公开(公告)号：CN108133903A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711247165.9

申请日：2017-12-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大塚庆崇 ,  中满孝志 ,  大森阳介 ,  菅川贤治

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L24/75 ,  B32B15/01 ,  B32B37/0046 ,  B32B37/10 ,  B32B41/00 ,  B32B2041/04 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/7515 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/7555 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/75986 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83908 ,  H01L21/67121 ,  H01L21/67242

Abstract: 本发明涉及接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(WU)与下晶圆(WL)进行接合的接合装置具有：上卡盘(140)，其进行抽真空来将上晶圆(WU)吸附保持在其下表面；下卡盘(141)，其设置在上卡盘(140)的下方，进行抽真空来将下晶圆(WL)吸附保持在其上表面；压动构件(190)，其设置于上卡盘(140)，用于按压上晶圆(WU)的中心部；以及多个传感器(175)，多个传感器(175)设置于上卡盘(140)，检测上晶圆WU的从上卡盘(140)的脱离。

公开(公告)号：CN105073883B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480018168.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 杉山雅哉 ,  河濑康弘 ,  池本慎 ,  桐谷秀纪 ,  山崎正典

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/013 ,  C08K5/17

CPC classification number: C09D163/00 ,  C08G59/5033 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/36 ,  C08K3/38 ,  C08K5/18 ,  C08K5/42 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/282 ,  C08K2003/385 ,  C08L63/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。

公开(公告)号：CN106971947A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611019931.1

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/83192

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供第一半导体工件；在半导体工件的第一表面上沉积第一膜；在对预定波长范围内的光具有透射性的衬底上沉积第二膜；以及在预定接合温度和预定接合压力下将第一膜接合至第二膜。

公开(公告)号：CN106373897A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610391356.1

申请日：2016-06-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·厄施勒

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83801 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明一方面涉及一种用于将半导体芯片半导体本体(1)以及钝化物(4)，所述半导体本体具有底侧(1b)以及与所述底侧相对的上侧(1t)，所述钝化物布置在所述上侧上。在该方法中，半导体芯片被接收并且被放置在载体上。借助于挤压力(F)将半导体芯片压到载体上，以使得挤压力仅仅在一个或多个布置在上侧上的相连的芯片金属化部段(21，23)之上作用于半导体芯片，其中，所述相连的芯片金属化部段中的每一个具有一个环形地闭合的边缘部段(21r，23r)，所述边缘部段在每个垂直于挤压方向(z)的方向(x，y)上具有一个大于零的最小宽度(b)，其中，挤压力不在所述边缘部段之上作用于所述半导体芯片。(100)定位在载体(3)上的方法。半导体芯片具有

公开(公告)号：CN104617003A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410609759.X

申请日：2014-11-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·里希特

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  G01B11/30

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/77 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/60 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明涉及一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，所述方法具有至少以下步骤：制造或提供具有第一表面(4)的电路载体(1)以及具有第二表面(6)的单片半导体元件(2)；求取所述电路载体(1)的第一表面(4)的高度轮廓；施加第一接触机构到所述第一表面(4)上并且施加分配给所述第一接触机构的第二接触机构到所述第二表面(6)上，其中，根据所求取的高度轮廓选择所述第一接触机构的第一接触高度和/或所述第二接触机构的第二接触高度，在所述电路载体(1)上装配所述半导体元件(2)，并且通过安放所述第二接触机构到所述第一接触机构上以及挤压所述半导体元件(2)与所述电路载体(1)在所述第一接触机构和/或所述第二接触机构变形的情况下构造在所述第一接触机构与所述第二接触机构之间的电连接。

公开(公告)号：CN102971841A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033429.5

申请日：2011-07-05

Applicant: 原子能和代替能源委员会

Inventor： J.布鲁恩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L23/13 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/038 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0108 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 根据本发明，提供有涂有电绝缘材料的导线（3）的基板浸灌有可聚合材料（4）。用于芯片（2）的容放区域（5）通过变形形成在基板（1）的表面上。容放区域（5）采用可聚合材料（4）硬化。芯片（2）设置在容放区域（5）中，并且芯片（2）的电连接区域（8）电连接到基板（1）的导线（3）。

公开(公告)号：CN101887887A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010179977.6

申请日：2010-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 马克塔·G·法鲁克 ,  萨布拉马尼安·S·伊耶

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105

Abstract: 一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐，使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合，其中接合的金属层形成电隔离层。

公开(公告)号：CN107797348A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710793736.2

申请日：2017-09-06

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 吴明洙

IPC: G02F1/1345

CPC classification number: H01L23/49838 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3255 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/15192

Abstract: 本申请提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；像素，像素连接至位于衬底上的栅极线和数据线；连接单元，连接单元连接至位于衬底上的栅极线和数据线之一；以及驱动集成电路，驱动集成电路安装在连接单元上。连接单元包括：引线，引线连接至驱动集成电路；以及至少一个第一虚设线，至少一个第一虚设线与连接单元的第一侧边相邻，连接单元的第一侧边与衬底的侧边交叉，第一虚设线不连接至包括驱动集成电路的连接单元的任一线和引线。

公开(公告)号：CN103943518B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410026183.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L.伯维

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: B22F7/08 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83205

Abstract: 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）之间制造牢固接合的连接，首先提供第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）。第一接合伙伴（1）具有第一连接面（11）以及与第一连接面（11）不同的、待保护的表面片段（12）。第二接合伙伴（2）具有第二连接面（21）。在待保护的表面片段（12）上施加保护层（3），使得待保护的表面片段（12）完全被所述保护层（3）覆盖。在将保护层（3）施加在待保护的表面片段（12）上的状态下，在第一连接面（11）与第二连接面（21）之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后，又将保护层（3）从所述待保护的表面片段（12）至少部分地去除。

公开(公告)号：CN106796898A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053121.5

申请日：2015-09-21

Applicant: 丹佛斯硅动力有限责任公司

Inventor： 罗纳德·艾西尔 ,  霍尔格·乌尔里奇

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F3/14 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7511 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83948 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，并且通过低温加压烧结接合材料将该电子部件连接到该电路载体上，其中，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可气密封闭的烧结室(10)中进行。烧结操作可以在几乎无氧的气氛中进行，只要存在含有足够的氧并且在压力下释放其的含氧材料，如特氟隆分隔膜(68)，使得在处理气氛中的最小氧浓度可以通过施加压力和温度在烧结位置直接实现。在封闭该烧结室(10)并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前可以经过一段时间以允许该室(10)内的材料与该低氧气氛的平衡。如果该电子组件在该低温加压烧结之后被部分氧化，则该电子组件可以用还原剂喷射或蒸发涂覆。