KR102238765B1 - Radiation-tolerant mosfet with variable gate structure

    公开(公告)号:KR102238765B1

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:KR1020190129411A

    申请日:2019-10-17

    CPC classification number: H01L29/772 H01L21/8238 H01L29/42312

    Abstract: 본 발명은 가변형 게이트 구조의 내방사선 모스펫에 관한 것이다. 가변형 게이트 구조의 내방사선 모스펫에 있어서, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치되는 제1 게이트, 제1 게이트의 일측면에 일방향으로 연결되는 제2 게이트와 제2 게이트 길이에 대응하여 형성된 P+ 레이어 그리고 제2 게이트와 P+ 레이어 상에 형성된 P-액티브 레이어로 구성된 제1 레이어 세트, 그리고 제1 게이트의 타측면에 일방향으로 연결되는 제3 게이트와 제3게이트 길이에 대응하여 형성된 P+ 레이어 그리고 제3 게이트와 상기 P+ 레이어 상에 형성된 P-액티브 레이어로 구성된 제2 레이어 세트를 포함한다.

    방사선 검출소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2023277621A1

    公开(公告)日:2023-01-05

    申请号:PCT/KR2022/009451

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 본 발명은 방사선 검출소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방사선 검출소자는 이격된 위치에 배치되는 적어도 하나의 하부 전극 및 적어도 하나의 상부 전극, 및 상기 하부 전극 및 상부 전극의 사이에 배치되는 반도체 기판을 포함하고, 상기 반도체 기판의 상단부에는, 적어도 하나의 활성층 영역을 포함하며, 상기 활성층 영역에는 0차원의 나노 입자, 전도성 폴리머 및 1차원 또는 2차원의 전도성 나노 물질을 포함하는 나노 복합체가 충전되는 것이다.

    방사선 검출기 및 이의 제조 방법
    3.
    发明申请
    방사선 검출기 및 이의 제조 방법 审中-公开
    辐射探测器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017007108A1

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:PCT/KR2016/002082

    申请日:2016-03-02

    CPC classification number: G01T1/2006 G01T1/20 G01T1/2002 G01T1/202 G01T1/2023

    Abstract: 본 발명은 방사선을 흡수하여 빛을 발생시키는 섬광체와 상기 섬광체에 형성되는 광검출기를 포함하고, 상기 섬광체는 연성을 부여하는 2차원 나노 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 검출기를 제공한다. 상기 섬광체는 상기 2차원 나노 물질이 적층되어 형성되는 것으로 상기 2차원 나노 물질은 그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드 및 그래핀 양자점 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种辐射检测器,包括:用于吸收辐射以产生光的闪烁体; 以及形成在闪烁器中的光检测器,其中闪烁体由用于赋予延展性的二维纳米材料构成。 闪烁体是通过层叠二维纳米材料形成的,二维纳米材料是氧化石墨烯,氧化还原型石墨烯和石墨烯量子点中的至少一种。

    방사선 검출기 및 그 제조 방법
    4.
    发明申请
    방사선 검출기 및 그 제조 방법 审中-公开
    辐射探测器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016204378A1

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:PCT/KR2016/002080

    申请日:2016-03-02

    CPC classification number: G01T1/20 H01L31/08

    Abstract: 본 발명은 방사선을 흡수하는 섬광체와 상기 섬광체에 형성되는 광검출기를 포함하고, 상기 광검출기는 서로 이격된 위치에 배치되는 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극 및 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극의 사이에 연결되어 전자의 이동경로를 형성하는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 상기 섬광체의 형상에 대응하여 변형될 수 있도록, 연성을 부여하는 2차원 나노 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기를 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种辐射检测器,包括:用于吸收辐射的闪烁体; 以及形成在所述闪烁器中的光电检测器,其中所述光电检测器包括:第一接触电极和布置在彼此间隔开的位置处的第二接触电极; 以及连接在所述第一接触电极和所述第二接触电极之间以形成电子的移动路径的有源层,其中所述有源层由提供延展性的二维纳米材料形成,以响应于变形 到闪烁体的形状。

    직접 검출형 방사선 검출소자
    7.
    发明授权
    직접 검출형 방사선 검출소자 有权
    直接检测型辐射检测装置

    公开(公告)号:KR101698820B1

    公开(公告)日:2017-01-24

    申请号:KR1020150083107

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 본발명은, 기판과, 상기기판상에배치되며, 단일층또는복수의층의 2차원반도체(2-dimension layered semiconductor)로이루어진방사선감응형반도체와, 상기방사선감응형반도체상에배치된제1 산화물반도체막과, 상기제1 산화물반도체막상에배치되며, 금속또는준금속으로이루어진나노구조체와, 상기나노구조체를덮도록상기제1 산화물반도체막상에배치된제2 산화물반도체막과, 상기제2 산화물반도체막상에배치된제1 및제2 전극을포함하며, 상기 2차원반도체는 MX화합물반도체, CsCdInQ또는그래핀(graphene)으로이루어진직접검출형방사선검출소자를제공한다. 여기서, M은 2족, 4족, 5족및 6족원소중 적어도하나이며, X는 S, Se 및 Te, 또는할로겐원소중 적어도하나이며, Q는 Se 및 Te 중적어도하나일수 있다.

    방사선 검출기 및 이의 제조 방법
    8.
    发明授权
    방사선 검출기 및 이의 제조 방법 有权
    辐射探测器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101687526B1

    公开(公告)日:2016-12-19

    申请号:KR1020150096508

    申请日:2015-07-07

    CPC classification number: G01T1/2006 G01T1/20 G01T1/2002 G01T1/202 G01T1/2023

    Abstract: 본발명은방사선을흡수하여빛을발생시키는섬광체와상기섬광체에형성되는광검출기를포함하고, 상기섬광체는연성을부여하는 2차원나노물질로이루어진것을특징으로하는방사선검출기를제공한다. 상기섬광체는상기 2차원나노물질이적층되어형성되는것으로상기 2차원나노물질은그래핀옥사이드, 환원된그래핀옥사이드및 그래핀양자점중 적어도하나인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种辐射检测器,包括:用于吸收辐射以产生光的闪烁体; 以及形成在闪烁器中的光检测器,其中闪烁体由用于赋予延展性的二维纳米材料构成。 闪烁体是通过层叠二维纳米材料形成的,二维纳米材料是氧化石墨烯,氧化还原型石墨烯和石墨烯量子点中的至少一种。

    방사선 검출기 및 그 제조 방법
    9.
    发明授权
    방사선 검출기 및 그 제조 방법 有权
    辐射探测器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101723438B1

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:KR1020150085347

    申请日:2015-06-16

    CPC classification number: G01T1/20 H01L31/08

    Abstract: 본발명은방사선을흡수하는섬광체와상기섬광체에형성되는광검출기를포함하고, 상기광검출기는서로이격된위치에배치되는제1 접촉전극과제2 접촉전극및 상기제1 접촉전극과상기제2 접촉전극의사이에연결되어전자의이동경로를형성하는활성층을포함하며, 상기활성층은상기섬광체의형상에대응하여변형될수 있도록, 연성을부여하는 2차원나노물질로형성되는것을특징으로하는방사선검출기를제공한다.

    Abstract translation: 本发明包括形成在所述闪烁器的光检测器,并且其吸收辐射闪烁器,和光电检测器是设置在彼此间隔的位置处的第一接触电极任务2接触电极和第一接触电极和第二接触 耦合电极和包括用于形成电子的移动路径,其中,所述活性层是辐射检测器,其特征在于形成在赋予延展性的二维性纳米材料的有源层之间进行修改,以对应于所述闪烁器的形状 提供。

    직접 검출형 방사선 검출소자
    10.
    发明公开
    직접 검출형 방사선 검출소자 有权
    直接检测型辐射检测装置

    公开(公告)号:KR1020160147144A

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:KR1020150083107

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 본발명은, 기판과, 상기기판상에배치되며, 단일층또는복수의층의 2차원반도체(2-dimension layered semiconductor)로이루어진방사선감응형반도체와, 상기방사선감응형반도체상에배치된제1 산화물반도체막과, 상기제1 산화물반도체막상에배치되며, 금속또는준금속으로이루어진나노구조체와, 상기나노구조체를덮도록상기제1 산화물반도체막상에배치된제2 산화물반도체막과, 상기제2 산화물반도체막상에배치된제1 및제2 전극을포함하며, 상기 2차원반도체는 MX화합물반도체, CsCdInQ또는그래핀(graphene)으로이루어진직접검출형방사선검출소자를제공한다. 여기서, M은 2족, 4족, 5족및 6족원소중 적어도하나이며, X는 S, Se 및 Te, 또는할로겐원소중 적어도하나이며, Q는 Se 및 Te 중적어도하나일수 있다.

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