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公开(公告)号：CN101682285B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980000202.3
申请日：2009-02-19
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 福岛贵志
Abstract: 在根据转子位置的检测结果来对线圈的通电进行控制的马达控制电路中，通过抑制由惯性产生的持续转动来在短时间内使马达停止，并且将马达控制成不会产生反转。当外部控制信号CTL从L变为H时，从正常转动控制切换为反转控制，成为反转制动状态。监视马达的转速，当马达的转速减弱到设定转速时，制动控制信号SPSB从L变为H，成为短路制动状态。但是，马达因惯性而继续转动，从而位置检测信号HALL发生变化，因此暂时(仅在与脉冲宽度TRB相当的时间)进行反转制动控制。直到马达完全停止为止断续地进行该短脉冲反转制动控制。于是，与减速到即将停止之前的转速之后仅通过短路制动控制来停止的情况相比，能够在短时间内停止。
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公开(公告)号：CN103168423A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201280003174.2
申请日：2012-09-20
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 渊上展光
IPC: H03K19/086 , H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018514 , H03K19/09432
Abstract: 提供一种输出缓冲器电路，能够减小差动输出信号的各输出电压的上升时间与下降时间的时间差，进一步使上升时间与下降时间高精确度地一致。对电阻元件(R1、R2)分别并联连接PMOS晶体管(Tr5、Tr6)。此时，使得当将电阻元件(R1、R2)的电阻成分设为r1(Ω)、r2(Ω)、将PMOS晶体管(Tr5、Tr6)的电阻成分设为rTr5(Ω)、rTr6(Ω)、电流源(I1)的电阻成分设为rI1(Ω)时，满足(r1//rTr5)=(r2//rI1)、(r2//rTr6)=(r1//rI1)各条件。由此，能够减小各输出电压的上升时间与下降时间的时间差，进一步使上升时间与下降时间高精确度地一致。
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公开(公告)号：CN103155415A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003180.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: H03L7/183
CPC classification number: H03L7/1976 , H03L7/0898
Abstract: 一种具有消除系统的分数-N频率合成器，所述消除系统用于消除环路增益改变所导致的相位不连续，该分数-N频率合成器可以包括：相位检测器；电流能够改变的电荷泵，用于提供调谐信号的环路过滤器；压控振荡器(VCO)，其由调谐信号控制以提供VCO输出信号的；分频器，用于提供分频后的VCO信号；调制器，用于生成调制信号以实现分数-N功能，其中，相位检测器具有：第一输入，用于接收以基准频率振荡的基准信号；第二输入，用于接收分频后的信号；以及相位检测器和电荷泵，用于比较第一输入的相位和第二输入的相位，并且产生电荷泵电流的接通和关断，特点是，在调制器内实现消除系统，所述调制器具有由电流能够改变的电荷泵的电流值所限定的额外输入。
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公开(公告)号：CN101641609B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880009567.8
申请日：2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , G01R33/0206 , G01R35/005
Abstract: 本发明涉及一种在设有多个霍尔元件的半导体基板上设置了磁性体的具有灵敏度测量功能的磁传感器和灵敏度测量装置及其方法。由磁感应部(31)检测的磁通密度被切换部(32)提取各轴的磁场强度信息，通过放大部(33)被输入到灵敏度运算部(34)。灵敏度运算部(34)根据来自磁感应部(31)的与各轴相关的磁场强度信息来运算灵敏度。灵敏度运算部具备：轴成分分解部(34a)，其将来自磁感应部(31)的磁通密度分解为各轴的磁成分；灵敏度判断部(34b)，其将来自轴成分分解部(34a)的磁场强度的各轴成分与基准值进行比较来判断灵敏度；以及灵敏度校正部(34c)，其根据来自灵敏度判断部(34b)的灵敏度信息进行灵敏度校正。传感器诊断部(39)根据灵敏度信息自诊断磁传感器的灵敏度是否良好并进行灵敏度自校正(调整)。
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公开(公告)号：CN102753937A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080063609.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 株式会社村田制作所 , 旭化成微电子株式会社
IPC: G01C19/5776
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5776
Abstract: 本发明提供一种振动型惯性力传感器，该振动型惯性力传感器能缩短从接通电源到能检测出惯性力(角速度)为止的起动时间，而不使自动增益控制电路的动作变得不稳定。本发明所涉及的振动型惯性力传感器包括振动器(1)、振荡电路部(2)、及检测电路部(3)，振荡电路部(2)起到作为以振动器(1)为谐振元件的闭环的自激振荡电路的功能，振荡电路部(2)包括：CV转换电路(信号转换电路)(21)，该CV转换电路(21)将基于与振动器(1)的振动状态相对应的电容的监视信号转换成基于与电容的变化量相对应的电压的监视信号；以及自动增益控制电路(24)，该自动增益控制电路(24)基于经CV转换电路(信号转换电路)(21)进行转换后的监视信号，来控制增益并生成驱动信号，并将驱动信号提供给振动器(1)，CV转换电路(信号转换电路)(21)具有放大单元，该放大单元在从接通电源起的规定期间内，以规定的放大倍数对监视信号进行放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102640414A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201180004775.0
申请日：2011-11-07
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 上田洋介
CPC classification number: H03D7/1458 , H03D7/1441 , H03D7/1491
Abstract: 本发明目的在于提供一种能够降低非线性成分并且抑制耗电上升的混合电路。该混合电路包括：输入部(803)，其具有源极被输入输入信号的栅极接地MOS晶体管(M1)和栅极被输入输入信号的源极接地MOS晶体管(M2)；频率变换部(802)，通过对从栅极接地MOS晶体管(M1)输出的第一电流信号和从源极接地MOS晶体管(M2)输出的第二电流信号进行频率变换来生成第三电流信号和第四电流信号；栅极与漏极连接的负载用MOS晶体管(M7)，其被输入第三电流信号并将第三电流信号变换为第一输出电压信号；以及栅极与漏极连接的负载用MOS晶体管(M8)，其被输入第四电流信号并将该第四电流信号变换为第二输出电压信号。
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公开(公告)号：CN102365819A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013921.1
申请日：2010-12-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/362 , H03B5/04 , H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2201/031
Abstract: 提供一种振荡器，在利用第一控制信号对具有用于使振子振荡的振荡电路的温度补偿型振荡器进行振荡频率的调整之后，再利用第二控制信号来改变振荡频率的情况下，能够将基于第二控制信号的振荡频率的变化量设为固定。根据第一控制信号和第二控制信号来调整该振荡器的振荡频率，并且增加根据第二控制信号将上述振子的振荡振幅设为可变的振荡振幅控制部，从而能够在包括基于第一控制信号的振荡频率的调整域在内的宽广的范围(整个区域)调整固定的振荡频率。
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公开(公告)号：CN101641790B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880009299.X
申请日：2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: H01L29/20 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L29/201 , H01L29/267 , H01L43/065
Abstract: 本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。Si基板(1)为体单晶基板或最上层为Si的薄膜基板。
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公开(公告)号：CN102057495A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980120839.6
申请日：2009-06-04
Applicant: 旭化成微电子株式会社
IPC: H01L31/0232 , G01N21/61
Abstract: 本发明提供一种具有小型且简单的元件形状并且在测量气体的流量变化、温度变化等环境变化的情况下能够稳定地进行测量的量子型红外线传感器及其气体浓度仪。该量子型红外线传感器具备一对量子型红外线传感器元件(13a、13b)、一对光学滤波器(16a、16b)以及保持构件(15)。一对光学滤波器(16a、16b)相对于一对量子型红外线传感器元件(13a、13b)设置于红外线光源侧，并选择性地使分别不同的特定波长频带的红外线透过，被容纳于保持构件(15)上段，通过一对贯通孔(15a、15b)与一对量子型红外线传感器元件(13a、13b)相对地设置。另外，通过使用这种结构的量子型红外线传感器，能够使用朗伯-比尔定律对气体浓度进行定量分析。
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公开(公告)号：CN101641790A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009299.X
申请日：2008-03-21
Applicant: 旭化成微电子株式会社
CPC classification number: H01L29/20 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02549 , H01L29/201 , H01L29/267 , H01L43/065
Abstract: 本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。Si基板(1)为体单晶基板或最上层为Si的薄膜基板。
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