公开(公告)号：EP2076916A1

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：EP07819370.3

申请日：2007-10-26

Applicant: Hauzer Techno Coating BV

Inventor： TIETEMA, Roel ,  PAPA, Frank ,  SESINK, Geert ,  THOMASITA, René

IPC: H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3485

Abstract: A dual magnetron sputtering power supply for use with a magnetron sputtering apparatus having at least first and second sputtering cathodes for operation in the dual magnetron sputtering mode, there being a means for supplying a flow of reactive gas to each of said first (1) and second (4) cathodes via first (12) and second (14) flow control valves each associated with a respective one of said first and second cathodes and each adapted to control a flow of reactive gas to the respectively associated cathode, the power supply having, for each of said first and second cathodes a means for deriving a feed-back signal relating to the voltage prevailing at that cathode, a control circuit for controlling the flow of reactive gas to the respectively associated cathode by controlling the respective flow control valve and adapted to adjust the respective flow control valve to obtain a voltage feedback signal from the respective cathode corresponding to a set point value set for that cathode. Also claimed is a magnetron sputtering apparatus in combination with such a power supply.

公开(公告)号：JP5174825B2

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：JP2009533743

申请日：2007-10-26

Applicant: ハウザー テクノ−コーティング ベー.フェー.Hauzer Techno−Coating B.V.

Inventor： ティーテマ、ロール ,  パパ、フランク ,  セシンク、ゲルト ,  トーマシタ、ルネ

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3485

公开(公告)号：JP2010507728A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：JP2009533743

申请日：2007-10-26

Applicant: ハウザー テクノ−コーティング ベー.フェー.Hauzer Techno−Coating B.V.

Inventor： セシンク、ゲルト ,  ティーテマ、ロール ,  トーマシタ、ルネ ,  パパ、フランク

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3485

Abstract: デュアルマグネトロンスパッタリングモードで動作する、少なくとも第１および第２のスパッタリングカソードを備えるマグネトロンスパッタリング装置に使用するデュアルマグネトロンスパッタリング電源であって、それぞれ前記第１および第２のカソードに伴われ、かつそれぞれが対応する前記第１および第２のカソードへの反応ガス・フローを制御するように適合された第１のフロー制御バルブ（１２）および第２のフロー制御バルブ（１４）を介して、前記第１のカソード（１）および第２のカソード（４）のそれぞれに対して反応ガス・フローを供給するための手段を備え、前記電源は、前記第１および第２のカソードのそれぞれについて、前記カソードで発生する過剰な電圧に関連してフィードバック信号を送付する手段と、前記それぞれのフロー制御バルブを調整することにより前記それぞれのカソードが伴うそれぞれのフロー制御バルブへの前記反応ガス・フローを制御するともに、前記それぞれのカソードから前記カソードについて設定される設定値に対応した電圧フィードバック信号を取得するように、前記フローバルブを調整する制御回路と、を備えるデュアルマグネトロンスパッタリング電源である。 また、このような電源が組み込まれたマグネトロンスパッタリング装置が請求されている。

公开(公告)号：KR1019990084041A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019990038195

申请日：1999-09-08

Applicant: 한국생산기술연구원 ,  김재홍

Inventor： 리의재 ,  김재홍 ,  김창조

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3485

Abstract: 본발명은다원계증착을위해증발표적(target)의표면오염방지용나누개및 기판오염방지용가리개를가진증착조에관한것으로, 그목적은물리적기상증착장비의작업공정수행중에나타나는단점을간단히해결하여박막의품질과연구효율을높이고, 동일한직경의증착조내에더 많은수의음극체를설치하여효율적으로사용할수 있도록하는데있다. 본발명의구성은전리체(plasma) 증착장치에있어서, 여러개의구멍이뚫려있고, 일정깊이를갖는홈을내어기판(43)이고정될수 있도록한 기판지지대(44); 증착시킬기판만을노출시켜원하는물질만을증착시킬수 있도록한 구동장치(42)에의해회전하는가리개(10); 동작하지않는음극체(46)의표적표면이오염되는것을방지하도록나누어격리시키는구멍(21)이표적표면과수직선상에뚫려있는나누개(20); 표적표면과기판사이의거리조절을위해상하로움직여조정하는다수의음극체(46); 그리고진공상태인증착조(45)의내부상황을확인하고, 증착작업시기판(43)의위치를확인하는창문(47)으로구성된다.

公开(公告)号：KR1020140108672A

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020147018427

申请日：2012-11-23

Applicant: 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘

Inventor： 크라스니트저,시그프리드

IPC: H01J37/34 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3485 ,  C23C14/0094 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3485

Abstract: 본 발명은 반응성 스퍼터링 방법에 관한 것으로, 이온 충격에 의해 물질이 제 1 타겟의 표면으로부터 토출되고 가스 페이즈로의 전이를 거치며, 여기서 음 전압이 펄스 방식으로 타겟으로 인가됨으로써, 0.5A/cm
2 보다 큰 전류 밀도를 갖는 전류가 타겟 표면에서 발생하도록 하고, 가스 페이즈로의 전이를 거치는 물질은 적어도 부분적으로 이온화되며, 반응성 가스 유량이 설정되어 반응성 가스가 타겟 표면의 물질과 반응하도록 한다. 전압 펄스 동안에 전류가 흐르는 지점(들)에서 대부분의 시간에, 타겟 표면은 반응성 가스와 타겟 물질로 이루어지는 화합물로 적어도 부분적으로 덮이며, 따라서 타겟 표면은 제 1 중간상태에 있고, 이 덮인 상태는 전압 펄스의 시작에서보다 전압 펄스의 말미에서 더 작으며, 따라서 타겟 표면은 전압 펄스의 말미에서 제 2 중간 상태에 있도록, 전압 펄스의 지속시간이 선택된다.

公开(公告)号：JPWO2012090475A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：JP2012550725

申请日：2011-12-26

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 陽介 渋谷 ,  陽介 渋谷

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3476 ,  B08B7/00 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3461 ,  H01J37/3482 ,  H01J37/3485

Abstract: 本発明は、ターゲットの表面状態を判定して必要な部分のクリーニングを正確かつ迅速に実行可能な手段を提供する。ターゲット(5)の表面に磁場を形成可能な磁石ユニット(4)と、磁石ユニットを駆動し、ターゲット表面での磁場の形成位置及び強さに対応する磁場形成パターンを変更可能な回転系(8)と、磁石ユニットにより磁場を形成させ、ターゲットが取り付けられたターゲット電極に放電用電圧を印加したときのターゲット電流を計測する電流計(59)とを備える。回転系により磁石ユニットの位置を様々に変化させ、各位置でターゲット電流を計測して基準値と比較することによって、各位置におけるクリーニングの要否を判定し、必要な部分にのみクリーニングを実施することができる。

公开(公告)号：JP5429796B2

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：JP2009193748

申请日：2009-08-25

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 由光 島根 ,  述夫 山口

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3485

公开(公告)号：JP2011046971A

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：JP2009193748

申请日：2009-08-25

Applicant: Canon Anelva Corp ,  キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： SHIMANE YOSHIMITSU ,  YAMAGUCHI NOBUO

IPC: C23C14/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/682 ,  C23C14/042 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3485

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask positioning mechanism capable of reducing generation of particles and positioning a mask at high accuracy, and a vacuum processing apparatus having the mask positioning mechanism. SOLUTION: The mask positioning mechanism includes a substrate holder 7 having four taper pins and vertically movable when conveying substrates, and a mask 31 having a groove 37 with each taper pin being insertable therein. Each taper pin consists of a pair of a long taper pin 35a and a short taper pin 35b arranged opposite to each other across the substrate, and tapered surface formed respectively on the long taper pin and the short taper pin are located at different levels. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以高精度减少颗粒的产生和定位掩模的掩模定位机构，以及具有掩模定位机构的真空处理装置。 掩模定位机构包括具有四个锥形销的基板保持件7，并且在输送基板时可垂直移动;以及具有凹槽37的掩模31，每个锥形销可插入其中。 每个锥销由一对长的锥销35a和跨越基板彼此相对布置的短锥销35b组成，并且分别形成在长锥销和短锥销上的锥形表面位于不同的水平。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR20180034679A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20187007936

申请日：2016-08-19

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56

CPC classification number: H01J37/3417 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3485

Abstract: 다수의타겟재료들을공동-스퍼터링하기위한방법들및 장치의실시예들이본원에서제공된다. 일부실시예들에서, 프로세스챔버는: 기판을지지하기위한기판지지부; 캐리어에커플링되고, 그리고기판상에스퍼터링될대응하는복수의타겟들을갖는복수의캐소드들; 및캐리어에커플링되고, 그리고복수의타겟들의인접한쌍들사이에연장되는프로세스차폐부를포함한다.

Abstract translation: 这里提供了用于共溅射多种靶材料的方法和设备的实施例。 在一些实施例中，处理室包括：用于支撑衬底的衬底支撑件; 多个阴极，所述多个阴极耦合到所述载体并具有相应的多个待溅射在所述衬底上的靶; 以及耦合到载体并且在多个目标的相邻对之间延伸的处理屏蔽。

公开(公告)号：KR1020000071671A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1020000019286

申请日：2000-04-12

Applicant: 가부시키가이샤 알박

Inventor： 나까지마구니아끼 ,  곤도도모야스 ,  사호다즈요시 ,  히구찌야스시 ,  고마쯔다까시

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3447 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/34 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3485

Abstract: 입사각을작게할 수있는스퍼터링장치를제공한다. 진공챔버 (11) 내에, 타겟 (5∼ 5)과같은위치에구멍 (31 ∼ 33) 이설치된복수의실드판 (21 ∼ 23) 을배치한다. 타겟 (5∼ 5) 으로부터비스듬하게튀어나온스퍼터링입자는실드판 (21 ∼ 23) 의표면에부착되고, 수직으로튀어나온것만이기판 (12) 표면에도달할수 있다. 따라서, 높은종횡비의미세공내에박막을균일하게형성할수 있다. 스퍼터링가스를타겟 (5∼ 5) 부근으로부터유입하고, 반응성가스를기판 (12) 부근으로부터유입하고, 기판 (12) 부근으로부터진공배기하면, 타겟 (5∼ 5) 측에는반응성가스가진입하지않으므로, 타겟 (5∼ 5) 표면의변질을방지할수 있다.