带电粒子束成像装置
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN119314844B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411854457.9

    申请日:2024-12-16

    Inventor: 孙伟强

    Abstract: 本申请公开了一种带电粒子束成像装置,包括:壳体,包括多个腔体,沿平行于带电粒子束成像装置的光轴的方向,多个腔体连通;可移动光阑,设置于壳体内,且位于相邻的两个腔体之间,可移动光阑包括主体部,主体部设有多个光阑孔,多个光阑孔的孔径互不相等;主体部可移动设置,以便将任一光阑孔移动至光轴处,以使可移动光阑两测的两个腔体通过该光阑孔连通,从而允许带电粒子束沿光轴的方向穿过该光阑孔。本申请公开的带电粒子束成像装置,能够增加带电粒子束成像装置的适用范围。

    一种光阑调节系统
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119581301A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411600480.5

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明涉及扫描电镜技术领域,公开了一种光阑调节系统,包括:盲板密封设在电镜光阑室的通孔上;光阑杆一端通过盲板过孔延伸至电镜光阑室内;在光阑杆上位于电镜光阑室内一端设有光阑片,在光阑片上设有光阑孔;双向移动装置与安装架连接;双向移动装置适于带动安装架沿X轴线方向平移和/或沿Y轴线方向平移;X轴线方向与Y轴线方向垂直;波纹管一端密封连接在盲板上,且波纹管内部与过孔连通;光阑杆另一端贯穿波纹管内部后,与安装架密封连接,波纹管与电镜光阑室内均为真空环境。本申请利用波纹管的柔韧性,保证在平移过程中,电镜光阑室和波纹管内始终处于高真空状态,不会由于移动速度过快,而致发生泄露。

    用于减轻永久磁铁阵列的杂散场的屏蔽策略

    公开(公告)号:CN117751285B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202280038017.9

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本公开提供一种检验系统及一种杂散场减轻的方法。所述系统包含电子束柱阵列、第一永久磁铁阵列及多个屏蔽板。所述电子束柱阵列各自包含经配置以朝向载物台发射电子的电子源。所述第一永久磁铁阵列经配置以将来自每一电子源的所述电子会聚成电子束阵列。所述第一永久磁铁阵列布置在所述电子束柱阵列的第一端处。所述多个屏蔽板在所述第一永久磁铁阵列下游在电子发射的方向上跨越所述电子束柱阵列延伸。所述电子束阵列穿过所述多个屏蔽板中的每一者中的多个孔隙,这减少在所述电子束阵列的径向方向上的杂散磁场。

    一种束张角可调的扫描电子束成像系统及电子束控制方法

    公开(公告)号:CN116798841B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202310873845.0

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种束张角可调的扫描电子束成像系统及电子束控制方法,属于扫描电子束成像技术领域。所述系统通过合理设置多级透镜与可移动孔径光阑的位置,一方面实现电子束束流调节以及束张角高度优化控制,使得高斯像,球差,色差,衍射等像差得到优化,从而得到电子束成像系统的最佳分辨率;另一方面各级透镜以及可移动孔径光阑结构和功能相对独立,工程易实现。本申请提供的扫描电子束成像系统,能够在保证低能扫描电子束高分辨成像的同时能够满足高能电子束不受浸没式复合物镜工作距离限制,实现最优高分辨成像;而且既可以针对磁性样品进行扫描成像,又可以对非磁性样品进行扫描成像。

    多带电粒子束设备和方法
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113892165B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202080039403.0

    申请日:2020-05-18

    Abstract: 公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系统和方法。该多射束设备可以包括:带电粒子源,被配置为沿着初级光轴生成初级带电粒子束;第一孔阵列,该第一孔阵列包括第一多个孔,该第一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级带电粒子束的多个初级子束;聚光透镜,包括沿着初级光轴可调的平面;以及第二孔阵列,该第二孔阵列包括第二多个孔,该第二多个孔被配置为生成与多个子束相对应的探测子束,其中多个探测子束中的每个探测子束包括至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性的对应初级子束的带电粒子的部分。

    一种用于超快扫描二次电子成像的E-T探测器

    公开(公告)号:CN114203503B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202111468462.2

    申请日:2021-12-03

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于超快扫描二次电子成像的E‑T探测器,该探测器包括承载本体、光电倍增管、光导管、闪烁体、栅网和滤光片;所述承载本体内依次设置有光电倍增管、光导管和闪烁体;位于所述闪烁体前方的所述承载本体前端设置所述栅网;所述光电倍增管和所述光导管之间设置有至少一个滤光片。本发明通过增加滤光片以及增镀铝膜,实现降低泵浦光与杂散光源对超快扫描成像的干扰,提升图像的信噪比,获得高质量的超快电子扫描图像。

    高处理量多电子束系统
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117099183B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202280016011.1

    申请日:2022-04-29

    Inventor: 姜辛容

    Abstract: 多个电子细束从单个电子束中分离。所述电子束通过加速管、限束孔径、安置于电子束源与所述加速管之间的阳极、所述限束孔径下游的聚焦透镜及所述加速管下游的微孔径阵列。所述微孔径阵列从所述电子束产生细束。所述电子束可从发散照明射束聚焦成远心照明射束。

    一种带电粒子双消色差三磁铁能量选择成像系统及方法

    公开(公告)号:CN118553581A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410617125.2

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 本发明涉及成像系统及方法,以解决现有技术采用四块二极磁铁、线束狭缝组件和真空管道组成,其空间占用面积到,导致成像装置在具体应用中受空间限制较大的技术问题。本发明提供的一种带电粒子双消色差三磁铁能量选择成像系统及方法,双消色散能量选择系统包括呈奇对称结构分布的第一偏转磁铁、第二偏转磁铁和第三偏转磁铁;带电粒子束沿带电粒子束路径依次穿过第一偏转磁铁、第二偏转磁铁和第三偏转磁铁后由成像板吸收并进行空间分布成像;电源控制系统分别用于调控通过第一偏转磁铁、第二偏转磁铁和第三偏转磁铁的线圈的电流,调节第一偏转磁铁、第二偏转磁铁和第三偏转磁铁的磁场强度,实现特定中心能量的带电粒子束的选择。

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