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公开(公告)号：TWI651514B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW107102721
申请日：2016-09-30
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪尼特許 , PANDEY,NITESH , 周子理 , ZHOU,ZILI , 柯蘭愛曼德 尤金尼 愛博特 , KOOLEN,ARMAND EUGENE ALBERT , 凡 德 鄒葛伯德 , VAN DER ZOUW,GERBRAND
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公开(公告)号：TW201907242A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107125776
申请日：2017-02-22
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 美商藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
Inventor： 庫必司麥克 , KUBIS,MICHAEL , 喬錢森馬利那 , JOCHEMSEN,MARINUS , 萬思理查 史蒂芬 , WISE,RICHARD STEPHEN , 沙瑪納德 , SHAMMA,NADER , 蒂希特葛麗希 雅南特 , DIXIT,GIRISH ANANT , 林內琳希貝思 , REIJNEN,LIESBETH , 維亞特琴納艾卡特莉娜 米卡羅孚納 , VIATKINA,EKATERINA MIKHAILOVNA , 盧卡茉莉莎 , LUCA,MELISA , 馬肯斯喬納斯 凱瑟尼斯 哈伯特斯 , MULKENS,JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS
IPC: G03F7/20
Abstract: 本發明揭示一種用以判定對一圖案化製程之諸如臨界尺寸之一所關注參數之校正的方法以及相關設備及電腦程式。該方法包括基於一結構之該所關注參數之一量測以及一曝光控制關係及一製程控制關係而判定對一曝光控制參數之一曝光控制校正及視情況判定對一製程控制參數之一製程控制校正。該曝光控制關係描述該所關注參數對該曝光控制參數之相依性，且該製程控制關係描述該所關注參數對該製程控制參數之相依性。該曝光控制校正及該製程控制校正可經共同最佳化以最小化後續經曝光及處理之結構之該所關注參數相對於一所關注目標參數的變化。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用以判定对一图案化制程之诸如临界尺寸之一所关注参数之校正的方法以及相关设备及电脑进程。该方法包括基于一结构之该所关注参数之一量测以及一曝光控制关系及一制程控制关系而判定对一曝光控制参数之一曝光控制校正及视情况判定对一制程控制参数之一制程控制校正。该曝光控制关系描述该所关注参数对该曝光控制参数之相依性，且该制程控制关系描述该所关注参数对该制程控制参数之相依性。该曝光控制校正及该制程控制校正可经共同最优化以最小化后续经曝光及处理之结构之该所关注参数相对于一所关注目标参数的变化。
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公开(公告)号：TWI648523B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106128346
申请日：2017-08-22
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
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公开(公告)号：TW201903536A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117845
申请日：2018-05-25
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V. , 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM
Inventor： 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 強森 吉傑斯伯特 賽門 馬泰斯 , JANSEN, GIJSBERT SIMON MATTHIJS , 費里森 拉爾斯 克里斯汀 , FREISEM, LARS CHRISTIAN , 艾奇瑪 卡傑德 希傑布蘭 艾德華 , EIKEMA, KJELD SIJBRAND EDUARD , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
Abstract: 一種度量衡裝置(302)包括用於產生(310) EUV輻射之一高階諧波產生(HHG)輻射源。使用包含一孔徑陣列(424、702)之一波前感測器(420)及一影像感測器(426)來監測該HHG源之操作。光柵(706)將穿過各孔徑之輻射分散，使得影像偵測器針對遍及光束之不同光譜分量及不同部位擷取高階繞射的位置及強度。以此方式，該波前感測器可經配置以量測多個諧波在該陣列中之各部位處的一波前傾斜。在一個實施例中，該等孔徑劃分成兩個子集(A)及(B)，各子集之該等光柵(706)具有一不同色散方向。光譜解析的波前資訊(430)被用於回饋控制(432)以穩定化該HGG源之操作，及/或改良度量衡結果之準確度。
Abstract in simplified Chinese: 一种度量衡设备(302)包括用于产生(310) EUV辐射之一高级谐波产生(HHG)辐射源。使用包含一孔径数组(424、702)之一波前传感器(420)及一影像传感器(426)来监测该HHG源之操作。光栅(706)将穿过各孔径之辐射分散，使得影像侦测器针对遍及光束之不同光谱分量及不同部位截取高级绕射的位置及强度。以此方式，该波前传感器可经配置以量测多个谐波在该数组中之各部位处的一波前倾斜。在一个实施例中，该等孔径划分成两个子集(A)及(B)，各子集之该等光栅(706)具有一不同色散方向。光谱解析的波前信息(430)被用于回馈控制(432)以稳定化该HGG源之操作，及/或改良度量衡结果之准确度。
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公开(公告)号：TW201903534A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112852
申请日：2018-04-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 霍特曼 馬克 , HAUPTMANN, MARC , 摩斯 艾佛哈德斯 柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 劉賢優 , YU, HYUNWOO , 韓敏燮 , HAN, MIN-SUB
Abstract: 對由複數個基板組成之一組半導體基板執行一種微影製程。作為該製程之部分，將該組基板分割成數個子集。該分割可基於與該等基板上之一第一層相關聯的一組特性。接著針對該組基板中之至少一個基板而判定一效能參數的一指紋。在一些情形下，針對基板之每一子集中之一個基板而判定該指紋。該指紋係與至少該第一層相關聯。接著導出與一後續層之一施加相關聯的該效能參數之一校正，該導出係基於該所判定指紋及對該組基板之該分割。
Abstract in simplified Chinese: 对由复数个基板组成之一组半导体基板运行一种微影制程。作为该制程之部分，将该组基板分割成数个子集。该分割可基于与该等基板上之一第一层相关联的一组特性。接着针对该组基板中之至少一个基板而判定一性能参数的一指纹。在一些情形下，针对基板之每一子集中之一个基板而判定该指纹。该指纹系与至少该第一层相关联。接着导出与一后续层之一施加相关联的该性能参数之一校正，该导出系基于该所判定指纹及对该组基板之该分割。
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公开(公告)号：TW201903533A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107111751
申请日：2018-04-03
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 保羅 亞歷山卓 , POLO, ALESSANDRO , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 柯蘭 愛曼德 尤金尼 愛博特 , KOOLEN, ARMAND EUGENE ALBERT
Abstract: 本發明揭示一種用於一檢測裝置之輻射接收系統，其包含具有數個輸入之一光譜儀，該檢測裝置用以對微影基板上之目標結構執行量測以作為一微影製程之一部分。該輻射接收系統包含：複數個輸入，各輸入經配置以提供來自一目標結構之輻射；一第一光學元件，其可操作以接收來自該複數個輸入中之各者的輻射；一第二光學元件，其可操作以接收來自該第一光學元件之輻射且散射該輻射；及一第三光學元件，其可操作以將該散射輻射導引至一偵測器上。該第二光學元件可例如為使入射輻射繞射成一輸出輻射光譜之一反射繞射光柵。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于一检测设备之辐射接收系统，其包含具有数个输入之一光谱仪，该检测设备用以对微影基板上之目标结构运行量测以作为一微影制程之一部分。该辐射接收系统包含：复数个输入，各输入经配置以提供来自一目标结构之辐射；一第一光学组件，其可操作以接收来自该复数个输入中之各者的辐射；一第二光学组件，其可操作以接收来自该第一光学组件之辐射且散射该辐射；及一第三光学组件，其可操作以将该散射辐射导引至一侦测器上。该第二光学组件可例如为使入射辐射绕射成一输出辐射光谱之一反射绕射光栅。
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公开(公告)号：TW201903511A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107116527
申请日：2018-05-16
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 范 戴 克豪夫 馬卡斯 安德納斯 , VAN DE KERKHOF, MARCUS ADRIANUS , 戴 威特 羅那堤 康尼斯 , DE WINTER, LAURENTIUS CORNELIUS , 凡 賽騰 伊爾柯 , VAN SETTEN, EELCO
IPC: G03F1/22
Abstract: 一種用於搭配一微影裝置使用之圖案化器件，該器件包含：一吸收體部分，其經組態以吸收入射輻射及反射入射輻射之一部分，該吸收體部分包含一第一層及一第二層，該吸收體部分之該第一層所包含之一第一材料不同於該吸收體部分之該第二層之一第二材料；一反射體部分，其配置於該吸收體部分下方，該反射體部分經組態以反射入射輻射；及一相位調諧部分，其配置於該反射體部分與該吸收體部分之間，該相位調諧部分經組態以在由該反射體部分反射之該輻射與由該吸收體部分反射之輻射之該部分之間誘發一相移，使得由該反射體部分反射之該輻射破壞性地干涉由該吸收體部分反射之輻射之該部分。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于搭配一微影设备使用之图案化器件，该器件包含：一吸收体部分，其经组态以吸收入射辐射及反射入射辐射之一部分，该吸收体部分包含一第一层及一第二层，该吸收体部分之该第一层所包含之一第一材料不同于该吸收体部分之该第二层之一第二材料；一反射体部分，其配置于该吸收体部分下方，该反射体部分经组态以反射入射辐射；及一相位调谐部分，其配置于该反射体部分与该吸收体部分之间，该相位调谐部分经组态以在由该反射体部分反射之该辐射与由该吸收体部分反射之辐射之该部分之间诱发一相移，使得由该反射体部分反射之该辐射破坏性地干涉由该吸收体部分反射之辐射之该部分。
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公开(公告)号：TW201843392A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107401
申请日：2018-03-06
Applicant: 漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION, INC. , 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 李方甫 , LI, FANGFU
Abstract: 本發明提供用於排空一腔室之系統及方法。排空系統可包含與該腔室耦接之一冷卻器，及一控制器。該控制器可經組態以判定該冷卻器或該腔室之一性質是否滿足一或多個條件。基於該性質滿足該一或多個條件之該判定，該控制器可經組態以將該冷卻器與該腔室隔離或控制該冷卻器之溫度以一或多個速率升高。該控制器可經進一步組態以控制一或多個泵以將該腔室泵抽至一基礎壓力值。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于排空一腔室之系统及方法。排空系统可包含与该腔室耦接之一冷却器，及一控制器。该控制器可经组态以判定该冷却器或该腔室之一性质是否满足一或多个条件。基于该性质满足该一或多个条件之该判定，该控制器可经组态以将该冷却器与该腔室隔离或控制该冷却器之温度以一或多个速率升高。该控制器可经进一步组态以控制一或多个泵以将该腔室泵抽至一基础压力值。
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公开(公告)号：TWI643033B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106124056
申请日：2017-07-19
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 沐恩 歐基里德 艾伯樂 , MOON, EUCLID EBERLE , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号：TWI643032B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106123332
申请日：2017-07-12
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 德 斯加 毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 波斯肯特 慕拉特 , BOZKURT, MURAT , 華那爾 派翠克 , WARNAAR, PATRICK , 凡 德 山登 史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN, STEFAN CORNELIS THEODORUS
IPC: G03F7/20
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