公开(公告)号：KR1019990040303A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970060633

申请日：1997-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  권오균 ,  이규석

IPC: H01L51/00 ,  H01L31/10 ,  H01S3/10

Abstract: 본 발명은 다중양자우물구조 PIN다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것으로서, 전기-광흡수(electro-absorption)를 갖는 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간층(intrinsic layer)으로 하는 반도체 PIN다이오드에서 광 흡수에 의한 광전류-전압(photocurrent-voltage)의 부저항(negative resistance) 특성을 이용하며, 이 다이오드구조에 강한 연속 레이져 빔(continuous laser beam)을 조사하여 다이오드의 부저항특성을 크게 증가시키므로써 발생된 다이오드의 광전류-전압의 부저항 지역에 정전압 (dc voltage)을 인가하여 다이오드의 진동(oscillation)을 유발시켜 전기적 교류 신호(electrical ac-signal) 및 다이오드의 진동에의해 연속-조사빔의 변조-광신호(modulated optical signal) 발생을 유발 시킨다. 이러한 본 발명에서는 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 구조를 PIN다이오드의 중간층으로 이용하여 고출력의 전기적 교류 신호 뿐만 아니라 변조- 광신호를 생성할 수 있으며, PIN 다이오드 및 구성 회로요소(electrical elements)들의 조절로 전기적 교류 신호의 주파수 및 신호 진폭(amplitude)을 조절할 수 있으며, 다중양자우물 구조의 조절로 변조광신호의 신호 주파수 및 변조신호의 크기차(signal difference) 및 명암비(extinction ratio)를 조절할 수 있어, 고출력 고주파수의 전기 및 광 신호를 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100178491B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950053662

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안준태 ,  이규석 ,  이일항

IPC: H01S3/08

CPC classification number: H01S3/1109 ,  H01S3/082 ,  H01S3/1121

Abstract: 본발명은 능동형으로 로킹되어 출력광의 반복율을 두배로 높이기 위한 이중공진기형 레이저에 관한 것으로서,그 구성은 이득매질의 밀도 반전을 위한 펌핑장치를 구비한 공진기형 레이저에 있어서, 빛을 반사하기 위한 제1 반사수단과, 상기 제1 반사수단과 평행으로 배열된 제2 반사수단 및 제3 반사수단과, 상기 제1 반사수단과 상기 제2 반사수단 및 상기 제3 반사수단의 사이에 위치하며 상기 이득매질과 상기 펌핑장치로 구성된 증폭수단과, 상기 제1 반사수단과 상기 제2 반사수단 및 상기 제3 반사수단의 사이에 위치하고 상기 증폭수단과 직렬로 배열되며 레이저의 첨두출력을 높이기 위해 능동형 모드록킹을 위하여 공진기 안에 광손실을 주기적으로 변조시킬 수 있는 진폭 변조수단을 포함하여, 상기 제1 반사수단, 증폭수단, 진폭 변조수단 및 제2 반사수단이 하나의 공진기를 형성하고, 상기 제1 반사수단, 증폭수단, 진폭 변조수단 및 제3 반사수단이 다른 하나의 공전기를 형성하는 것을 특징으로 하여, 본 발명은 출력광의 반복율을 두배로 높일뿐만 아니라 광학적인 성질이 다른 두 종류의 출력광을 얻을 수 있으며, 광통신과 광 센서 등의 여러 분야에 이용 가능하다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980067654A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003864

申请日：1997-02-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이규석

IPC: H01S3/0941 ,  H01S5/00

Abstract: 본 발명은 높은 편광 및 이득 특성을 갖는 레이저를 발진하기 위하여 2중축(biaxial)상에서 압축 변형(compressively strained)된 초박막(ultrathin)의 (In,Ga)As 중앙층(center layer)을 갖는 GaAs 양자 우물 활성 층으로 구성되는 GaAs/(Al,Ga)As 레이저 구조에 관한 것이다. 단일 또는 복수의 GaAs 양자 우물 활성층(active layer)은 상위 및 하위의 (Al,Ga)As 버퍼층(buffer layer) 사이에 놓이며, 각각의 GaAs 양자 우물 중앙에 위치하는 (In,Ga)As 중앙층은 GaAs 층과의 격자 부정합(lattice mismatch)으로 인하여 압축 변형되게 한다. 본 발명이 제시하는 압축 변형된 (In,Ga)As 중앙층을 갖는 GaAs 우물 구조내에 속박된 경양공과 중양공의 기저 부띠 에너지의 차이는 단일 양자 우물 구조의 그것보다 매우 크므로, 이 활성층 구조를 갖는 레이저는 높은 이득 특성을 갖는 횡전기파(TE) 모드로 발진된다. 본 발명이 제시하는 압축 변형된 중앙벽층을 이용하는 방법은 GaAs/(Al,Ga)As 레이저 뿐만 아니라, InGaAs/InGaAsP/InP 등 다른 레이저에도 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100138860B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940033468

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이규석

IPC: H01S3/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/065 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/125

Abstract: 본 발명은 1.55μm 발진파장의 분배 브락 반사경(DBR) 구조의 레이저로부터 수백기가 내지 수 테라 헤르쯔 급에 이르는 반복률을 갖는 안정된 펄스열을 생성하는 초격 회절판 구조(super structure grating)의 분배 브락 반사경의 설계를 목적으로 하는 것으로, 기존의 집적화된 4구간 DBR 레이저 구조내의 균일한 회절판 구조 대신에 수개의 샘플링 구간으로 이루어지는 초격 회절판 구조의 분배 브락 반사경을 구성한다.
본 발명에 따른 반도체 레이저는 수 테라 헤르쯔 급의 반복률을 갖는 안전한 펄스열을 발진할 수 있게 됨으로써 고속 광통신을 위한 광원 및 광메모리 소자로서 응용될 수 있다.