公开(公告)号：CN100545985C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200410063920.4

申请日：2004-06-11

Applicant: 三星康宁精密琉璃株式会社

Inventor： 郑京泽 ,  金明洙 ,  金冠九 ,  赵硕显

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/759 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/949

Abstract: 通过单独制备一端涂覆的纳米结构，然后将该纳米结构的涂覆端粘附到在衬底上形成的金属电极层上，来制造不含任何有机材料的场致发射阵列。

公开(公告)号：CN101540253A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810066127.8

申请日：2008-03-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列；提供一第一电极和一第二电极，将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上，该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸；通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜，形成多个碳纳米管线；将该碳纳米管线通电流加热熔断，得到多个碳纳米管针尖；提供一导电基体，将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上，形成一场发射电子源。

公开(公告)号：CN100543904C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200510051652.9

申请日：2005-02-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 吴泰植 ,  金钟玟

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/127 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种弹道电子表面发射器件(BSD)发射器。其包括：后基板；形成在所述后基板上的阴极电极；垂直排列在阴极电极上并用作用于传导弹道电子的材料的碳纳米管；以及形成在所述垂直排列的碳纳米管上的薄金属电极层。能够很容易地生产根据本发明实施例的BSD发射器。所述BSD发射器中使用的碳纳米管未起冷发射器的作用，而是作为传送弹道电子的通道，并且不存在碳纳米管在开/关操作期间被损坏的危险。因此，能够保证长期驱动的可靠性。根据本发明另一实施例的FED，即使在不使用单独聚焦电极的情况下也能够提供高的色纯度，并且不必维持高真空。此外，减少了显示器操作特性的改变，允许增加显示器的实用性。

公开(公告)号：CN101523541A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037455.9

申请日：2007-07-25

Applicant: 韩国科学技术院

Inventor： 郑熙泰 ,  尹相天 ,  高永宽

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。

公开(公告)号：CN100521061C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200410056695.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4，500sccm。

公开(公告)号：CN101451262A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810176949.1

申请日：2008-09-19

Applicant: 辛泰克公司

Inventor： 陆梅 ,  刘杰 ,  耿怀之 ,  高波

IPC: C25D13/02 ,  C09D5/44 ,  H05B33/10 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: C25D13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/28 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/749

Abstract: 本发明提供了涉及通过电泳均匀沉积碳纳米管复合膜的方法与设备。所述方法包括在电泳沉积之前链接碳纳米管到基质颗粒上。该方法提高了复合膜与基底的粘附性并减少了表面粗糙度。通过此方法制造的碳纳米管膜和电子场致发射阴极显示出增强的电子场致发射特性。

公开(公告)号：CN101425435A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710124240.2

申请日：2007-11-02

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  陈卓 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管长线。该碳纳米管长线具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管长线的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管长线的第二端从导电基体向外延伸。本发明还涉及一种场发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；熔断该碳纳米管长线；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。

公开(公告)号：CN100472696C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510008744.9

申请日：2005-02-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 康蓥同 ,  郑玄喆 ,  李相汶 ,  李宗勉

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种用于制造场发射电极的方法，包括如下步骤：将阴极和阳极浸入含有分散在其中的碳纳米管的电解液中，并且向所述阴极和阳极施加预定电压，使碳纳米管沉积到设置在阳极上的衬底上；回收所述衬底并将导电聚合物施加在其上沉积有碳纳米管的衬底表面上；以及，对它们进行热处理使导电聚合物固化。

公开(公告)号：CN101335175A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710076271.5

申请日：2007-06-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杨远超 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J31/15 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J31/123 ,  H01J29/862 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管。所述的场发射像素管包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置。所述场发射像素管中，屏蔽极可以屏蔽阳极的高电压，降低碳纳米管线表面电场强度，使碳纳米管线在高电压下可保持小的发射电流，符合理想的场发射像素管的工作条件。

公开(公告)号：CN101313092A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680035406.7

申请日：2006-08-28

Applicant: 斯莫特克有限公司

Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC: D01F9/127 ,  D01F9/08 ,  H01L51/00 ,  H01L21/04 ,  H01L23/373 ,  C01B31/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J23/755 ,  B01J23/76 ,  B82Y10/00 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互联线和/或散热器。