公开(公告)号：TW468196B

公开(公告)日：2001-12-11

申请号：TW088116379

申请日：1999-09-23

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司

Inventor： 馬歇盧斯皮特魯斯卡羅勒斯邁克克雷恩

IPC: H01J

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/04928 ,  H01J2237/31788

Abstract: 根據習知的投影微影法，物體係藉由一組旋轉對稱的電子透鏡(10，12)所構成之放大鏡系統成像於一成像表面(16)。藉由投影微影法生產積體電路的產量係取決於通過該成像帶電粒子光束之電流量，該電流則取決於一限制，係以該解析度限制該電子交互作用(Coulomb靜電力)加以利用之該限制。
本發明可使較大之帶電粒子光束電流進入該區域(18)，而避免高電流集中。針對此點，該成像系統包含二四分極，其各自對應於一圓形透鏡(10、12)，藉以該電子可集中於一線形之聚焦光束而取代(小)圓形斷面之光束(18)。該系統保有高倍之放大鏡，而成像系統保有蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 根据习知的投影微影法，物体系借由一组旋转对称的电子透镜(10，12)所构成之放大镜系统成像于一成像表面(16)。借由投影微影法生产集成电路的产量系取决于通过该成像带电粒子光束之电流量，该电流则取决于一限制，系以该分辨率限制该电子交互作用(Coulomb静电力)加以利用之该限制。 本发明可使较大之带电粒子光束电流进入该区域(18)，而避免高电流集中。针对此点，该成像系统包含二四分极，其各自对应于一圆形透镜(10、12)，借以该电子可集中于一线形之聚焦光束而取代(小)圆形断面之光束(18)。该系统保有高倍之放大镜，而成像系统保有蚀刻。

公开(公告)号：TW439098B

公开(公告)日：2001-06-07

申请号：TW088116380

申请日：1999-09-23

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司

Inventor： 馬歇盧斯皮特魯斯卡羅勒斯邁克克雷恩

IPC: H01L

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/04928 ,  H01J2237/31788

Abstract: 依據一習知的投射微影方法，一物件(14)藉由一轉動對稱電子透鏡(10、12)的望遠鏡系統成像於一成像表面(16)上。藉由投射微影製造積體電路期間，生產力是由成像電子束中之電流數量決定;此電流由電子之解析度限制作用(庫倫作用)所限制。
本發明允許在該區域(18)中的較大束電流，而避免高的電流集中。為此目的，成像系統包含五個互相垂直的四極(32、34、36、38、40)，使得電子以線形聚焦光點而非(小)圓形交叉(18)集中。系統係可伸縮的，成像係有記號的，而在x-z平面及y-z平面的放大率相等。

Abstract in simplified Chinese: 依据一习知的投射微影方法，一对象(14)借由一转动对称电子透镜(10、12)的望远镜系统成像于一成像表面(16)上。借由投射微影制造集成电路期间，生产力是由成像电子束中之电流数量决定;此电流由电子之分辨率限制作用(库伦作用)所限制。 本发明允许在该区域(18)中的较大束电流，而避免高的电流集中。为此目的，成像系统包含五个互相垂直的四极(32、34、36、38、40)，使得电子以线形聚焦光点而非(小)圆形交叉(18)集中。系统系可伸缩的，成像系有记号的，而在x-z平面及y-z平面的放大率相等。