公开(公告)号：CN106252212A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610403050.3

申请日：2016-06-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 桑凯特·桑特

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/225 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及一种具有掺杂的石英表面的等离子体蚀刻器件。提供了一种用于处理衬底的装置。提供了一种处理室。用于支撑衬底的衬底支撑件是在处理室内。边缘环是在衬底支撑件上，其中边缘环包括具有掺杂剂AlO和YO或者掺杂剂LaO的无氮的掺杂石英。用于提供气体到处理室中的气体入口是在衬底的表面之上。至少一个电极提供射频功率到处理室中。

公开(公告)号：CN106206235A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365275.4

申请日：2016-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岸宏树 ,  徐智洙

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。

公开(公告)号：CN106062348A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011627.X

申请日：2015-03-03

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 小林幸司 ,  神志那薰 ,  吉本信彦 ,  船津纯矢

IPC: F02F1/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/42 ,  F16J10/00

CPC classification number: F02F1/004 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/50 ,  F02F1/18 ,  F02F7/0085 ,  F02F2200/00 ,  F05C2253/06 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明涉及内燃机用气缸体(10)及其制造方法。在内燃机用气缸体(10)中，在缸膛(12)的内壁形成有SiC中间膜(20)和DLC膜(22)。在将SiC中间膜(20)的膜厚设为T1、将DLC膜(22)的膜厚设为T2时，下述的式(1)～式(3)成立。需要说明的是，优选0.2μm≤T1≤1μm、7μm≤T1+T2≤13μmT1≥0.2μm…(1)T1

公开(公告)号：CN106062247A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012469.X

申请日：2015-03-03

Applicant: 梅耶博格(德国)股份有限公司

Inventor： 赫尔曼·施莱姆 ,  米尔科·科尔 ,  埃里克·安索奇 ,  丹尼尔·德克尔

IPC: C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45593 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 根据本发明的用于等离子体处理的设备包括处理室以及具有循环线路和循环泵的循环单元，处理室具有至少两个被过程气体穿流的等离子体处理区、气体输入部和气体输出部，气体输入部适用于将过程气体输送给至少两个等离子体处理区，气体输出部适用于将废气从处理室排除，其中，循环单元适用于将废气中至少一部分供应到气体输入部中，并且其中，供应到气体输入部中的废气是从等离子体处理区中的至少两个中逸出的气体的混合物。通过混合来自等离子体处理区中的至少两个中的废气并且将废气重新供应到气体输入部中，使来自等离子体处理区中的至少两个中的过程气体的已经转化的组成部分、但也有未转化的组成部分混合，并且因此实现了输送给等离子体处理区的过程气体的均匀化。这减少了由于等离子过程在不同的等离子体处理区中的差异而产生的各个基底之间的等离子体处理的非均匀性。

公开(公告)号：CN102656952B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080042131.6

申请日：2010-09-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉金德尔·德辛德萨 ,  罗加罗马尼昂·卡利阿纳尔曼 ,  萨斯安阿拉延安·玛尼 ,  瓜塔姆·巴特查里亚

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334

Abstract: 用于在等离子体处理腔中执行压强控制的装置，包括上电极、下电极和组合式约束环装置，其中该上电极、下电极和组合式约束环装置被配置为至少用于围绕约束腔区域以促进等离子体形成与该区域中的等离子体约束。该装置进一步包括被配置用于沿垂直方向移动组合式约束环装置的至少一个活塞，以调节第一气体传导路径和第二气体传导路径中的至少一个以执行压强控制，其中第一气体传导路径形成在上电极与组合式约束环装置之间，且第二气体传导路径形成在下电极和单个组合式环装置之间。

公开(公告)号：CN105895490A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610451176.8

申请日：2012-12-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·雅克布卡纳里克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供了一种用于处理在室中衬底的方法，该室具有至少一个等离子体发生源、用于提供反应性气体进入该室的内部区域的反应性气体源和用于提供非反应性气体进入所述内部区域的非反应性气体源。该方法包括执行混合模式脉冲(MMP)准备阶段，包括使反应性气体流入所述内部区域以及形成第一等离子体以处理被放置在工件夹具上的衬底。该方法还包括执行MMP反应阶段，包括使至少非反应性气体流入所述内部区域以及形成第二等离子体以处理所述衬底，第二等离子体是由在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流形成，在所述MMP反应阶段期间的反应性气体流少于在所述MMP准备阶段期间的反应性气体流。多次执行所述方法、步骤。

公开(公告)号：CN102763197B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080038535.8

申请日：2010-08-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃勒·Y·朱科 ,  纽戈·希恩 ,  金允尚 ,  安德鲁·拜勒

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334

Abstract: 在处理室内等离子体处理期间控制斜角蚀刻速率的装置。该装置包括功率源和气体分布系统。该装置还包括下电极，该下电极配置为至少支撑基板。该装置进一步包括位于该基板上方的顶部环形电极和位于该基板下方的底部环形电极。该装置还包括第一匹配装置，该第一匹配装置耦合到该顶部环形电极并配置为至少控制流经该顶部环形电极的电流以控制用于蚀刻至少部分基板顶部边缘的等离子体的量。该装置进一步包括第二匹配装置，该第二匹配装置配置为控制流经底部环形电极的电流以控制用于至少蚀刻至少部分基板底部边缘的等离子体的量。

公开(公告)号：CN102742365B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080062730.4

申请日：2010-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  沃特·R·梅丽 ,  瑟乔伊·弗库达·秀吉 ,  张春雷 ,  亚莎斯维尼·帕特 ,  达·D·源 ,  蒂娜·琼 ,  沙恩·C·尼维尔 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  费纳多·M·斯李维亚 ,  巴德·L·梅斯 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  汉密第·诺巴卡施

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32009 ,  G05B6/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/0081

Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。

公开(公告)号：CN105789027A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610017911.4

申请日：2016-01-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·雅各布斯·卡纳里克 ,  杰弗里·马克斯 ,  哈梅特·辛格 ,  萨曼莎·坦 ,  亚历山大·卡班斯凯 ,  杨文斌 ,  特塞翁格·金姆 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  索斯藤·利尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831 ,  H01L43/12 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。

公开(公告)号：CN105762073A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610004225.3

申请日：2016-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 谭忠魁 ,  符谦 ,  萧怀宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及用于各向异性钨蚀刻的方法和装置。各向异性地蚀刻含钨材料(如掺杂或未掺杂的钨金属)的方法包括用Cl2等离子体和用含氧自由基循环处理钨表面。在衬底被电偏置时，进行利用氯等离子体的处理，从而导致在衬底上的主要的水平表面的蚀刻。利用含氧自由基处理来钝化衬底的表面以进行蚀刻，并保护衬底的垂直表面，如凹入特征的侧壁，不被蚀刻。用Cl2等离子体和用含氧自由基进行的处理可以重复以去除所需量的材料。可以在例如氧化硅、氮化硅和氧氮化硅等电介质材料的存在下选择性地进行各向异性蚀刻。