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    MEMS device and fabrication method thereof
    44.
    发明申请
    MEMS device and fabrication method thereof 失效
    MEMS器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20030183887A1

    公开(公告)日：2003-10-02

    申请号：US10384495

    申请日：2003-03-10

    Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

    Inventor： Eun-sung Lee ,  Chung-woo Kim ,  In-sang Song ,  Jong-seok Kim ,  Moon-chul Lee

    IPC: H01L021/00 ,  H01L027/14 ,  H01L029/82

    CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/014 ,  H01H59/0009

    Abstract: A method for fabricating a MEMS device having a fixing part fixed to a substrate, a connecting part, a driving part, a driving electrode, and contact parts, includes patterning the driving electrode on the substrate; forming an insulation layer on the substrate; patterning the insulation layer and etching a fixing region and a contact region of the insulation layer; forming a metal layer over the substrate; planarizing the metal layer until the insulation layer is exposed; forming a sacrificial layer on the substrate; patterning the sacrificial layer to form an opening exposing a portion of the insulation layer and the metal layer in the fixing region; forming a MEMS structure layer on the sacrificial layer to partially fill the opening, thereby forming sidewalls therein; and selectively removing a portion of the sacrificial layer by etching so that a portion of the sacrificial layer remains in the fixing region.

    Abstract translation: 一种用于制造具有固定到基板上的固定部件，连接部件，驱动部件，驱动电极和接触部件的MEMS器件的方法，包括在所述基板上图形化所述驱动电极; 在所述基板上形成绝缘层; 图案化绝缘层并蚀刻绝缘层的固定区域和接触区域; 在衬底上形成金属层; 平坦化金属层直到绝缘层露出; 在所述基板上形成牺牲层; 图案化牺牲层以形成露出固定区域中绝缘层和金属层的一部分的开口; 在所述牺牲层上形成MEMS结构层以部分地填充所述开口，从而在其中形成侧壁; 并且通过蚀刻选择性地去除牺牲层的一部分，使得牺牲层的一部分保留在固定区域中。

    Trilayered beam MEMS device and related methods
    45.
    发明申请
    Trilayered beam MEMS device and related methods 有权
    三层梁MEMS器件及相关方法

    公开(公告)号：US20030119221A1

    公开(公告)日：2003-06-26

    申请号：US10290920

    申请日：2002-11-08

    Applicant: Coventor, Inc.

    Inventor： Shawn Jay Cunningham ,  Svetlana Tatic-Lucic

    IPC: H01L021/00 ,  H01L029/82

    CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

    Abstract: Trilayered Beam MEMS Device and Related Methods. According to one embodiment, a method for fabricating a trilayered beam is provided. The method can include depositing a sacrificial layer on a substrate and depositing a first conductive layer on the sacrificial layer. The method can also include forming a first conductive microstructure by removing a portion of the first conductive layer. Furthermore, the method can include depositing a structural layer on the first conductive microstructure, the sacrificial layer, and the substrate and forming a via through the structural layer to the first conductive microstructure. Still furthermore, the method can include the following: depositing a second conductive layer on the structural layer and in the via; forming a second conductive microstructure by removing a portion of the second conductive layer, wherein the second conductive microstructure electrically communicates with the first conductive microstructure through the via; and removing a sufficient amount of the sacrificial layer so as to separate the first conductive microstructure from the substrate, wherein the structural layer is supported by the substrate at a first end and is freely suspended above the substrate at an opposing second end.

    Abstract translation: 三层梁MEMS器件及相关方法。 根据一个实施例，提供一种制造三层梁的方法。 该方法可以包括在衬底上沉积牺牲层并在牺牲层上沉积第一导电层。 该方法还可以包括通过去除第一导电层的一部分来形成第一导电微结构。 此外，该方法可以包括在第一导电微结构，牺牲层和衬底上沉积结构层，并且通过结构层将通孔形成到第一导电微结构。 此外，该方法可以包括以下：在结构层和通孔中沉积第二导电层; 通过去除所述第二导电层的一部分来形成第二导电微结构，其中所述第二导电微结构通过所述通孔与所述第一导电微结构电连通; 以及去除足够量的牺牲层以便将第一导电微结构与衬底分开，其中结构层在第一端由衬底支撑并且在相对的第二端处自由地悬挂在衬底上方。

    Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
    47.
    发明授权
    Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same 失效
    微结构，制造方法和结合其的装置

    公开(公告)号：US5658698A

    公开(公告)日：1997-08-19

    申请号：US378610

    申请日：1995-01-26

    Applicant: Takayuki Yagi ,  Masatake Akaike

    Inventor： Takayuki Yagi ,  Masatake Akaike

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01H59/00 ,  H01L23/00 ,  H02N1/00 ,  H02N2/00 ,  H02N2/02

    CPC classification number: B81C1/0092 ,  B81C1/00936 ,  H01H59/0009 ,  H02N1/006 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/031

    Abstract: A microstructure comprising a substrate (1), a patterned structure (beam member) (2) suspended over the substrate (1) with an air-space (4) therebetween and supporting structure (3) for suspending the patterned structure (2) over the substrate (1).The microstructure is prepared by using a sacrificial layer (7) which is removed to form the space between the substrate (1) and the patterned structure (2) adhered to the sacrificial layer. In the case of using resin as the material of the sacrificial layer, the sacrificial layer can be removed without causing sticking, and an electrode can be provided on the patterned structure.The microstructure can have application as electrostatic actuator etc., depending on choice of shape and composition.

    Abstract translation: 一种微结构，其包括衬底（1），悬挂在衬底（1）上的图案化结构（梁构件）（2），其间具有空气空间（4）和用于将图案化结构（2）悬挂在其上的支撑结构（3） 基板（1）。 通过使用牺牲层（7）来制备微结构，所述牺牲层被除去以形成衬底（1）和附着到牺牲层的图案化结构（2）之间的空间。 在使用树脂作为牺牲层的材料的情况下，可以除去牺牲层而不引起粘附，并且可以在图案化结构上提供电极。 根据形状和组成的选择，微结构可以用作静电致动器等。

    超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子
    48.
    发明申请
    超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子 审中-公开
    超声波传感器，其制造方法和使用该超声波探头的超声波探头

    公开(公告)号：WO2010100861A1

    公开(公告)日：2010-09-10

    申请号：PCT/JP2010/001200

    申请日：2010-02-23

    Applicant: 株式会社日立メディコ ,  町田俊太郎 ,  小林孝

    Inventor： 町田俊太郎 ,  小林孝

    IPC: H04R19/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

    CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

    Abstract: 　容量検出型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極３０６と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部３０４と、下部電極を覆うように形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部３０８と、空洞部３０８を覆うように形成された第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に、上面から見て、空洞部３０８と重なるように形成された上部電極３１０とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極３０６への電気接続部３０４が空洞部３０８と、上面から見て、重ならない配置とする。

    Abstract translation: 公开了一种电容微加工超声波换能器（CMUT）的技术，其抑制空腔中的变形，包围空腔的绝缘膜的厚度不均匀，以及膜的表面轮廓的平坦度的劣化，即使当 超声波换能器的底部电极从底部电极的底部电连接。 所述超声波换能器设置有：底部电极（306）; 电连接部（304），其从所述底部电极的底部连接到所述底部电极; 形成为覆盖底部电极的第一绝缘膜; 形成在第一绝缘膜上以便从上方观察时与底部电极重叠的空腔（308）; 形成为覆盖空腔（308）的第二绝缘膜; 以及当从上方观察时，形成在第二绝缘膜上以与空腔（308）重叠的顶部电极（310）。 当从上方观察时，到底部电极（306）的电连接部分（304）被定位成不与空腔（308）重叠。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON IMPLANTATSTRUKTUREN ZUR KONTAKTIERUNG ODER ELEKTROSTIMULATION VON LEBENDEN GEWEBEZELLEN ODER NERVEN
    49.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON IMPLANTATSTRUKTUREN ZUR KONTAKTIERUNG ODER ELEKTROSTIMULATION VON LEBENDEN GEWEBEZELLEN ODER NERVEN 审中-公开
    用于生产植入结构，用于接触或活的组织细胞或神经的电刺激

    公开(公告)号：WO2007118527A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：PCT/EP2007/000686

    申请日：2007-01-26

    Applicant: IMI INTELLIGENT MEDICAL IMPLANTS AG ,  TIEDTKE, Hans-Jürgen

    Inventor： TIEDTKE, Hans-Jürgen

    IPC: A61N1/05 ,  B81B3/00

    CPC classification number: A61N1/05 ,  A61N1/0543 ,  A61N1/0551 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0181 ,  Y10T428/12493

    Abstract: Die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung von Multilayern bzw. Mehrschichtsystemen zu schaffen, bei dem die auf einem Substrat erzeugten Strukturen gemeinsam vom Substrat leicht gelöst werden können und im Verbund erhalten bleiben, wird nach der vorliegenden Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen von Implantatstrukturen umfassend das Erzeugen einer ersten Metallschicht auf einem Substrat, Erzeugen einer zweiten Metallschicht über der ersten Metallschicht, das Herstellen einer Anzahl von mehrlagigen Implantatstrukturen über der zweiten Metallschicht, Entfernen der ersten Metallschicht zwischen dem Substrat und der zweiten Metallschicht und Ablösen der Implantatstrukturen in einem zusammenhängenden Verbund von dem Substrat. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zwischen den Implantatstrukturen und dem Substrat eine Ablöseschicht bestehend aus zwei oder drei Metallschichten erzeugt, die beim Ablösen der fertig prozessierten Multilayer durch einen Unterätzungsprozess als Opferschicht dienen. Dadurch wird eine gleichmäßige und zuverlässige Trennung der fertigen Multilayer im Verbund vom Substrat erzielt, was die nachfolgende Aufbau- und Verbindungstechnik der Implantatstrukturen erleichtert.

    Abstract translation: 的目的是提供用于生产多层或多层系统，其中在衬底上产生的结构可以从基板容易脱落在一起，并且被保持在复合材料的制造，其包括植入物结构提供的方法，根据本发明的方法 在衬底上产生一第一金属层，形成在所述第一金属层的第二金属层，在第二金属层中形成多个多层植入物的结构，在一个有凝聚力的复合去除植入物结构的衬底和所述第二金属层和分离之间的第一金属层 所述衬底。 在本发明方法，其中包括从所述植入物的结构和衬底，其分离由Unterätzungsprozess成品加工多层作为牺牲层时使用之间的两个或三个金属层所产生的剥离层。 在复合材料中的成品多层的均匀和可靠的分离，从衬底上，这有利于该植入物结构的随后的组装和互连得到的。

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