公开(公告)号：FR2912548A1

公开(公告)日：2008-08-15

申请号：FR0755475

申请日：2007-06-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BILLIOT GERARD ,  ROZEAU OLIVIER ,  VINET MAUD ,  POIROUX THIERRY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: La présente invention concerne un procédé amélioré de réalisation d'au moins un élément métallique d'interconnexion entre les deux grilles d'un transistors à double-grille, l'élément métallique d'interconnexion étant formé d'une couche de matériau de grille appartenant à la grille supérieure du transistor et remplissant un trou réalisé entre la grille supérieure et la grille inférieure. L'invention concerne également un dispositif microélectronique de transistor à double-grille obtenu à l'aide d'un tel procédé.