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公开(公告)号:KR1019970007467B1
公开(公告)日:1997-05-09
申请号:KR1019930027218
申请日:1993-12-10
IPC: H01L23/28
Abstract: An impedance matched package structure and method thereof is provided to improve the production cost using simple process. The package structure comprises: an impedance matched Au wire(4a) attached on a surface of substrate(1) for transferring a signal from IC chip(10) through a bonding wire(11a); a sidewall electrode(7) for surface mounting to PCB(printed circuit board) through a via(6); a solder preventing layer(8) for preventing spread of solder; and a metal cap(12) for protecting the chip(10) from the external noise. Thereby, it is possible to reduce the manufacturing cost and protect from external noise by using the metal cap and the impedance-matched substrate.
Abstract translation: 提供阻抗匹配封装结构及其方法,以便使用简单的工艺来提高生产成本。 封装结构包括:安装在基板(1)的表面上的阻抗匹配金线(4a),用于通过接合线(11a)传送来自IC芯片(10)的信号; 用于通过通孔(6)表面安装到PCB(印刷电路板)的侧壁电极(7); 防止焊料扩散的防焊层(8); 以及用于保护芯片(10)免受外部噪声的金属盖(12)。 由此,可以通过使用金属盖和阻抗匹配基板来降低制造成本并防止外部噪声。
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公开(公告)号:KR1019970003693B1
公开(公告)日:1997-03-21
申请号:KR1019930026313
申请日:1993-12-03
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: Method of forming a solder bump using lapping technique defines a photoresist of a solder bump deposition thickness, uses a lapping process, thereby solving a problem of a thick film photoresist pattern process of a prior lift-off method. Also, the method obtains a desired solder volume by adjusting a height after depositing a solder, thereby increasing an accuracy of a solder bump forming process. The method includes the steps of: sputtering a predetermined UBM(under-bumped metal) layer on a semiconductor bonding pad, and forming a damping oxide film(3) on a part excepting the bonding pad(1) area; forming a thick film photoresist(4); light-exposing and developing the thick film photoresist(4) by a predetermined light-exposer having a hydrogen or cadmium ultraviolet rays source; depositing a solder(5) on the thick film photoresist(4) and on the bonding pad(1); performing a lapping until the solder bump deposited on the bonding pad(1) is exposed in order to remove the solder(5); removing a remaining thick film photoresist(4); reflowing the solder bump(6) on the bonding pad(1) defined as the damping oxide film(3) in 5 minutes of 350deg.C and N2 atmosphere, and making a solder ball format.
Abstract translation: 使用研磨技术形成焊料凸块的方法限定了焊料凸块淀积厚度的光致抗蚀剂,使用研磨工艺,从而解决了先前剥离方法的厚膜光致抗蚀剂图案处理的问题。 此外,该方法通过调整沉积焊料后的高度来获得所需的焊料体积,从而提高焊料凸点形成工艺的精度。 该方法包括以下步骤:在半导体接合焊盘上溅射预定的UBM(欠凸极金属)层,并在除了焊盘(1)区域之外的部分上形成阻尼氧化膜(3) 形成厚膜光致抗蚀剂(4); 通过具有氢或镉紫外线源的预定曝光器对所述厚膜光致抗蚀剂(4)进行曝光和显影; 在厚膜光致抗蚀剂(4)和接合焊盘(1)上沉积焊料(5); 进行研磨,直到沉积在焊盘(1)上的焊料凸块暴露以去除焊料(5); 去除剩余的厚膜光致抗蚀剂(4); 在定义为阻尼氧化膜(3)的接合焊盘(1)上,在350℃和N2气氛的5分钟内回流焊料凸块(6),并制成焊球形式。
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公开(公告)号:KR1019960014446B1
公开(公告)日:1996-10-15
申请号:KR1019930028268
申请日:1993-12-17
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: (A) forming a ring UBM pad(1) to elaborate alignment and to decrease parasitic capacitance by sputtering; (C) forming an opening (8) on the ring UBM pad(1) by etching a dielectric passivation(3); (D) depositing a photoresist(AZ4562)(4) by double coating at 1000-1500 rpm, UV exposure and baking; (E) forming a solder bump(5) on the photoresist(4) and on the opening(8) by thermal deposition; (F) forming a solder bump(5) deposited by lift-off processing to remove the solder except the solder deposited on the ring UBM pad(1); (G) forming a solder bump(6) by reflowing the deposited solder bump(5) in the atmosphere of some gas; and (H) flip chip-bonding the reflowed solder bump(6) on a substrate(7).
Abstract translation: (A)形成环UBM焊盘(1)以精细对准并通过溅射降低寄生电容; (C)通过蚀刻电介质钝化(3)在环UBM焊盘(1)上形成开口(8); (D)通过双重涂覆以1000-1500rpm,UV曝光和烘烤沉积光致抗蚀剂(AZ4562)(4); (E)通过热沉积在光致抗蚀剂(4)和开口(8)上形成焊料凸块(5); (F)形成通过剥离处理沉积的焊料凸块(5),除去沉积在环UBM焊盘(1)上的焊料之外的焊料; (G)通过在一些气体的气氛中回流沉积的焊料凸块(5)形成焊料凸块(6); 和(H)将衬底(7)上的回流焊料凸块(6)倒装芯片接合。
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公开(公告)号:KR2019960004872Y1
公开(公告)日:1996-06-12
申请号:KR2019960002078
申请日:1996-02-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/495
Abstract: 내용없음.
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公开(公告)号:KR1019950021809A
公开(公告)日:1995-07-26
申请号:KR1019930027020
申请日:1993-12-09
Abstract: 본 발명은 광통신 시스템의 수신단내에서 가장 핵심이 되는 고속 광수신모듈, 일명 PD(photo diode)모듈 제작방법에 관한 것으로, 기존의 납댐 혹은 에폭시 접합을 이용한 모듈제작상의 단점을 없애고 레이저 접합방법을 이용하여 수광모듈을 제작하는 것으로 전치증폭기가 내장될 수 있도록 제작된 금속 케이스에 직접 광섬유 및 렌즈가 삽입된 하우징을 레이저 용접하는 방법으로 가장 손쉬운 광모듈 제작방법이며 모듈의 크기도 가장 작게 만들수 있으며 레이저를 이용해서 각종 광학 부품을 용접하는 경우 순간적으로 많은 에너지를 국부적으로 주입하여 용접하는 방법으로 정렬이 거의 흐트러지지 않도록 하는 장점이 있다.
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公开(公告)号:KR1019950021292A
公开(公告)日:1995-07-26
申请号:KR1019930028268
申请日:1993-12-17
Abstract: 본 발명은 환형 패드를 이용한 솔더범프 형성방법에 관한 것으로서, 종래기술의 솔더범프의 크기가 작아지면 고속 및 고주파특성은 개선되지만 열적특성인 저하될 뿐 아니라 각 범프가 받는 하중이 늘어나 기계적 특성도 떨어지게 되는 문제점을 해결하기 위하에, 본 발명에서는 플립칩용 범프 패드의 형태를 환형으로 하는 공정(A), 유전체 패시베이션 공정(C)과, 후막 포토레지스트 도포공정(D)과, 솔더증착 공정(E)과, 리프트-오프(Lift-off)공정(F)과, 중차된 솔더의 리플로우 공정(G)과, 침과 기판의 플립칩 본딩공정(H)을 제공함으로써 낮은 온도에서 본딩을 가능하게 하고, 광소자의 본딩시에는 수직정렬을 이룰 수 있게하고, 낮은 기생 인덕턴스 및 캐퍼시턴스를 가질 뿐 아니라, 전기적, 기계적, 그리고 열적특성ㅇ을 증가시켜서 고속 및 고주파소자에 대 플립칩본딩의 특성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
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