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51.使用負型感光性樹脂積層體之抗蝕劑硬化物之製造方法、負型感光性樹脂積層體、及負型感光性樹脂積層體之使用方法 有权
Simplified title: 使用负型感光性树脂积层体之抗蚀剂硬化物之制造方法、负型感光性树脂积层体、及负型感光性树脂积层体之使用方法公开(公告)号:TWI424266B
公开(公告)日:2014-01-21
申请号:TW097149478
申请日:2008-12-18
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 , ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 井出陽一郎 , IDE, YOUICHIROH
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公开(公告)号:TWI382277B
公开(公告)日:2013-01-11
申请号:TW098103077
申请日:2009-01-23
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 , ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 小谷雄三 , KOTANI, YUZO
IPC: G03F7/004 , G03F7/031 , G03F7/09 , H01L21/027
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公开(公告)号:TW200907580A
公开(公告)日:2009-02-16
申请号:TW097111108
申请日:2008-03-27
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 賴末友裕 YORISUE, TOMOHIRO
IPC: G03F
CPC classification number: C08F290/08 , C08F283/12 , C08F290/00 , C08G77/20 , C08G77/58 , C08L83/06 , C09D183/14 , G03F7/0757 , Y10T428/24612
Abstract: 本發明使用一種以特定比例包含具有特定感光性取代基之特定分子量之感光性聚矽氧化合物以及光聚合起始劑的感光性樹脂組合物。於是,可獲得一種適合用作LSI晶片之緩衝層材料或再配線層的、含有硬化前後之膜耗少、且曝光前之材料黏性得到改善之感光性聚矽氧化合物的樹脂組合物,及使用其之樹脂絕緣膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明使用一种以特定比例包含具有特定感光性取代基之特定分子量之感光性聚硅氧化合物以及光聚合起始剂的感光性树脂组合物。于是,可获得一种适合用作LSI芯片之缓冲层材料或再配线层的、含有硬化前后之膜耗少、且曝光前之材料黏性得到改善之感光性聚硅氧化合物的树脂组合物,及使用其之树脂绝缘膜。
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公开(公告)号:TW200846825A
公开(公告)日:2008-12-01
申请号:TW097103548
申请日:2008-01-30
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 姫田優香理 HIMEDA, YUKARI
CPC classification number: G03F7/032
Abstract: 本發明之目的在於提供一種對鹼性氰化貴金屬電鍍浴具有耐性且解析度、密著性、及光阻剝除性優異之可利用鹼性水溶液進行顯影之感光性樹脂組合物,及使用該感光性樹脂組合物之感光性樹脂積層體。本發明之感光性樹脂組合物之特徵在於:含有(a)含羧基之黏合劑:20~90質量%、(b)含有至少一個末端乙烯性不飽和基之加成聚合性單體:5~75質量%、(c)光聚合起始劑:0.01~30質量%;感光性樹脂組合物整體中含有1~50質量%之特定化合物,以作為(b)具有至少一個末端乙烯性不飽和基之加成聚合性單體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种对碱性氰化贵金属电镀浴具有耐性且分辨率、密着性、及光阻剥除性优异之可利用碱性水溶液进行显影之感光性树脂组合物,及使用该感光性树脂组合物之感光性树脂积层体。本发明之感光性树脂组合物之特征在于:含有(a)含羧基之黏合剂:20~90质量%、(b)含有至少一个末端乙烯性不饱和基之加成聚合性单体:5~75质量%、(c)光聚合起始剂:0.01~30质量%;感光性树脂组合物整体中含有1~50质量%之特定化合物,以作为(b)具有至少一个末端乙烯性不饱和基之加成聚合性单体。
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公开(公告)号:TWM338114U
公开(公告)日:2008-08-11
申请号:TW096216742
申请日:2007-10-05
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 東原光朗 HIGASHIBARU, MITUROU
IPC: B08B
Abstract: 本創作為一種吸塵器之配件,其係安裝於吸引裝置來使
用,並使用於軸之外周面之清掃者;於感光性膜捲筒之製
造步驟中,為了不使塵埃附著於製品上而具備:刷具,其
係以前端對應於被清掃之軸之外周面而成為圓形之方式配
置有刷毛;第一筒體,其係具有直徑比被清掃之軸大之內
周面,並形成有貫通周面之複數貫通孔;第二筒體,其係
內徑比該第一筒體之外徑大,並形成有貫通周面之貫通
孔;管,其係一端固定於該第二筒體之貫通孔;空間形成
構件,其係固定於第一筒體及第二筒體之兩端面,於第一
筒體之外周面與第二筒體之內周面之間保持一空間;及刷
具固定構件,其係將刷具在其刷毛前端較第一筒體之內周
面朝內側突出之狀態下加以固定。Abstract in simplified Chinese: 本创作为一种吸尘器之配件,其系安装于吸引设备来使 用,并使用于轴之外周面之清扫者;于感光性膜卷筒之制 造步骤中,为了不使尘埃附着于制品上而具备:刷具,其 系以前端对应于被清扫之轴之外周面而成为圆形之方式配 置有刷毛;第一筒体,其系具有直径比被清扫之轴大之内 周面,并形成有贯通周面之复数贯通孔;第二筒体,其系 内径比该第一筒体之外径大,并形成有贯通周面之贯通 孔;管,其系一端固定于该第二筒体之贯通孔;空间形成 构件,其系固定于第一筒体及第二筒体之两端面,于第一 筒体之外周面与第二筒体之内周面之间保持一空间;及刷 具固定构件,其系将刷具在其刷毛前端较第一筒体之内周 面朝内侧突出之状态下加以固定。
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公开(公告)号:TW200819544A
公开(公告)日:2008-05-01
申请号:TW096123535
申请日:2007-06-28
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 田中軌人 TANAKA, NORIHITO , 白鳥剛 SHIRATORI, TSUYOSHI
CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/262 , B23K35/30 , C22C13/02 , H05K2201/0272
Abstract: 本發明提供一種可於與Sn-370Pb共晶焊料之回流熱處理條件相比之低溫條件(峰値溫度181℃以上)下熔融接合,並可於相同之耐熱用途中使用的導電性填料。該導電性填料係第1金屬粒子與第2金屬粒子之混合體,該第1金屬粒子包含具有Ag25~40質量%、Bi2~8質量%、Cu5~15質量%、In2~8質量%及Sn29~66質量%之組成之合金,該第2金屬粒子包含具有Ag5~20質量%、Bi10~20質量%、Cu1~15質量%及Sn50~80質量%之組成之合金;其混合比為,相對於第1金屬粒子100質量份,第2金屬粒子含有20~10000質量份。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可于与Sn-370Pb共晶焊料之回流热处理条件相比之低温条件(峰値温度181℃以上)下熔融接合,并可于相同之耐热用途中使用的导电性填料。该导电性填料系第1金属粒子与第2金属粒子之混合体,该第1金属粒子包含具有Ag25~40质量%、Bi2~8质量%、Cu5~15质量%、In2~8质量%及Sn29~66质量%之组成之合金,该第2金属粒子包含具有Ag5~20质量%、Bi10~20质量%、Cu1~15质量%及Sn50~80质量%之组成之合金;其混合比为,相对于第1金属粒子100质量份,第2金属粒子含有20~10000质量份。
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57.電漿產生方法、電漿產生裝置及電漿處理裝置 PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA GENERATING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
Simplified title: 等离子产生方法、等离子产生设备及等离子处理设备 PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA GENERATING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS公开(公告)号:TW200810611A
公开(公告)日:2008-02-16
申请号:TW096106181
申请日:2007-02-16
Inventor: 出口洋成 HIROSHIGE DEGUCHI , 米田均 HITOSHI YONEDA , 加藤健治 KENJI KATO , 江部明憲 AKINORI EBE , 節原裕一 YUICHI SETSUHARA
IPC: H05H
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 一或多個高頻天線被配置至且裝設於電漿產生腔室1中之一個具有0.4【【m】】之邊的立方體空間C中或者各立方體空間具有0.4【【m】】之邊的多數個立方體空間C中的每一者中,該多數個立方體空間中之鄰近立方體空間彼此連續而不於其間形成間隙。該等立方體空間C中的每一者中之高頻天線之總長L【【m】】被設定於一範圍內,其對於在該電漿產生腔室1中設定的感應耦合電漿產生壓力P【【Pa】】可滿足關係(0.2/P)
Abstract in simplified Chinese: 一或多个高频天线被配置至且装设于等离子产生腔室1中之一个具有0.4【【m】】之边的立方体空间C中或者各立方体空间具有0.4【【m】】之边的多数个立方体空间C中的每一者中,该多数个立方体空间中之邻近立方体空间彼此连续而不于其间形成间隙。该等立方体空间C中的每一者中之高频天线之总长L【【m】】被设置于一范围内,其对于在该等离子产生腔室1中设置的感应耦合等离子产生压力P【【Pa】】可满足关系(0.2/P)
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58.導電粒子配置片材及各向異性導電性膜 CONDUCTING PARTICLES ARRANGED SHEET AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM 审中-公开
Simplified title: 导电粒子配置片材及各向异性导电性膜 CONDUCTING PARTICLES ARRANGED SHEET AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM公开(公告)号:TW200810243A
公开(公告)日:2008-02-16
申请号:TW096115067
申请日:2007-04-27
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 臼井健敏 USUI, TAKETOSHI , 島田仁 SHIMADA, HITOSHI
IPC: H01R
CPC classification number: H05K3/323 , C08K7/18 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/106 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H05K2201/10234 , H05K2201/10378 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , H01L2924/00
Abstract: 本發明之導電粒子配置片材之特徵在於,其係包含導電粒子、以及具有基準面P1及與P1相對之基準面P2之絕緣樹脂片材而構成的,該絕緣樹脂片材之厚度小於該導電粒子之平均粒徑,且有導電粒子自該絕緣樹脂片材之至少一側之基準面P1突出,該導電粒子之自絕緣樹脂片材之基準面P1所突出之部分,係被由與構成該絕緣樹脂片材之該絕緣樹脂相同的樹脂所構成之包覆層所包覆,此處,於將基準面P1、與平行於導電粒子之基準面P1之切線即與自該基準面P1突出之突出部分相接之切線L1之間的距離之平均値設為平均突出高度hl(hl>0),將基準面P2、與平行於導電粒子之基準面P2之切線即與切線L1夾著該導電粒子且位於切線L1相反側之切線L2之間的距離之平均値設為平均突出高度h2之情形時(其中,設該切線L2位於該絕緣樹脂片材內時h2 0),滿足h1>h2之關係。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之导电粒子配置片材之特征在于,其系包含导电粒子、以及具有基准面P1及与P1相对之基准面P2之绝缘树脂片材而构成的,该绝缘树脂片材之厚度小于该导电粒子之平均粒径,且有导电粒子自该绝缘树脂片材之至少一侧之基准面P1突出,该导电粒子之自绝缘树脂片材之基准面P1所突出之部分,系被由与构成该绝缘树脂片材之该绝缘树脂相同的树脂所构成之包覆层所包覆,此处,于将基准面P1、与平行于导电粒子之基准面P1之切线即与自该基准面P1突出之突出部分相接之切线L1之间的距离之平均値设为平均突出高度hl(hl>0),将基准面P2、与平行于导电粒子之基准面P2之切线即与切线L1夹着该导电粒子且位于切线L1相反侧之切线L2之间的距离之平均値设为平均突出高度h2之情形时(其中,设该切线L2位于该绝缘树脂片材内时h2<0,该切线L2位于基准面P2上时h2=0,该切线L2位于该绝缘树脂片材外时h2>0),满足h1>h2之关系。
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公开(公告)号:TWI292355B
公开(公告)日:2008-01-11
申请号:TW095111584
申请日:2006-03-31
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 田中軌人 TANAKA, NORIHITO , 島村泰樹 SHIMAMURA, YASUKI
IPC: B23K
CPC classification number: H05K3/3484 , B22F1/0059 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , H05K2201/0272
Abstract: 本發明是提供,可以在無鉛焊接的回焊熱處理條件下進行熔解接合,接合後在相同熱處理條件下不會熔解之高耐熱性的導電性填料。該導電性填料,其特徵為:經過差示掃描熱量測定,被當作發熱尖峰來觀測的準穩定合金金相至少有1個、及被當作吸熱尖峰來觀測的熔點,在210~240℃及300~450℃的2個溫度範圍至少各有1個;以246℃進行熱處理所獲得的接合體,經過差示掃描熱量測定,被當作吸熱尖峰來觀測的熔點,在210~240℃則沒有,或是從210~240℃的吸熱尖峰面積來觀測之溶解時的吸熱量,成為從接合前之210~240℃的吸熱尖峰面積來觀測之熔解時的吸熱量的90%以下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明是提供,可以在无铅焊接的回焊热处理条件下进行熔解接合,接合后在相同热处理条件下不会熔解之高耐热性的导电性填料。该导电性填料,其特征为:经过差示扫描热量测定,被当作发热尖峰来观测的准稳定合金金相至少有1个、及被当作吸热尖峰来观测的熔点,在210~240℃及300~450℃的2个温度范围至少各有1个;以246℃进行热处理所获得的接合体,经过差示扫描热量测定,被当作吸热尖峰来观测的熔点,在210~240℃则没有,或是从210~240℃的吸热尖峰面积来观测之溶解时的吸热量,成为从接合前之210~240℃的吸热尖峰面积来观测之熔解时的吸热量的90%以下。
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公开(公告)号:TWI291076B
公开(公告)日:2007-12-11
申请号:TW093128464
申请日:2004-09-20
Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION
Inventor: 栗山芳真 KURIYAMA, HOZUMA , 元一郎 WAKIMOTO, ICHIRO
IPC: G03F
Abstract: 一種薄膜及薄膜用框,將黏貼於框體的大型薄膜膜片黏貼在光罩時,為了防止上述大型薄膜膜片皺摺的產生,具有面積為1,000cm2以上的薄膜膜片及展開黏貼支撐薄膜膜片用的一對長邊和一對短邊的框體所構成的大型薄膜中,框體其至少的一對長邊是形成朝著框體外側突出,並且將薄膜膜片展開於框體上,框體的長邊中央部形成較長邊端部向內側凹陷。
Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜及薄膜用框,将黏贴于框体的大型薄膜膜片黏贴在光罩时,为了防止上述大型薄膜膜片皱折的产生,具有面积为1,000cm2以上的薄膜膜片及展开黏贴支撑薄膜膜片用的一对长边和一对短边的框体所构成的大型薄膜中,框体其至少的一对长边是形成朝着框体外侧突出,并且将薄膜膜片展开于框体上,框体的长边中央部形成较长边端部向内侧凹陷。
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