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公开(公告)号：CN102906009B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN103650343A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280023350.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。
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公开(公告)号：CN102906009A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025546.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号：CN102782324A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080051330.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
CPC classification number: F04B43/046 , A61M5/14586 , B81B2201/036 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0167 , B81C2201/019 , F04B43/02 , F04B43/043 , F05C2203/02 , F05C2203/06 , Y10T29/494
Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。
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公开(公告)号：CN102608754A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210065596.4
申请日：2006-10-19
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81C1/00793 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1338116A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816420.8
申请日：1999-02-04
Applicant: 蒂科电子输给系统股份公司
CPC classification number: B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01H59/0009 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种包括S形支撑元件的微结构继电器。S形支撑元件在继电器中产生了多余行程,用以在继电器的整个寿命期限中产生高的接触力和低的接触电阻。在支撑元件上适当部位的压应力和拉应力引发层使之按所需弯曲。
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公开(公告)号：CN107533974A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680028363.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： N·S·德拉斯
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , H05K3/02
CPC classification number: H01L29/408 , B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/3245 , H01L21/823864 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/778 , H01L29/7787
Abstract: 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。
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公开(公告)号：CN102906010B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180025550.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。
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公开(公告)号：CN103523738A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210234964.3
申请日：2012-07-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0029 , B81C1/0038 , B81C2201/0167 , B81C2201/053
Abstract: 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。
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公开(公告)号：CN103011049A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210397799.3
申请日：2007-05-16
Applicant: 高通MEMS科技公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/042 , B81C1/00047 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供用于控制光调制装置的两个层之间的腔的深度的方法和设备。一种制造光调制装置的方法包括：提供衬底；在所述衬底的至少一部分上方形成牺牲层；在所述牺牲层的至少一部分上方形成反射层；以及在所述衬底上方形成一个或一个以上挠曲控制器，所述挠曲控制器经配置以可操作地支撑所述反射层，且在移除所述牺牲层时，形成深度可测量地不同于所述牺牲层的厚度的腔，其中垂直于所述衬底测量所述深度。
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