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公开(公告)号：CN107824128A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711048284.1
申请日：2017-10-31
Applicant: 江苏西玉钻石科技有限公司
IPC: B01J3/06
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655
Abstract: 本发明涉及一种双碳源合成人造金刚石制备装置及制备方法，所述制备装置包括传压介质立方体、石墨加热管和合成腔室，所述合成腔室的MgO晶床上具有间隔设置的容置晶种凹槽，所述MgO晶床上还设有若干盲孔。所述制备方法包括在盲孔中装填金刚石微粉作为第二碳源与石墨碳源一起来合成人造金刚石。本发明通过采用石墨-金刚石微粉双碳源，可在高温-高压温度梯度法生长多颗人造金刚石单晶时，显著提高最初48小时内金刚石单晶生长速度，使单晶平均生长速度达到10mg/hr；单晶净度可达到VVS级。
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公开(公告)号：CN107820441A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201780001990.2
申请日：2017-04-06
IPC: B01J3/06
CPC classification number: B01J3/06 , B01J3/065 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B01J2203/066
Abstract: 提供热稳定性优异的单晶态金刚石颗粒。单晶态金刚石颗粒含有立方晶氮化硼颗粒。优选的是，立方晶氮化硼颗粒存在于含立方晶氮化硼颗粒的单晶态金刚石颗粒的内部和/或表面，单晶态金刚石颗粒的平均粒径为500μm以下，立方晶氮化硼颗粒的平均粒径为0.05～100μm。
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公开(公告)号：CN103717530B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201280037943.0
申请日：2012-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/52 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , C01B32/25 , C04B2235/42 , C04B2235/427 , Y10T428/2982
Abstract: 纳米多晶金刚石(1)包含碳、以原子水平遍及分散在碳中的方式添加的非碳外来元素(3)、以及不可避免的杂质。所述多晶金刚石的晶粒尺寸为500nm以下，并且可以通过在高压压制装置中对石墨进行热处理来制造，其中所述石墨中添加了非碳外来元素从而以原子水平遍及分散在碳中。
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公开(公告)号：CN107308888A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710679686.5
申请日：2017-08-10
Applicant: 安庆市凯立金刚石科技有限公司
Inventor： 李凯
CPC classification number: B01J3/06 , B01J2203/06 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , G05B19/054
Abstract: 本发明公开了一种人造金刚石安全操作装置，其结构包括：控制主体、右侧气缸、中气缸、左侧气缸、上固定板、保护框、红外线测温仪、上合成块、下合成块、操作台、支撑脚、底座、电线，支撑脚与底座底端连接，操作台与底座顶端相平行，保护框内部装设有上合成块与下合成块，红外线测温仪与保护框左侧固定连接，上固定板与保护框顶端相平行，右侧气缸、中气缸和左侧气缸上部分与上固定板相连接，控制主体底端连接有电线；本发明的有益效果：装置对数据处理模块以及PLC控制电路装设一个集中的操作面板，在操作面板上配置触摸显示屏和PLC电路，对操作过程进行优化，操作方便安全。
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公开(公告)号：CN103764882B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201280042553.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C30B7/10 , C30B25/00
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106622031A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611184521.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 吕华伟
IPC: B01J3/06
CPC classification number: B01J3/06 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0615 , B01J2203/0655 , B01J2203/066 , B01J2219/00065 , B01J2219/00162
Abstract: 本发明提供一种新型二维复合超硬材料的制备方法，包括步骤：将石墨、触媒粉和富勒烯按比例混合均匀，压制成样胚，与配套的固定件组装；所述石墨和触媒粉重量百分比为：90%~99.95%，所述富勒烯的重量百分比为：0.05%~10%，所述石墨与触媒粉的质量比为：1~3:1；将组装块装入六面顶压机中合成，设定合成的压力5GPa‑15GPa，温度1100℃‑1700℃，合成时间15‑48min；将所述六面顶压机中合成的产品破碎、酸洗、烘干、筛分，得到新型二维复合超硬材料。本发明提供的新型二维复合超硬材料及其制备方法，制备的新型二维复合超硬材料静压强度高、热稳定性好。
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公开(公告)号：CN103477019B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280019354.X
申请日：2012-04-18
Applicant: 贝克休斯公司
Inventor： A·A·迪吉奥瓦尼
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0625 , B01J2203/0645 , B01J2203/0655 , B01J2203/0685 , E21B10/567 , F16C33/043 , F16C2352/00
Abstract: 超级研磨材料的晶粒可以用熔融金属合金在相对低的温度渗透，并且该熔融金属合金可以在该超级研磨材料的晶粒之间的晶隙内凝固以形成该超级研磨材料的晶粒嵌入其中的固体金属合金。该超级研磨材料的晶粒嵌入其中的固体金属合金可以经历高压和高温方法来形成多晶超级研磨材料。多晶超级研磨材料还可以如下来形成：在化学气相渗透方法中，在超级研磨材料的晶粒表面上沉积材料来形成多孔体，其然后可以经历高压和高温方法。多晶压实体和包括这样的压实体的切割元件可以使用这样的方法来形成。
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公开(公告)号：CN104853837A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380042526.X
申请日：2013-06-14
Applicant: 第六元素研磨剂股份有限公司
IPC: B01J3/06 , B32B18/00 , C04B35/52 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/645 , C04B37/02 , C22C26/00 , E21B10/46
CPC classification number: E21B10/46 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0615 , B01J2203/062 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B22F2005/001 , B32B18/00 , B32B2307/554 , B32B2307/704 , B82Y30/00 , C01B32/25 , C04B35/52 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B2235/3813 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5472 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/588 , C04B2237/704 , C22C26/00 , C22C2026/005 , C22C2026/006 , E21B10/573
Abstract: 本发明公开了一种多晶金刚石结构，其包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域。所述第一区域包括多个交替层(21)、(22)，所述第一区域中的每个或一个或多个层的厚度在约5-300微米的范围内。所述多晶金刚石(PCD)结构的金刚石含量为PCD材料体积的至多约95％，粘合剂含量为PCD材料体积的至少约5％，所述第一区域和/或第二区域中的一个或多个层包括平均金刚石晶粒接触率大于约60％且标准偏差小于约2.2％的金刚石晶粒。还公开了用于制造这种多晶金刚石结构的方法。
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公开(公告)号：CN103764882A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042553.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C30B7/10 , C30B25/00
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。
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公开(公告)号：CN103732535A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037414.0
申请日：2012-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C01B32/25 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655
Abstract: 本发明涉及一种纳米多晶金刚石(1)，其包括碳和多种非碳杂质。每一种所述杂质的浓度均等于或小于0.01质量%，并且该纳米多晶金刚石(1)的晶粒尺寸（最大长度）至多为500nm。该纳米多晶金刚石(1)可以由以下方法制造：制备杂质浓度至多为0.01质量%的石墨，然后使该石墨经受高温和极高的压力，从而将所述石墨转化为金刚石。
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