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公开(公告)号：CN113675306A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110518659.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种以低成本改善了结晶性并提升了亮度的化合物半导体外延片及其制造方法。所述化合物半导体外延片在由GaM构成的单晶基板(M为P或As)和由GaA(1‑a)Ma构成的混晶率恒定层(其中，A为P或As，M和A不同；且0≤a≤1)之间，包含由GaA(1‑x)Mx(其中，0≤x≤1)构成的混晶率变化层，混晶率变化层具有由A的混晶率增加部和A的混晶率减少部构成的多个阶梯，多个阶梯各自的厚度为2～4μm，在混晶率变化层中形成有5～19个阶梯，在各个阶梯之间，A的混晶率从单晶基板向混晶率恒定层增加。
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公开(公告)号：CN113658848A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110442064.7
申请日：2021-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
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公开(公告)号：CN113574213A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094084.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN107591463B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710521506.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明公开了一种发光组件，包含窗口层兼支承基板及设置于窗口层兼支承基板上的发光层，发光层依序含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中发光组件具有：经除去至少第一半导体层及活性层的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部而接与第一半导体层的第一奥姆电极、及设置于除去部而接与第二半导体层或窗口层兼支承基板的第二奥姆电极，其中在对应于为窗口层兼支承基板的发光层的相反侧的光提取面处的发光层的区域中，于较对应于发光层的区域更窄的范围设置有凹部，凹部的底面为经粗糙化。
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公开(公告)号：CN110418696B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201880018073.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112740368A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
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公开(公告)号：CN112639176A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN109153104B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201780027731.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 宇佐美佳宏
IPC: B24B27/06 , B24B49/10 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种线锯装置，包含：伸出钢线的钢线供给轴盘、通过螺旋状缠绕于多个钢线导线器的周围的钢线而形成的钢线列、卷收钢线的钢线卷收轴盘、以及将切断目标的工件予以支承的工件支承部，此外于将被工件支承部所支承的工件予以推压至以至少重复前进后退1次以上而行进的钢线列进行切断加工，其中该线锯装置具备装设于工件支承部的振动传感器，以及检测钢线张力的荷重元。由此提供能透过于工件的切断之前判断发生钢线过紧或线锯装置异常振动的状态，而防止自工件切出的晶圆质量恶化的线锯装置及工件的切断方法。
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公开(公告)号：CN112262455A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201980039406.1
申请日：2019-05-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种贴合SOI晶圆的制造方法，具有以下工序：使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，在所述基底晶圆的贴合面侧形成底层绝缘膜；在所述底层绝缘膜的表面堆积多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行研磨；对研磨后的所述多晶硅层进行离子注入以将所述多晶硅层改性，而形成改性硅层；在所述接合晶圆的贴合面形成所述绝缘膜；经由所述绝缘膜将所述基底晶圆的所述改性硅层的表面与所述接合晶圆贴合；以及将经过贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层。由此，能够提供谐波特性良好的贴合SOI晶圆。
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公开(公告)号：CN111975626A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010322115.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北爪大地
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具及其制造方法，其能够提高插入部件相对于上下方向的结合强度并防止偏移、脱落，并且抑制了在形成插入部件时插入部件相对于载具主体的偏移。一种双面研磨装置用载具，其在对半导体晶圆进行双面研磨的双面研磨装置中配设于分别贴附有研磨布的上下平台之间，并在研磨时对夹在所述上下平台之间的所述半导体晶圆进行保持，所述双面研磨装置用载具具有：载具主体，其为金属制且形成有用于保持所述半导体晶圆的保持孔；以及插入部件，其为树脂制并与所述保持孔的内周面相接配置，与所述插入部件相接的所述保持孔的内周面的表面粗糙度Ra为1.0μm以上。
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