公开(公告)号：WO2011026456A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/DE2010/000944

申请日：2010-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph ,  KALTENBACHER, Axel ,  WEGLEITER, Walter ,  BARCHMANN, Bernd ,  WUTZ, Oliver ,  MARFELD, Jan

Inventor： WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph ,  KALTENBACHER, Axel ,  WEGLEITER, Walter ,  BARCHMANN, Bernd ,  WUTZ, Oliver ,  MARFELD, Jan

IPC: H01L33/44 ,  H05K3/28 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Modul vorgesehen, das einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (2a), auf der ein elektrischer Anschlussbereich (21, 22) angeordnet ist, aufweist. Der erste Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (2a) gegenüberliegenden Seite auf einem Träger (1) angeordnet. Auf dem Träger (1) seitlich neben dem ersten Halbleiterkörper (2) ist ein Isolationsmaterial (3) angeordnet, das eine Kehle ausbildet und formschlüssig an den Halbleiterkörper (2) angrenzt. Auf dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem Isolationsmaterial (3) ist zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht (4) angeordnet, auf der zur planaren Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers (2) eine planare Leitstruktur angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (21, 22) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Moduls vorgesehen.

Abstract translation: 它是提供了一种包括第一半导体本体（2），其具有辐射出射侧（2a）中的光电模块，被布置在一个电连接区域（21，22）。 在第一半导体本体（2）与所述辐射出射侧（2a）的相对侧上的支承件（1）中的一个。 在支承（1）横向的第一半导体主体旁边（2）被布置（3），形成一个喉部和积极的半导体主体（2）相邻的绝缘材料。 在第一半导体本体（2）和绝缘材料（3）至少部分地（4），其布置设置在一个平面导电结构到平面与所述第一半导体本体接触绝缘层（2）连接到所述电连接区域（21，22） 导电连接。 此外，提供了用于制造这种光电子模块的方法。

公开(公告)号：WO2011018411A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/EP2010/061446

申请日：2010-08-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  WIRTH, Ralph

Inventor： VON MALM, Norwin ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben, umfassend: einen Leuchtdiodenchip (1) mit zumindest zwei unabhängig voneinander betreibbaren Emissionsbereichen (2a, 2b), zumindest zwei unterschiedlich ausgestalteten Konversionselementen (31, 32), wobei jeder der Emissionsbereiche (2a, 2b) im Betrieb des Leuchtdiodenchips (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Primärstrahlung vorgesehen ist, jeder Emissionsbereich (2a, 2b) eine Emissionsfläche (21, 22) aufweist, durch welche zumindest ein Teil der Primärstrahlung aus dem Leuchtdiodenchips (1) ausgekoppelt wird, die Konversionselemente (31, 32) zur Absorption zumindest eines Teils der Primärstrahlung und zur Re-Emission von Sekundärstrahlung vorgesehen sind, die unterschiedlich ausgestalteten Konversionselemente (31, 32) unterschiedlichen Emissionsflächen nachgeordnet sind, einem elektrischen Widerstandselement (4), das zu zumindest einem der Emissionsbereiche (2a, 2b) in Reihe oder parallel geschaltet ist.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的半导体器件，包括：具有至少两个可独立操作的发射区域（2A，2B）中，至少两个不同设计的转换元件（31，32），每个发光区域的发光二极管芯片（1）（2A，2B）的操作期间 发光二极管芯片（1），用于产生电磁初级辐射被提供，每个发光区域（2A，2B），其具有出射面（21，22），通过该至少从LED芯片（1）被耦合出，所述转换元件（31，32中的初级辐射的部分 提供），用于吸收至少一个初级辐射的）不同的发射区的部分和（31不同配置的转换元件的次级辐射的再发射32被布置在下游的电阻元件（4）（到发射区域2a中的至少一个，2b）的 串联连接或并联连接。

公开(公告)号：WO2011015449A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：PCT/EP2010/060434

申请日：2010-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph ,  KALTENBACHER, Axel ,  WEGLEITER, Walter ,  BARCHMANN, Bernd ,  WUTZ, Oliver ,  MARFELD, Jan

Inventor： WEIDNER, Karl ,  WIRTH, Ralph ,  KALTENBACHER, Axel ,  WEGLEITER, Walter ,  BARCHMANN, Bernd ,  WUTZ, Oliver ,  MARFELD, Jan

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Anordnen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (Ia) des Trägers (1), - Umformen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einem Formkörper (3), wobei der Formkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt und wobei die dem Träger (1) abgewandte Oberfläche an der Oberseite (2a) oder die dem Träger zugewandte Oberfläche an der Unterseite (2b) des zumindest einen Halbleiterchips (2) frei vom Formkörper (3) bleibt oder freigelegt wird, - Entfernen des Trägers (1).

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，包括以下步骤的方法： - 提供支撑（1）， - 布置至少一个光电子半导体芯片（2）在载体的上侧（Ia）的（1）， - 形成所述至少一个光电 半导体芯片（2），其具有一个模体（3），其中，所述成形体（3），所有侧表面（2c）的所述至少一个光电子半导体芯片（2）覆盖，并且其中（1）背离表面离开顶部（2a）或所述的所述载体 所述至少一个半导体芯片（2）的载流子朝向在底面表面（2b）中保持自由的成型体的（3）或露出， - 移除所述支承件（1）。

公开(公告)号：WO2009117977A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/DE2009/000084

申请日：2009-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  BUTENDEICH, Rainer

Inventor： WIRTH, Ralph ,  BUTENDEICH, Rainer

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/03046

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Strahlungsdetektor (100) mit einer Mehrzahl von Detektorelementen (1, 2, 3) zur Signalerzeugung angegeben, wobei die Detektorelemente jeweils eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung aufweisen, ein Detektorelement (1) ein Basisdetektorelement aufweist, die spektrale Empfindlichkeitsverteilung des Basisdetektorelements (1) eine untere Grenzwellenlänge aufweist, ein anderes Detektorelement (2, 3) eine Filterschichtstruktur (13) mit zumindest einer Filterschicht (14, 15) aufweist, die Empfindlichkeitsverteilung des anderen Detektorelements (2, 3) ein Maximum bei einer Maximumswellenlänge aufweist, und wobei die Filterschichtstruktur derart ausgebildet ist, dass die Filterschichtstruktur Strahlung mit Wellenlängen kleiner als die Maximumswellenlänge und größer als die untere Grenzwellenlänge absorbiert.

Abstract translation: 提供了一种具有多个检测器元件的光电辐射检测器（100）（1，2，3）用于产生信号的，在每种情况下，检测器元件具有光谱灵敏度分布中，检测器元件（1）具有底座检测器元件，底层检测器元件的光谱灵敏度分布（1） 具有较低的截止波长，另一个检测器元件（2，3）的过滤层结构（13）与至少一个过滤层（14，15），另一检测器元件的灵敏度分布（2,3）具有最大的峰波长，并且其中所述过滤层结构 被形成为使得过滤层结构吸收辐射与波长小于峰值波长和大于下限波长。

公开(公告)号：WO2009076939A2

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：PCT/DE2008/002079

申请日：2008-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  MUSCHAWECK, Julius

Inventor： WIRTH, Ralph ,  MUSCHAWECK, Julius

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/58 ,  G02B27/28 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das polarisierte Strahlung mit einer ersten Polarisationsrichtung emittiert. Das Halbleiterbauelement weist ein Chipgehäuse, einen Halbleiterchip und einen chipfernen Polarisationsfilter auf.

Abstract translation: 本发明公开了发射具有第一偏振方向的偏振辐射的半导体器件。 该半导体器件具有芯片封装，半导体芯片和芯片远程偏振滤光器。

公开(公告)号：WO2009076921A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：PCT/DE2008/001908

申请日：2008-11-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/641 ,  H01L33/382 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche (3) aufweist, angegeben. Auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterkörpers (1) ist ein Kühlelement (4) angeordnet, das für die von dem Halbleiterkörper (1) emittierte Strahlung transparent ist.

Abstract translation: 它包括一个光电器件的半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（2）和辐射出射表面（3）所表示的设备。 在半导体本体的辐射出射表面（3）（1）布置的冷却元件（4），由所述半导体主体（1）是透明的发射的辐射。

公开(公告)号：WO2009039826A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001514

申请日：2008-09-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph

Inventor： WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit den folgenden Merkmalen offenbart: - zumindest einem Halbleiterkörper (1), der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren, - einem inneren strahlungsdurchlässigen Formkörper (2), in den der Halbleiterkörper (1) eingebettet ist, - einer wellenlängenkonvertierenden Schicht (6) auf einer Außenseite (5) des inneren Formkörpers (2), die einen Wellenlängenkonversionsstoff (8) umfasst, der dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen, zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, - einer Auskoppellinse (10), in die der innere Formkörper (2) und die wellenlängenkonvertierende Schicht (6) eingebettet sind, wobei - die Auskoppellinse (10) eine Innenseite, die von einer inneren Halbkugelfläche mit Radius R konversion umschlossen ist, und eine Außenseite, die eine äußere Halbkugelfläche mit Radius R aussen umschließt, aufweist, und die Radien R konversion und R aussen die Weierstrass-Bedingung: R aussen ≥ R konversion * n Linse / n luft, erfüllen, wobei n Linse der Brechungsindex der Auskoppellinse und n luft der Brechungsindex der Umgebung der Auskoppellinse ist.

Abstract translation: 它具有以下特征的光电子器件中公开： - 被设置成发射第一波长范围的电磁辐射，至少一个半导体本体（1） - 内辐射可渗透模制主体（2）嵌入在所述半导体主体（1） - 在外侧的波长转换层（6）（5）内模体（2），包括波长转换材料（8），其适于将所述第一波长范围的辐射转换成辐射的不同的，第二与第一波长范围的波长范围内， - 一个耦合输出透镜（10），其中，所述内模制主体（2）和所述波长转换层（6）被嵌入，其中： - 所述输出透镜（10），一个内侧，这是由半径Rkonversion的内半球形表面封闭，和外侧， 半径Raussen的外半球形表面 包围，并且所述半径Rkonversion和Raussen的维尔斯特拉斯条件：Raussen = Rkonversion * nLinse /奈尔，满足，所述nLinse耦合输出透镜的折射率和折射率奈尔耦合输出透镜的附近是。

公开(公告)号：WO2009039824A2

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001511

申请日：2008-09-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  BARCHMANN, Bernd

Inventor： WIRTH, Ralph ,  BARCHMANN, Bernd

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/46 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit den folgenden Merkmalen offenbart: - zumindest einem Halbleiterkörper (1), der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren, - einer Wärmesenke (2), auf der der Halbleiterkörper (1) und ein Spiegel (3) angeordnet sind, und - einer wellenlängenkonvertierenden Schicht (4), die seitlich des Halbleiterkörpers (1) auf dem Spiegel (3) angeordnet ist und einen Wellenlängenkonversionsstoff (8) umfasst, der dazu geeignet ist, zumindest einen Teil der von dem Halbleiterkörper (1) emittierten Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines vom ersten Wellenbereich verschiedenen zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Weiterhin wird eine Auskoppellinse (14) für ein optoelektronisches Bauelement beschrieben.

Abstract translation: 公开了具有以下特征的光电子部件：至少一个旨在发射第一波长范围的电磁辐射的半导体本体（1），散热器（图1） 2），其上设置有半导体本体（1）和反射镜（3）;以及 - 在反射镜（3）上布置在半导体本体（1）侧上的波长转换层（4），以及 （8），所述波长转换物质适于将由所述半导体本体（1）发射的所述第一波长范围的所述辐射的至少一部分转换为不同于所述第一波长范围的第二波长范围的辐射。 此外，描述了用于光电子部件的耦合输出透镜（14）

公开(公告)号：WO2009033453A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/DE2008/001446

申请日：2008-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EISSLER, Dieter ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WIRTH, Ralph

Inventor： EISSLER, Dieter ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, aufweisend ein elektrisch leitfähiges Substrat (1) mit einer Deckseite (2) und einer Grundseite (3), wobei die Deckseite mit einem ersten Kontakt (4) und die Grundseite mit einem zweiten, gegenpoligen Kontakt (5) elektrisch in Verbindung steht und zwischen den Kontakten ein Licht emittierender pn-Übergang (6) an der Deckseite des Substrats angeordnet ist, wobei das Bauelement einen Ableiterkörper (7) zur Ableitung von Überspannungen aufweist, der mit dem pn-Übergang in paralleler elektrischer Verbindung steht.

Abstract translation: 本发明提供一种光电子器件，包括：（1）具有顶侧导电性基材（2）和基端侧（3），所述具有第一触头（4）中，用相反的第二极性的接触底座侧顶侧（5） 在通信电布置，并且触点pn结（6）在基板的顶侧上，其中所述装置包括一个避雷器体之间发射光（7），用于过电压的推导，其与并联电连接的pn结进行通信 ，

公开(公告)号：WO2007076743A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/DE2006/002046

申请日：2006-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  WIRTH, Ralph ,  ALBRECHT, Tony ,  AHLSTEDT, Magnus ,  ILLEK, Stefan ,  STREUBEL, Klaus

Inventor： HAHN, Berthold ,  WIRTH, Ralph ,  ALBRECHT, Tony ,  AHLSTEDT, Magnus ,  ILLEK, Stefan ,  STREUBEL, Klaus

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/42

Abstract: Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。 电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。 电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。 在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。 还提供了用于制造LED芯片的方法。