSe light absorption thin film manufactured by the manufacturing method given in the present invention has excellent membranous property so that a CZTSe solar cell manufactured using the same is able to have improved photoelectric conversion efficiency.
Abstract:
본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.