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41.发明公开가돌리늄막을 가진 ｐＭＯＳＦＥＴ센서와 ｐＭＯＳＦＥＴ센서 및 감산기를 사용하여 감마선／열중성자를 동시에 검출하는 실시간 전자적 선량계 및 그 검출방법 失效具有金属膜的P-MOSFET传感器，用于通过使用P-MOSFET传感器和分离器同时检测伽马射线/热中子的电子计量器及其检测方法
公开(公告)号：KR1020030046948A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010077287
申请日：2001-12-07
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: G01T1/02
Abstract: PURPOSE: A p-MOSFET sensor, an electronic dosimeter, and a detecting method thereof are provided to simultaneously detect gamma-ray and a thermal neutron in real time by using the p-MOSFET sensor and a subtracter. CONSTITUTION: A gamma-ray and thermal neutron detecting apparatus includes a p-MOSFET sensor(2) consisting of a first p-MOSFET assembly equipped with a p-MOSFET chip and a Gd+p-MOSFET sensor(1) consisting of a second p-MOSFET assembly equipped with a p-MOSFET chip and a p-MOSFET protecting cap installed on the p-MOSFET chip. The p-MOSFET protecting cap is coated with a gadolinium layer. A subtracter(3) is provided to subtract gamma-dose of the p-MOSFET sensor(2) from gamma-dose of the Gd+p-MOSFET sensor(1). A thermal neutron dose displaying section(4) is provided to display an amount of radiation generated from the subtracter(3). A gamma-ray dosimeter(5) is provided to display gamma-ray dose detected from the p-MOSFET sensor(2).
Abstract translation: 目的：提供p-MOSFET传感器，电子剂量计及其检测方法，通过使用p-MOSFET传感器和减法器来实时地同时检测伽马射线和热中子。 构成：伽马射线和热中子检测装置包括由配备有p-MOSFET芯片的第一p-MOSFET组件和由第二个p-MOSFET芯片组成的Gd + p-MOSFET传感器（1）组成的p-MOSFET传感器（2） p-MOSFET组件配有p-MOSFET芯片和安装在p-MOSFET芯片上的p-MOSFET保护帽。 p-MOSFET保护盖涂有钆层。 提供减法器（3）以从γ+剂量的Gd + p-MOSFET传感器（1）中减去p-MOSFET传感器（2）的伽马剂量。 提供热中子剂量显示部分（4）以显示从减法器（3）产生的辐射量。 提供伽马射线剂量计（5）以显示从p-MOSFET传感器（2）检测的伽马射线剂量。
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42.实用新型
公开(公告)号：KR200268397Y1
公开(公告)日：2002-03-16
申请号：KR2020010037823
申请日：2001-12-07
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: G01T1/02
Abstract: 본 고안은 pMOSFET과 Gd(Gadolinium)로 이루어진 열중성자 탐지소자를 이용한 실시간 전자적 열중성자 선량계에 관한 것으로, 그 목적은 열중성자를 실시간으로 감지할 수 있는 소형의 전자적 선량계를 제공하는데 있다.
본 고안의 구성은 열중성자를 검출하는 선량계에 있어서, 산화층인 pMOSFET 칩(p-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, 3)이 장착된 pMOSFET 어셈블리(4)와, 이 pMOSFET 칩(3)의 상부에 장치되며 내부에 핵반응막인 가돌리늄(Gd, 2)층이 코팅된 pMOSFET 보호 캡(1)으로 구성된 것을 특징으로 하는 pMOSFET과 가돌리늄(Gd)으로 이루어진 열중성자 탐지소자를 이용한 실시간 전자적 열중성자 선량계를 본 고안의 요지로 한다.-
公开(公告)号：KR200262994Y1
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：KR2020010023400
申请日：2001-08-01
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: G01T7/12
Abstract: 본 고안은 방사선 감지장치에 관한 것으로, 그 목적은 부가적인 전원장치 없이 방사선의 발생될 경우, 자동으로 이를 감지·경고하여 실험자 또는 작업자를 보호하고, 안정성을 확보할 수 있는 방사선 감지장치를 제공함에 있다.
본 고안은 발생되는 방사선을 감지하여 이를 방사선 발생지역 외부로 알려주는 방사선 감지장치에 있어서; 상기 방사선 감지장치는 방사선 발생지역내에 하나 이상의 포토 다이오드를 병렬·연결하고, 상기 포토 다이오드에 연결되도록 방사선 발생지역 외부에 LED를 설치하여, 방사선에 의해 발생되는 포토다이오드내의 광전류에 의해 외부에 설치된 LED가 점등되는 방사선 감지장치를 제공함에 있다.-
公开(公告)号：KR102238765B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190129411
申请日：2019-10-17
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 본발명은가변형게이트구조의내방사선모스펫에관한것이다. 가변형게이트구조의내방사선모스펫에있어서, 소스영역과드레인영역사이에배치되는제1 게이트, 제1 게이트의일측면에일방향으로연결되는제2 게이트와제2 게이트길이에대응하여형성된 P+ 레이어그리고제2 게이트와 P+ 레이어상에형성된 P-액티브레이어로구성된제1 레이어세트, 그리고제1 게이트의타측면에일방향으로연결되는제3 게이트와제3게이트길이에대응하여형성된 P+ 레이어그리고제3 게이트와상기 P+ 레이어상에형성된 P-액티브레이어로구성된제2 레이어세트를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101993596B1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：KR1020170143481
申请日：2017-10-31
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/772 , H01L29/423 , H01L29/417
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公开(公告)号：KR1020160110683A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033402
申请日：2015-03-10
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L27/04 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/04 , H01L27/14659
Abstract: 본발명의일 실시에에따른집적회로소자의내방사선특성개선장치는누적감마선피폭에의해기능이상실된비정상집적회로소자에전류를인가하는전원공급부, 정상집적회로소자를촬영하는촬영부및 촬영부에서촬영한영상으로부터비정상집적회로소자의전체영역중 열반응이발생한핫스팟영역의이미지를추출하는이미지추출부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，一种用于提高集成电路元件的耐辐射性的装置包括：电源单元，用于向通过暴露累积伽马射线而被禁用的异常集成电路施加电流; 用于拍摄正常集成电路元件的拍摄单元; 以及图像提取单元，用于从由拍摄单元拍摄的图像中提取异常集成电路元件的整个区域产生热反应的热点区域的图像。
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公开(公告)号：KR101490178B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020130112005
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01T1/1606 , G01T1/17
Abstract: 본 발명은 수소 및 방사선 통합 센서 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 수소 및 방사선 통합 센서 시스템은, 수소를 감지하는 수소 검출 센서; 누적 방사선 량을 측정하는 방사선 측정 센서; 상기 수소 농도 측정 및 상기 누적 방사선 량의 온도 보상에 이용되는 출력 값을 산출하는 온도 보상 센서; 및 상기 수소 검출 센서, 방사선 측정 센서 및 온도 보상 센서에 대한 신호를 기초로 상기 수소 검출 센서, 방사선 측정 센서 및 온도 보상 센서를 제어하는 신호처리 장치;를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及氢和辐射的集成传感器系统。 根据本发明的实施例，氢和辐射的集成传感器系统包括：氢检测传感器，其检测氢; 测量累积辐射量的辐射测量传感器; 温度补偿传感器，其计算在所述温度补偿中使用的累积辐射量的输出值; 以及基于氢检测传感器，辐射测量传感器和温度补偿传感器的信号来控制氢气检测传感器，辐射测量传感器和温度补偿传感器的信号处理装置。 因此，能够进行氢检测功能和放射线检测功能。
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公开(公告)号：KR101456375B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130043066
申请日：2013-04-18
Applicant: 한국원자력연구원 , 한국수력원자력 주식회사
Abstract: 본 발명은 내방사선 센싱장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센서의 정전용량의 변화에 의하여 고정주파수의 트리거 입력신호의 펄스 폭을 가변함으로써 센서의 정전용량의 변화에 비례하도록 펄스 폭을 가변하고, 고준위 방사선환경에 있어서 내방사선 성능을 향상시킬 수 있는 내방사선 센싱장치에 관한 것이다.
본 발명은 내방사선 센싱장치에 있어서, 고정주파수의 트리거 입력신호를 입력받는 기준신호입력부와, 정전용량의 변화에 따라 상기 고정주파수의 트리거 입력신호의 펄스 폭을 가변하는 센서부와, 상기 기준신호입력부가 입력받은 신호를 전달받아 온(on) 동작하여 상기 센서부의 전하를 방전하는 센서방전부 및 상기 센서방전부에 의하여 상기 센서부가 방전되는 경우 온(on) 동작하여 상기 센서부에 전하를 충전하는 센서충전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내방사선 센싱장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020140125200A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130043066
申请日：2013-04-18
Applicant: 한국원자력연구원 , 한국수력원자력 주식회사
Abstract: 본 발명은 내방사선 센싱장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센서의 정전용량의 변화에 의하여 고정주파수의 트리거 입력신호의 펄스 폭을 가변함으로써 센서의 정전용량의 변화에 비례하도록 펄스 폭을 가변하고, 고준위 방사선환경에 있어서 내방사선 성능을 향상시킬 수 있는 내방사선 센싱장치에 관한 것이다.
본 발명은 내방사선 센싱장치에 있어서, 고정주파수의 트리거 입력신호를 입력받는 기준신호입력부와, 정전용량의 변화에 따라 상기 고정주파수의 트리거 입력신호의 펄스 폭을 가변하는 센서부와, 상기 기준신호입력부가 입력받은 신호를 전달받아 온(on) 동작하여 상기 센서부의 전하를 방전하는 센서방전부 및 상기 센서방전부에 의하여 상기 센서부가 방전되는 경우 온(on) 동작하여 상기 센서부에 전하를 충전하는 센서충전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내방사선 센싱장치를 제공한다.Abstract translation: 本发明涉及一种辐射耐受感测装置，更具体地，涉及一种辐射耐受感测装置，其可以通过改变固定的触发输入信号的脉冲宽度来改变与传感器的电容变化成比例的脉冲宽度 频率随传感器电容的变化而变化，并能提高辐射耐受性能的高级辐射环境。 本发明的辐射耐受感测装置包括：参考信号输入单元，用于接收固定频率的触发输入信号; 传感器单元，用于根据电容的变化改变固定频率的触发输入信号的脉冲宽度; 传感器放电单元通过接收由参考信号输入单元接收的信号而导通，并且传送单元的电荷; 以及传感器充电单元，当传感器单元被传感器放电单元排出时，该传感器充电单元接通，并且对该传感器单元进行充电。
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