公开(公告)号：CN101802979B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880106904.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 柴田佳彦 ,  宫原真敏 ,  池田孝司 ,  国见仁久

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L29/26 ,  H01L43/06

CPC classification number: H01L29/267 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02658 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明涉及一种降低了Si衬底与化合物半导体层之间的界面的位错(缺陷)密度的化合物半导体衬底及其制造方法。对Si衬底依次实施有机清洗、酸清洗以及碱清洗，去除Si衬底表面的有机物、金属等污染物质，来形成平坦的氧化膜(S31)。使用浓度1.0wt％的氟化氢水溶液来去除表面的氧化膜并进行氢终端处理(S32)。紧接在氢终端处理之后将Si衬底容纳到真空装置内，之后使Si衬底的衬底温度上升(S33)。当这样使衬底温度上升时，进行终端处理得到的氢脱离。在氢脱离之前先行照射As(S34)，在准备Si衬底与化合物半导体层之间的界面之后，在数秒钟后照射Ga和As(S35)，由此制作化合物半导体衬底(S36)。

公开(公告)号：CN101802979A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106904.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 柴田佳彦 ,  宫原真敏 ,  池田孝司 ,  国见仁久

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L29/26 ,  H01L43/06

CPC classification number: H01L29/267 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02658 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明涉及一种降低了Si衬底与化合物半导体层之间的界面的位错(缺陷)密度的化合物半导体衬底及其制造方法。对Si衬底依次实施有机清洗、酸清洗以及碱清洗，去除Si衬底表面的有机物、金属等污染物质，来形成平坦的氧化膜(S31)。使用浓度1.0wt％的氟化氢水溶液来去除表面的氧化膜并进行氢终端处理(S32)。紧接在氢终端处理之后将Si衬底容纳到真空装置内，之后使Si衬底的衬底温度上升(S33)。当这样使衬底温度上升时，进行终端处理得到的氢脱离。在氢脱离之前先行照射As(S34)，在准备Si衬底与化合物半导体层之间的界面之后，在数秒钟后照射Ga和As(S35)，由此制作化合物半导体衬底(S36)。

公开(公告)号：CN101641790B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880009299.X

申请日：2008-03-21

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 柴田佳彦 ,  宫原真敏

IPC: H01L29/26 ,  C30B23/08 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L29/20 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02549 ,  H01L29/201 ,  H01L29/267 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。Si基板(1)为体单晶基板或最上层为Si的薄膜基板。

公开(公告)号：CN101641790A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009299.X

申请日：2008-03-21

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 柴田佳彦 ,  宫原真敏

IPC: H01L29/26 ,  C30B23/08 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L29/20 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02549 ,  H01L29/201 ,  H01L29/267 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明提供化合物半导体层叠体及其制造方法以及半导体器件。该化合物半导体层叠体能够在Si基板上直接形成InSb膜，可供在工业上开发应用于霍尔元件、磁阻元件等磁性传感器、红外传感器等光器件、晶体管等电子器件。在Si基板(1)上直接形成作为不含有As的化合物半导体的活性层(2)。在该活性层(2)与Si基板(1)的单晶层的界面存在As。化合物半导体至少含有氮。化合物半导体为单晶薄膜。Si基板(1)为体单晶基板或最上层为Si的薄膜基板。