Patent search cpc:"H01L2224/83201" Page 5

41.

发明公开
多基准集成式散热器（IHS）解决方案有权

公开(公告)号：CN108292637A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068468.1

申请日：2016-10-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.乔德胡里 , J.比蒂 , P.乔德哈里

IPC: H01L23/367 , H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/10 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27848 , H01L2224/29019 , H01L2224/29021 , H01L2224/29022 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29163 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8321 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/92225 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1304 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/0532 , H01L2924/01004 , H01L2924/0103 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01048 , H01L2924/01072 , H01L2924/00012

Abstract: 描述了帮助冷却半导体封装（诸如多芯片封装（MCP））的方法、系统和装置。一种半导体封装包括衬底上的部件。该部件可以包括一个或多个半导体管芯。该封装还可以包括多基准集成式散热器（IHS）解决方案（也被称为智能IHS解决方案），在这里该智能IHS解决方案包括智能IHS盖。该智能IHS盖包括在智能盖的中心区域中形成的腔。该智能IHS盖可以在部件上，以使得该腔对应于该部件。第一热界面材料层（TIM层1）可以在部件上。单独IHS盖（IHS块）可以在TIM层1上。该IHS块可以被插入腔中。此外，中间热界面材料层（TIM-1A层）可以在IHS块和腔之间。

42.

发明公开
集成扇出型封装件有权

公开(公告)号：CN107887346A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201611112499.0

申请日：2016-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱铭彦 , 张兢夫 , 黄信杰

IPC: H01L23/31 , H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/27002 , H01L2224/27003 , H01L2224/32013 , H01L2224/32059 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83201 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/35121 , H01L2924/37001 , H01L2224/214 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L23/3121 , H01L23/498 , H01L23/49838

Abstract: 提供一种集成扇出型封装件，所述集成扇出型封装件包括管芯贴合膜、集成电路组件、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件配置于所述管芯贴合膜上且包括多个导电端子。所述管芯贴合膜包括升高的边缘，所述升高的边缘朝所述集成电路组件的侧壁凸起。所述绝缘包封体包覆所述升高的边缘及所述集成电路组件。所述重布线路结构配置于所述集成电路组件及所述绝缘包封体上，且所述重布线路结构电连接至所述集成电路组件的所述导电端子。还提供一种制作集成扇出型封装件的方法。

43.

发明授权
具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104867898B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510087951.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·冯克布林斯基 , U·法斯特纳 , A·布罗克迈尔 , P·佐恩

IPC: H01L23/495 , H01L21/60

CPC classification number: H01L21/52 , H01L21/4803 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/051 , H01L23/3677 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/0346 , H01L2224/2101 , H01L2224/214 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/2732 , H01L2224/29011 , H01L2224/29188 , H01L2224/2919 , H01L2224/32105 , H01L2224/32111 , H01L2224/32155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/82105 , H01L2224/82947 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/9202 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/15156 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2224/19 , H01L2224/83

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法。提供了一种具有各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底。半导体芯片布置在插口中，并且在插口中镀覆金属以在半导体芯片上形成与该半导体芯片接触的金属结构。对载体衬底进行切割以形成单独的半导体器件。

44.

发明公开
各向异性导电膜及使用各向异性导电膜的显示装置有权

公开(公告)号：CN107464796A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710383381.X

申请日：2017-05-26

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李忠硕 , 朴东熙 , 安徹根 , 吴知勋 , 张议允 , 黄晸护

IPC: H01L23/488 , H01B5/16

CPC classification number: H01L27/3276 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L51/0096 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/271 , H01L2224/29005 , H01L2224/29028 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/2929 , H01L2224/29293 , H01L2224/2939 , H01L2224/29391 , H01L2224/294 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32148 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/743 , H01L2224/81191 , H01L2224/81903 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2251/5369 , H01L2924/07811 , H01L2924/1426 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01B5/16 , H01L2224/29291 , H01L2224/29298 , H01L2224/32227

Abstract: 本发明涉及各向异性导电膜及使用各向异性导电膜的显示装置。一种各向异性导电膜，包括：导电层；第一树脂绝缘层，在导电层的第一表面上方；以及第二树脂绝缘层，在导电层的第二表面上方，其中，导电层包括多个导电粒子和将多个导电粒子连接至彼此的纳米纤维，多个导电粒子中的每一个包括具有锥形的多个针状突出部，并且其中，第一树脂绝缘层和第二树脂绝缘层包括相同的材料并且具有不同的厚度。

45.

发明公开
半导体制造装置及制造方法有权

公开(公告)号：CN107424942A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710362993.0

申请日：2017-05-22

Applicant: 株式会社吉帝伟士

Inventor： 甲斐稔

IPC: H01L21/67 , H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/681 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/49833 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/27334 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/75301 , H01L2224/75702 , H01L2224/75745 , H01L2224/75802 , H01L2224/75804 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/83123 , H01L2224/8313 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/97 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供既可维持半导体芯片对于被搭载体的被粘接面的搭载精度，又可缩短芯片贴装所消耗的时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体制造装置包括：工作台，与真空发生器相连接，用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片；吸附控制部，连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部，控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接；拾取部，用于拾取所述多个半导体芯片的各个；以及控制部，用于控制所述拾取部的移动和旋转，并控制所述吸附控制部，所述拾取部利用所述控制部将所述半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而粘结。

46.

发明公开
用于制造材料配合的连接的方法和自动装配设备有权

公开(公告)号：CN106206522A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610366089.2

申请日：2016-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·霍伊克 , M·马奇托 , R·斯佩克尔斯

IPC: H01L23/49 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 , B22F7/064 , B32B5/16 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B2250/03 , B32B2264/105 , B32B2310/028 , B32B2311/12 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , B32B2457/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L2224/27436 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/75281 , H01L2224/75282 , H01L2224/75315 , H01L2224/75349 , H01L2224/7555 , H01L2224/75611 , H01L2224/7565 , H01L2224/83005 , H01L2224/831 , H01L2224/83136 , H01L2224/83191 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L23/49 , H01L24/43 , H01L24/91

Abstract: 本发明的第一方面涉及一种用于在第一接合件和第二接合件之间制造材料配合的连接的方法。在该方法中借助于自动的粉末载体供给装置提供粉末载体，在粉末载体上施加含有金属粉末的粉末层。将第一接合件按压至位于粉末载体之上的粉末层，以使得粉末层区段粘附第一接合件，将第一接合件和粘附至第一接合件的粉末层区段从粉末载体一起取下，在第一接合件和第二接合件之间安置粘附至第一接合件的粉末层区段。在第一接合件和所述第二接合件之间通过将第一接合件和第二接合件相对彼此地按压来制造烧结连接，以使得粉末层区段既接触所述第一接合件也接触所述第二接合件。粉末层区段在相对彼此地按压的期间烧结。

47.

发明授权
利用金属/金属结合制造复合结构的方法有权

公开(公告)号：CN104412360B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380034211.0

申请日：2013-06-05

Applicant: 索泰克公司

Inventor： I·拉杜 , M·波卡特 , 阿诺德·卡斯泰 , 格维塔兹·戈丹 , G·里奥

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L22/12 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L2224/29124 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83895 , H01L2924/01014 , H01L2924/0504 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , Y10T428/12493 , Y10T428/12639 , Y10T428/12646 , Y10T428/12653 , Y10T428/12674

Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。