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公开(公告)号:CN101494149B
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN200910005089.X
申请日:2009-01-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了用于多点x射线的基于场发射体的电子源。提供一种包括多个电子发生器(10)的多点x射线发生器(90)。每个电子发生器(10)包括:发射体元件(26),用于发射电子束(28);网状栅格(32),其邻近每个发射体元件(26)以便增强在该发射体元件(26)的表面处的电场;以及聚焦元件(34),其被定位成接收来自每一个发射体元件(26)的电子束(28)并且聚焦所述电子束(28)以在屏蔽的阳极靶(38、40)上形成焦斑(39),所述屏蔽的阳极靶(38、40)结构在由所述多个电子发生器(10)所产生的多个电子束(28)撞击时产生x射线焦斑(39)的阵列。
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公开(公告)号:CN101946299B
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN200980105033.X
申请日:2009-02-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: G·福格特米尔
IPC: H01J35/06
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J35/065 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 提出了一种用于特别地由场发射碳纳米管(1,2)生成多能量X射线的源(19)。为了实现来自不同发射器的X射线束的轨迹的空间交叠,向发射的电子(28,29)供应聚焦单元(7,9)。在不同碳纳米管的发射之间的快速切换允许多个千伏的成像。由聚焦单元独立确定多个焦斑参数导致可能在不同焦斑几何形状和空间分辨率之间进行快速切换。这可以在图1中看出。
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公开(公告)号:CN1877775B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200510023037.7
申请日:2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源,以及包括电子发射源的电子发射装置。
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公开(公告)号:CN100573809C
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200610060043.4
申请日:2006-03-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J7/183 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射平面显示光源,其包括阳极、与阳极对应设置的阴极、设置在阳极和阴极之间使二者相互隔开的多个支撑条和固定阳极、阴极和支撑条并在其内部形成一密封空间的边封体。阳极包括一个阳极基板、设置在阳极基板上的阳极导电层和设置在阳极导电层上的荧光层。阴极包括一个阴极基板、设置在阴极基板上的阴极导电层和设置在阴极导电层上且与阳极的荧光层相对应的电子发射层。其中,电子发射层包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及制造上述场发射平面显示光源的方法。
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公开(公告)号:CN101494149A
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200910005089.X
申请日:2009-01-21
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明公开了用于多点x射线的基于场发射体的电子源。提供一种包括多个电子发生器(10)的多点x射线发生器(90)。每个电子发生器(10)包括:发射体元件(26),用于发射电子束(28);网状栅格(32),其邻近每个发射体元件(26)以便增强在该发射体元件(26)的表面处的电场;以及聚焦元件(34),其被定位成接收来自每一个发射体元件(26)的电子束(28)并且聚焦所述电子束(28)以在屏蔽的阳极靶(38、40)上形成焦斑(39),所述屏蔽的阳极靶(38、40)结构在由所述多个电子发生器(10)所产生的多个电子束(28)撞击时产生x射线焦斑(39)的阵列。
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公开(公告)号:CN101326607A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200680046273.3
申请日:2006-11-17
Applicant: 伊莱楚维克股份公司
Inventor: 唐新和
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J63/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及场发射层(3)、优选用于荧光屏应用的场发射层(3)的制备方法,根据该方法,为了改善工作寿命和长期稳定性,将由聚合物(11)和碳纳米纤维(4)组成的混合物施加至归于阴极(1)的阴极电极(8)上,所述碳纳米纤维(4)在低氧的、特别是无氧的气氛中在大于2,000℃、特别是大于2,500℃、优选约3,000℃的温度下硬化,以及将带有碳纳米纤维(4)/聚合物(11)混合物的阴极电极(8)在至少含氧的气氛例如空气中加热至300℃-500℃、优选380℃-480℃、特别是420℃-450℃的温度,由于氧导致聚合物基体(7)的热解和/或硬化,以及至少一部分碳纳米纤维(4)露出该碳纳米纤维(4)空间尺寸的至少一部分,特别是碳纳米纤维(4)长度的至少一部分,尤其是长度的至少一半。
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公开(公告)号:CN100435261C
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200310125145.6
申请日:2003-12-26
Applicant: 财团法人汉城大学校产学协力财团
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种含有铜氧化物或铜纳米导线的发射体尖头的低温成型方法,以及装有由该方法制成的发射体尖头的显示设备或光源。所述低温成型方法中包括制备具有暴露的铜表面的基片的步骤。所述铜表面在100℃或更低的低温条件下与一种氧化物溶液接触,从而在基片的表面生成铜氧化物纳米导线。另外,还可将还原气体和热量施加到所述铜氧化物纳米导线上,或对所述铜氧化物纳米导线进行等离子处理,从而将铜氧化物纳米导线还原为铜纳米导线。最终使含有铜氧化物纳米导线或铜纳米导线的发射体尖头可在低温条件下浓密生成,并具有利于电子发射的长度及形状。
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公开(公告)号:CN1881512A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200610084157.2
申请日:2006-04-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J2201/30469
Abstract: 一种显示装置和制造该显示装置的方法。电子发射体涂覆有金属氧化物纳米颗粒。显示装置包括电子发射体。电子发射体具有碳颗粒和金属氧化物颗粒。碳颗粒具有表面并且至少一部分金属氧化物颗粒形成在至少一部分碳颗粒表面上。当将具有涂覆外壁的碳纳米管用在电子发射体上时,电子发射发生在碳纳米管尖端和涂覆外壁,这使得当相邻的碳纳米管开始相互接触时,基于涂覆颗粒而增大电子发射区域并提高碳纳米管的传导率。
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公开(公告)号:CN1877775A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200510023037.7
申请日:2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源,以及包括电子发射源的电子发射装置。
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公开(公告)号:CN1801425A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510137777.3
申请日:2002-11-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于:通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜,可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制,一边进行离散控制,一边在其上生成碳纳米管,通过在该纳米管上进行金属覆盖,提高了电脉冲的响应特性。
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