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公开(公告)号：CN106653528A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611246012.8
申请日：2016-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种阴极组件及具有该阴极组件的X射线光源与CT设备。阴极组件包括陶瓷插头及陶瓷插座。陶瓷插头具有相对设置的第一端和第二端，第一端的外端面上设有四个接线端子，且第一端的外周面上设有外凸的定位部。陶瓷插头内部形成一内腔，内腔的开口位于第二端，内腔内设置有阴极，阴极具有灯丝，灯丝具有正极引线和负极引线；第二端的端面上设有栅网，栅网具有栅压信号线，阴极表面有阴极表面引线，灯丝正极引线、灯丝负极引线、栅压信号引线和阴极表面引线分别电性连接于其中一个接线端子。陶瓷插座具有四个接线筒子，陶瓷插座能够与陶瓷插头的第一端相接触，四个接线筒子能够与四个接线端子电性连接。
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公开(公告)号：CN103238201B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080070417.5
申请日：2010-12-03
Applicant: 伊克斯拉姆公司
IPC: H01J35/18
CPC classification number: H01J35/18 , H01J35/00 , H01J35/02 , H01J35/025 , H01J35/08 , H01J2235/082 , H01J2235/168 , H01J2235/183 , H05G1/08
Abstract: 一种X-射线窗口包括主窗口元件（22）和辅助窗口元件（70）。为了通过电阻加热蒸发碎片，电流流过辅助（上游）窗口元件。同时，由电子照射和/或沉积的带电粒子引起的电荷将被从窗口元件排出。为了防止大的碎片粒子短路窗口元件，并改变所希望的加热模式，用于加热窗口元件的电流流过与电荷漏层（76）绝缘的层（72）。
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公开(公告)号：CN105144848A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480019698.X
申请日：2014-03-14
Applicant: 摩擦透视公司
CPC classification number: H01J35/08 , H01J35/02 , H01J35/06 , H01J35/18 , H01J35/20 , H01J2235/186 , H05G2/00
Abstract: 一种x射线装置利用材料带以在维持为低流体压力的室内通过摩擦充电交换电荷。利用所述电荷在外壳内产生x射线，所述x射线可穿过所述外壳的窗。可将各种接触棒用作所述摩擦充电过程的部分。
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公开(公告)号：CN104465278A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410844818.1
申请日：2014-12-31
Applicant: 江苏天瑞仪器股份有限公司
IPC: H01J35/02
CPC classification number: H01J35/02
Abstract: 本发明公开了一种X射线管散热装置，包括X射线管；圆筒状导风筒，所述X射线管安装在所述导风筒中心位置，所述X射线管中轴线与所述导风筒中轴线重合；散热部件，所述散热部件安装在所述X射线管和所述导风筒之间，所述散热部件为铜质金属片；进风口，所述进风口安装在所述导风筒的下部；风力装置，所述风力装置与所述进风口相联。
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公开(公告)号：CN104465277A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410667869.1
申请日：2014-11-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种用于线阵列微纳焦点X射线源的点状串列靶，包括靶基和设置在靶基上的点状串列靶点，所述点状串列靶点包括若干个点状靶点，若干个点状靶点按一定的距离间隔排列，所述靶点转化为X射线的能力远大于靶基。本发明所产生的焦斑大小仅由点状靶结构的形状和大小来决定，与电子束大小不发生直接联系，这样有利于形成稳定的、微纳尺寸的多焦点阵列，大大降低了对电子束聚焦尺寸、扫描偏转精度控制等的要求，简化了微纳射线源聚焦、偏转系统结构，降低了加工制造难度，从而降低了生产成本，为实现亚微米甚至纳米级焦点尺寸的线阵多焦点射线源提供了一条可行的路线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319217A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410558790.5
申请日：2014-10-20
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低能量电子枪，其包括：发射电子的电子发射装置；加速引导上述电子，用于控制电子的数量和速度的栅极装置；对上述电子形成的电子束进行形状约束的聚焦装置；将上述装置容纳于其腔体内的电子枪壳；以及将上述电子发射装置、栅极装置以及聚焦装置固定于上述电子枪壳腔体内，起固定支撑作用的支撑装置；所述聚焦装置由三个相互配合的环形电极构成；其中一个环形电极为正电位电极，其前端通过绝缘球与其余两个环形电极绝缘隔开，其后端同样通过绝缘球与栅极装置绝缘隔开；其余两个环形电极相互配合构成一电极结构，且该电极结构处于零电位。本发明提供的电子枪具有低能量、电子数量和能量等级可调、结构紧凑和使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN104067367A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280067869.7
申请日：2012-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01N23/04 , H01J35/02 , H01J35/08 , H01J2235/084 , H01J2235/087
Abstract: 提供了一种放射线发射靶和放射线产生设备，其通过保持层状放射线靶的稳定粘合降低了由于操作和温度历史导致的输出变化，并且实现了稳定放射线发射特性。放射线靶包括支撑基板、当被电子束照射时发射放射线的靶层以及位于支撑基板和靶层之间的中间层。中间层具有1μm或更小的厚度，并且包含钛作为主要成分。钛的至少一部分在400℃或更低显现β相。
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公开(公告)号：CN1350320A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01132866.5
申请日：2001-07-20
Applicant: 工业控制机器公司
CPC classification number: H05G1/02 , H01J35/02 , H01J2235/165 , H05H5/02
Abstract: 本发明涉及一种粒子加速器。加速器包括由导电材料制成带有中心轴线的腔室(h)。阳极(a)沿中心轴线电连接到腔室;阴极(b)沿中心轴线封装在腔室中;绝缘部件(c)将阴极连接到腔室,绝缘部件包括由电极(k1至k6)分隔开的几段。绝缘体沿中心轴线在由阳极(a)和阴极(b)形成的区域的延伸部设置在腔室(h)中。
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公开(公告)号：WO2017135778A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/KR2017/001268
申请日：2017-02-06
Applicant: (주)선재하이테크
Abstract: 본 발명에 따른 엑스선관의 교체가 용이한 엑스선 이오나이저는, 특수 제작된 체결 볼트가 걸림식으로 거치된 X선관 모듈과, 상기 X선관 모듈과의 탈착이 가능토록 형성된 전압 발생 어셈블리 및, 내부에 상기 전압 발생 어셈블리를 수용한 바 형상의 바디;를 포함하여, 체결 볼트를 이용해 상기 바디 내에 수용된 전압 발생 어셈블리로부터 상기 X관 모듈이 간편하게 탈착되도록 한 것을 특징으로 한다. 이러한 엑스선 이오나이저는, 단수의 X선관 모듈을 구비한 박스 형상으로 형성되어 소규모 공간에 컴팩트하게 적용되거나, 바 형상으로 구현되어 대면적에 간편하게 적용되도록 하는 것이 가능하고, 신규한 구성의 체결 볼트를 이용하여 소모성 부품인 X선관만을 별도의 공구 없이 작업자가 간편하게 교체할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation:
透视电离器根据I，曾经可能特别紧固螺栓被安装到接合表达。制造的X射线管组件本发明与X射线管模块的解吸更换容易的X射线管的 电压产生组件包括电压产生组件和容纳电压产生组件的棒状体，X管组件通过紧固螺栓可容易地从容纳在体内的电压产生组件中拆卸。 这些X射线离子发生器，被形成为具有在新颖配置的单数或紧凑地施加到小区域，在棒状实现可以如此容易地施加到大的面积，并在紧固螺栓的X射线管组件的盒状 这样操作人员无需使用单独的工具即可轻松更换X射线管的易损部件。
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公开(公告)号：WO2016091981A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/EP2015/079175
申请日：2015-12-09
Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
Inventor： ROESSL, Ewald , DAERR, Heiner
Abstract: The present invention relates to an X-ray detector comprising a directly converting semiconductor layer (60) having a plurality of pixels for converting incident radiation into electrical measurement signals with a band gap energy characteristic of the semiconductor layer, wherein said incident radiation is x-ray radiation emitted by an x-ray source (2) or light emitted by at least one light source (30, 33). Further, an evaluation unit (67) is provided for calculating evaluation signals per pixel or group of pixels from first electrical measurement signals generated per pixel or group of pixels when light from said at least one light source at a first intensity is coupled into the semiconductor layer and second electrical measurement signals generated per pixel or group of pixels when light from said at least one light source at a second intensity is coupled into the semiconductor layer, wherein said evaluation unit is configured to detect per pixel or group of pixels a noise peak in said first and second electrical measurement signals and to determine offset and gain per pixel or group of pixels from the detected noise peaks. A detection unit (69) is provided for determining detection signals from electrical measurement signals generated when x-ray radiation is incident onto the semiconductor layer, and a calibration unit (68) is provided for calibrating the detection unit on the basis of the evaluation signals.
Abstract translation: 本发明涉及一种X射线检测器，其包括具有多个像素的直接转换半导体层（60），用于将入射辐射转换成具有半导体层的带隙能量特性的电测量信号，其中所述入射辐射为x- 由X射线源（2）发射的射线辐射或由至少一个光源（30,33）发射的光。 此外，提供评估单元（67），用于当来自第一强度的来自所述至少一个光源的光耦合到半导体中时，从每个像素或像素组产生的第一电测量信号计算每像素或像素组的像素或者像素组 当来自所述至少一个光源的来自第二强度的光耦合到半导体层中时，每像素或一组像素产生层和第二电测量信号，其中所述评估单元被配置为检测每像素或像素组噪声峰值 在所述第一和第二电测量信号中，并且从检测到的噪声峰值确定每像素或一组像素的偏移和增益。 提供检测单元（69），用于确定当x射线辐射入射到半导体层上时产生的电测量信号的检测信号，并且提供校准单元（68），用于基于评估信号校准检测单元 。
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