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公开(公告)号：TW201921094A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131656
申请日：2018-09-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 東京 傑羅恩 , VAN DONGEN, JEROEN , 麥克 納馬拉 艾略特 葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 希尼 保羅 克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN , 喬錢森 馬利那 , JOCHEMSEN, MARINUS
IPC: G03F1/38
Abstract: 本發明揭示控制一圖案化程序之方法。在一個配置中，獲得由通過一基板上之一結構之一目標層的一蝕刻路徑中的傾角之一量測產生的傾角資料。該傾角表示該蝕刻路徑之一方向與該目標層之平面之一垂線的一偏差。該傾角資料用以控制一圖案化程序，該圖案化程序用以在一另外層中形成一圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示控制一图案化进程之方法。在一个配置中，获得由通过一基板上之一结构之一目标层的一蚀刻路径中的倾角之一量测产生的倾角数据。该倾角表示该蚀刻路径之一方向与该目标层之平面之一垂线的一偏差。该倾角数据用以控制一图案化进程，该图案化进程用以在一另外层中形成一图案。
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公开(公告)号：TW201920939A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131106
申请日：2018-09-05
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 賈克 馬丁 賈庫柏斯 喬漢 , JAK, MARTIN JACOBUS JOHAN , 艾伯特 馬汀 , EBERT, MARTIN , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
Abstract: 本發明提供一種方法，其包含：對照一或多個量測品質參數來評估與對使用一圖案化程序處理之一基板之一度量衡目標的量測相關聯的複數個偏光特性；及基於該等量測品質參數中之一或多者而自該複數個偏光特性選擇一或多個偏光特性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种方法，其包含：对照一或多个量测品质参数来评估与对使用一图案化进程处理之一基板之一度量衡目标的量测相关联的复数个偏光特性；及基于该等量测品质参数中之一或多者而自该复数个偏光特性选择一或多个偏光特性。
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公开(公告)号：TW201920837A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107138005
申请日：2017-01-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 優莫林艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 , EUMMELEN,ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARINA , 加多比吉歐吉凡尼 路卡 , GATTOBIGIO,GIOVANNI LUCA , 麥爾曼喬漢斯 康納歷斯 波勒斯 , MELMAN,JOHANNES CORNELIS PAULUS , 廉碧司韓 亨利克斯 亞德恭達 , LEMPENS,HAN HENRICUS ALDEGONDA , 于淼 , YU,MIAO , 羅伯茲康納利 馬利亞 , ROPS,CORNELIUS MARIA , 歐利史萊吉斯羅德 , OLIESLAGERS,RUUD , 優路肯亞頓克 , ULUCAN,ARTUNC , 波列特喜爾多爾斯 威爾赫瑪斯 , POLET,THEODORUS WILHELMUS , 斯布坦堡派翠克 喬韓妮絲 威爾海莫斯 , SPRUYTENBURG,PATRICK JOHANNES WILHELMUS
Abstract: 本發明係關於一種包含一流體處置結構之微影浸潤裝置及一種器件製造方法。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有退出口之通道，該等通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种包含一流体处置结构之微影浸润设备及一种器件制造方法。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且包含气刀系统，该气刀系统包含各自具有退出口之信道，该等信道包含具有复数个对应第一退出口之复数个第一信道及具有复数个对应第二退出口之复数个第二信道，其中至少一个第一信道及至少一个第二信道经组态以使得退出第一退出口之气体的停滞压力大于退出第二退出口之气体的停滞压力，其中复数个第一信道及复数个第二信道交缠且以直线配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面图中之形状的一侧。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且在使用中包含气刀，流体处置结构包含至少一个退出口，其中至少一个退出口经配置以使得气刀形成平面图中之形状的一侧，且至少一个退出口具有经组态以允许浸润流体之小滴自气刀之径向外部的位置移动至气刀之径向内部的位置且经组态以约束浸润流体之小滴自气刀之径向内部的位置移动至气刀之径向外部的位置之几何形状。
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公开(公告)号：TW201910923A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107115162
申请日：2018-05-04
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 廉晉 , LIAN, JIN , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
Abstract: 揭示量測形成於基板上之一目標結構之一所關注參數的方法及設備。在一個配置中，該目標結構包含一第一子目標及一第二子目標。該第一子目標包含一第一偏置且該第二子目標包含一第二偏置。該方法包含使用自該第一子目標散射之在一第一波長之輻射的一經偵測或經估計參考屬性及自該第二子目標散射之在一第二波長之輻射的一經偵測或經估計參考屬性來判定該所關注參數。該第一波長不同於該第二波長。
Abstract in simplified Chinese: 揭示量测形成于基板上之一目标结构之一所关注参数的方法及设备。在一个配置中，该目标结构包含一第一子目标及一第二子目标。该第一子目标包含一第一偏置且该第二子目标包含一第二偏置。该方法包含使用自该第一子目标散射之在一第一波长之辐射的一经侦测或经估计参考属性及自该第二子目标散射之在一第二波长之辐射的一经侦测或经估计参考属性来判定该所关注参数。该第一波长不同于该第二波长。
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公开(公告)号：TWI653513B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106142682
申请日：2017-12-06
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 周子理 , ZHOU, ZILI
IPC: G03F7/20
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI651514B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW107102721
申请日：2016-09-30
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪尼特許 , PANDEY,NITESH , 周子理 , ZHOU,ZILI , 柯蘭愛曼德 尤金尼 愛博特 , KOOLEN,ARMAND EUGENE ALBERT , 凡 德 鄒葛伯德 , VAN DER ZOUW,GERBRAND
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公开(公告)号：TW201907242A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107125776
申请日：2017-02-22
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 美商藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
Inventor： 庫必司麥克 , KUBIS,MICHAEL , 喬錢森馬利那 , JOCHEMSEN,MARINUS , 萬思理查 史蒂芬 , WISE,RICHARD STEPHEN , 沙瑪納德 , SHAMMA,NADER , 蒂希特葛麗希 雅南特 , DIXIT,GIRISH ANANT , 林內琳希貝思 , REIJNEN,LIESBETH , 維亞特琴納艾卡特莉娜 米卡羅孚納 , VIATKINA,EKATERINA MIKHAILOVNA , 盧卡茉莉莎 , LUCA,MELISA , 馬肯斯喬納斯 凱瑟尼斯 哈伯特斯 , MULKENS,JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS
IPC: G03F7/20
Abstract: 本發明揭示一種用以判定對一圖案化製程之諸如臨界尺寸之一所關注參數之校正的方法以及相關設備及電腦程式。該方法包括基於一結構之該所關注參數之一量測以及一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正及視情況判定對一製程控制參數之一製程控制校正。該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性，且該製程控制關係描述該所關注參數對該製程控制參數之相依性。該曝光控制校正及該製程控制校正可經共同最佳化以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用以判定对一图案化制程之诸如临界尺寸之一所关注参数之校正的方法以及相关设备及电脑进程。该方法包括基于一结构之该所关注参数之一量测以及一曝光控制关系及一制程控制关系而判定对一曝光控制参数之一曝光控制校正及视情况判定对一制程控制参数之一制程控制校正。该曝光控制关系描述该所关注参数对该曝光控制参数之相依性，且该制程控制关系描述该所关注参数对该制程控制参数之相依性。该曝光控制校正及该制程控制校正可经共同最优化以最小化后续经曝光及处理之结构之该所关注参数相对于一所关注目标参数的变化。
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公开(公告)号：TWI648523B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106128346
申请日：2017-08-22
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
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公开(公告)号：TW201903536A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117845
申请日：2018-05-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 強森 吉傑斯伯特 賽門 馬泰斯 , JANSEN, GIJSBERT SIMON MATTHIJS , 費里森 拉爾斯 克里斯汀 , FREISEM, LARS CHRISTIAN , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
Abstract: 一種度量衡裝置(302)包括用於產生(310) EUV輻射之一高階諧波產生(HHG)輻射源。使用包含一孔徑陣列(424、702)之一波前感測器(420)及一影像感測器(426)來監測該HHG源之操作。光柵(706)將穿過各孔徑之輻射分散，使得影像偵測器針對遍及光束之不同光譜分量及不同部位擷取高階繞射的位置及強度。以此方式，該波前感測器可經配置以量測多個諧波在該陣列中之各部位處的一波前傾斜。在一個實施例中，該等孔徑劃分成兩個子集(A)及(B)，各子集之該等光柵(706)具有一不同色散方向。光譜解析的波前資訊(430)被用於回饋控制(432)以穩定化該HGG源之操作，及/或改良度量衡結果之準確度。
Abstract in simplified Chinese: 一种度量衡设备(302)包括用于产生(310) EUV辐射之一高级谐波产生(HHG)辐射源。使用包含一孔径数组(424、702)之一波前传感器(420)及一影像传感器(426)来监测该HHG源之操作。光栅(706)将穿过各孔径之辐射分散，使得影像侦测器针对遍及光束之不同光谱分量及不同部位截取高级绕射的位置及强度。以此方式，该波前传感器可经配置以量测多个谐波在该数组中之各部位处的一波前倾斜。在一个实施例中，该等孔径划分成两个子集(A)及(B)，各子集之该等光栅(706)具有一不同色散方向。光谱解析的波前信息(430)被用于回馈控制(432)以稳定化该HGG源之操作，及/或改良度量衡结果之准确度。
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公开(公告)号：TW201903534A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112852
申请日：2018-04-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 霍特曼 馬克 , HAUPTMANN, MARC , 摩斯 艾佛哈德斯 柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 劉賢優 , YU, HYUNWOO , 韓敏燮 , HAN, MIN-SUB
Abstract: 對由複數個基板組成之一組半導體基板執行一種微影製程。作為該製程之部分，將該組基板分割成數個子集。該分割可基於與該等基板上之一第一層相關聯的一組特性。接著針對該組基板中之至少一個基板而判定一效能參數的一指紋。在一些情形下，針對基板之每一子集中之一個基板而判定該指紋。該指紋係與至少該第一層相關聯。接著導出與一後續層之一施加相關聯的該效能參數之一校正，該導出係基於該所判定指紋及對該組基板之該分割。
Abstract in simplified Chinese: 对由复数个基板组成之一组半导体基板运行一种微影制程。作为该制程之部分，将该组基板分割成数个子集。该分割可基于与该等基板上之一第一层相关联的一组特性。接着针对该组基板中之至少一个基板而判定一性能参数的一指纹。在一些情形下，针对基板之每一子集中之一个基板而判定该指纹。该指纹系与至少该第一层相关联。接着导出与一后续层之一施加相关联的该性能参数之一校正，该导出系基于该所判定指纹及对该组基板之该分割。
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