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公开(公告)号：JPWO2017169973A1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017011180
申请日：2017-03-21
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 基板上にEUV光を反射する多層反射膜を成膜して多層反射膜付き基板を形成し、多層反射膜付き基板に対して欠陥検査を行い、多層反射膜付き基板の多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜を成膜し、パターン形成領域の外周縁領域に、吸収体膜を除去して多層反射膜上の欠陥情報の基準となるものを含む領域の多層反射膜が露出したアライメント領域が形成された反射型マスクブランクを形成し、上記アライメント領域を用いて反射型マスクブランクの欠陥管理を行う。
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公开(公告)号：JPWO2018135467A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2018000959
申请日：2018-01-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: EUVリソグラフィーのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 基板上に、多層反射膜及びEUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜は、単層膜又は2層以上の多層膜からなり、タンタル(Ta)及びチタン(Ti)を含む材料からなる反射型マスクブランクとする。
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公开(公告)号：JPWO2017090485A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2016083829
申请日：2016-11-15
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 半導体装置の製造工程において、EUV光を用いた露光光によってウエハ上に所定のパターンを転写する際に、アウトオブバンド光を低減することのできる反射型マスクを提供する。 基板上に下地膜を備えるマスクブランク用基板であって、190nm以上280nm以下の波長範囲において、前記下地膜は、前記基板よりも小さい屈折率を有する材料で形成され、190nm以上280nm以下の波長範囲における前記基板の表面に配置された前記下地膜の反射率が、前記基板の反射率より小さいことを特徴とするマスクブランク用基板である。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2015142083A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015370
申请日：2014-01-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , H01L21/3065 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 【課題】位相シフト膜パターンの薄膜化を図りつつ、且つ、位相シフト膜から位相シフト膜パターンを生成するための工程の簡略化(工程増加の抑止)が可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスクブランク及び反射型マスクの提供、並びに半導体装置の製造方法の提供。 【解決手段】基板12上に多層反射膜13、保護膜14、位相シフト膜16、エッチングマスク膜17をこの順に形成した反射型マスクブランクであって、位相シフト膜16を、タンタル系材料層161と、ルテニウム系材料層162とを有する積層構造で形成することにより、位相シフト膜16の薄膜化をすることを可能とし、且つ、タンタル系材料層161、ルテニウム系材料層162の順で、ルテニウム系保護膜14の上に積層し、エッチングマスク膜17をタンタル系材料で形成する構成とすることにより、位相シフト膜16から位相シフト膜パターンを生成するための工程の簡略化を可能とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种制造反射掩模的方法，该方法允许从相移膜生成相移膜图案的处理的简化（抑制处理的增加），同时减薄相移膜图案， 并提供反射掩模板和反射掩模，以及制造半导体器件的方法。解决方案：在多层反射膜13，保护膜14，相移膜16和蚀刻掩模 膜17依次形成在基板12上，通过在具有钽基材料层161和钌基材料层162的叠层结构中形成相移膜16，可以使相移膜16变薄。此外， 可以通过将钽基材料层161和钌基材料层162依次层叠在钌基保护膜上，从而简化用于产生相移膜图案的工艺 m 14，并形成钽基材料的蚀刻掩模膜17。
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