公开(公告)号：CN102906010A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN102295265A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN102194614A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110038064.7

申请日：2011-02-15

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 增田贵弘 ,  吉武直毅 ,  日沼健一 ,  山本淳也 ,  藤泽隆志 ,  藤原刚史

IPC: H01H59/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: H01H1/06 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0184 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本发明提供触点的接触面平滑的开关及其制造方法以及继电器。固定触点部(33)的侧面与可动触点部(34)的侧面相对。固定触点部(33)在固定触点基板(41)之上层叠有绝缘层(43)和基底层(44)，在其之上通过电解镀敷等而形成有导电层(45)。将导电层(45)的与可动触点部(34)相对的侧面作为固定触点(46)(接触面)。可动触点部(34)在可动触点基板(51)之上层叠有绝缘层(53)和基底层(54)，在其之上通过电解镀敷等形成有可动触点(56)。将导电层(55)的与固定触点部(33)相对的侧面作为可动触点(56)(接触面)。该固定触点(46)及可动触点(56)为在通过电解镀敷使导电层(45)及导电层(55)成长的工序中与模制部的侧面相接的面。

公开(公告)号：CN100521019C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200680000146.X

申请日：2006-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  奥克泰克有限公司

Inventor： 林圣人 ,  八壁正巳 ,  长谷部铁也 ,  原田宗生 ,  奥村胜弥

IPC: H01H1/26 ,  B81B7/04 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B3/0054 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/053 ,  H01H1/24 ,  H01H37/46 ,  H01H67/22 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2037/008

Abstract: 在上部基板(15)的下表面的绝缘膜(14)上设有第一布线层(16)，在下部基板(11)上的绝缘膜(12)上设有与第一布线层(16)立体交差的第二布线层(13)，使悬臂(17)的一端与第一布线层(16)连接，使悬臂(17)的另一端与第二布线层(13)间隔相对。在上部基板(15)上配置覆盖贯通孔(18)的热可塑性片材(19)，通过用加热的销(20)将热可塑性片材(19)压向悬臂(17)来使之变形，并维持悬臂(17)与第二布线层(13)的连接状态，从而闭合开关(10)。

公开(公告)号：CN100474519C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

公开(公告)号：CN101276707A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087276.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦

IPC: H01H57/00 ,  H01H59/00 ,  H01G7/00 ,  H01L41/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L41/094 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/014 ,  H01G5/18 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01H2059/0072

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件和具有所述MEMS器件的便携式通信终端。具体地说，提供一种工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件成为可能。一种MEMS器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的支撑单元；设置在所述衬底上的固定电极；致动器，其包括第一电极、形成于所述第一电极上的第一压电膜以及形成于所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线上，并且设置在所述衬底上，以面对所述第一电极。

公开(公告)号：CN1613128A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826914.4

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  达纳·R·德吕斯 ,  苏巴哈姆·塞特 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01H57/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。

公开(公告)号：CN1543431A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN03800683.9

申请日：2003-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西淑人 ,  清水克人 ,  矢吹博幸

IPC: B81B3/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0068 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496 ,  H03H2009/02511

Abstract: 谐振器4和5能够相对于基底1水平和垂直地振荡。谐振器4主要由固定地与基底1接触的支撑部件、包括与谐振器5接触的接触表面和与电极7接触的接触表面的可动部件、以及耦合支撑部件与可动部件的衔接部件构成。电极6置于谐振器5和谐振器4相间隔开的方向上。电极7置于谐振器4和谐振器5相间隔开的方向上。电极9被置于这样的位置，使谐振器5产生静电力，其方向与在谐振器4和5之间以及在谐振器5和电极6之间作用的吸引力的方向均不同。

公开(公告)号：CN1502545A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03127731.4

申请日：2003-08-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约瑟夫·T·科西斯 ,  詹姆斯·托尼洛 ,  凯文·皮特拉卡 ,  理查德·沃兰特 ,  塞沙德里·萨班纳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/014 ,  B81C2201/0167 ,  H01F2007/068 ,  H01H50/005

Abstract: 本发明公开一种被包封微电子－机械系统(MEMS)及其制造方法，该方法包括：形成介电层；对介电层的上表面构图以形成沟槽；在沟槽内形成牺牲材料；对牺牲材料的上表面构图以形成另一沟槽；在另一沟槽内形成包括侧壁的第一包封层；在第一包封层内形成芯层；以及在芯层的上方形成第二包封层，其中第二包封层与第一包封层的侧壁相连接。替代地，该方法包括用光学掩模工艺制成多层MEMS结构，从而形成第一金属层、包括介电层和第二金属层的第二层、以及第三金属层。芯层和包封层由具有互补电学特性、机械特性和/或磁性的材料制成。

公开(公告)号：CN104347320B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201410367891.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 亚德诺半导体集团

Inventor： J·G·麦克纳马拉 ,  P·L·菲兹格拉德 ,  R·C·格金 ,  B·P·斯坦森

IPC: H01H59/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/092 ,  B81C1/00341 ,  H01H2001/0052 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2924/181 ,  Y10T307/937 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及MEMS开关设备和制造方法。一种微机电系统(MEMS)开关设备，包括：基材层；在所述基材层上形成的绝缘层；以及具有在所述绝缘层的表面上形成的多个触点的MEMS开关模块，其中，所述绝缘层包括在绝缘层内形成的多个导电路径，所述导电路径被配置成相互连接所述MEMS开关模块的所选触点。