公开(公告)号：US20150030938A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14382202

申请日：2013-02-20

Applicant: OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORTION

Inventor： Akitoshi HAYASHI ,  Masahiro TATSUMISAGO

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M10/0562 ,  C03B19/00 ,  C03B32/02 ,  H01B1/10 ,  H01G11/56 ,  H01M10/054 ,  H01M2220/10 ,  H01M2220/20 ,  H01M2300/0068 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: An ion conducting glass-ceramics represented by the general formula (I): Na2S—MxSy—NaSb, wherein M and N are different and selected from P, Si, Ge, B, Al and Ga; x, y, a and b are integers indicating the stoichiometric ratio depending on the species of M and N; and the content of Na2S is more than 60 mol % and less than 80 mol %.

Abstract translation: 由通式（I）表示的离子导电玻璃陶瓷：其中M和N不同并选自P，Si，Ge，B，Al和Ga中的Na 2 S-MxSy-NaSb; x，y，a和b是指示化学计量比取决于M和N的种类的整数; Na 2 S的含量大于60mol％且小于80mol％。

公开(公告)号：US20130243380A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13887860

申请日：2013-05-06

Applicant: FUJIKURA LTD. ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： Ryo MARUYAMA ,  Nobuo KUWAKI ,  Shoichiro MATSUO ,  Masaharu OHASHI

IPC: G02B6/02

CPC classification number: G02B6/02 ,  G02B6/02019 ,  G02B6/03627

Abstract: An optical fiber (1) includes (i) an inner core (111) whose refractive index distribution has an a profile, (ii) an outer core (112) which surrounds the inner core (111), and (iii) a clad (12) which surrounds the outer core (112). In the optical fiber (1), Rd is set to not less than 0.15, where Rd is a ratio of a refractive index difference between the outer core (112) and the clad (12) to a refractive index difference between a center part of the inner core (111) and the clad (12).

Abstract translation: 光纤（1）包括（i）其折射率分布具有轮廓的内芯（111），（ii）围绕内芯（111）的外芯（112），以及（iii）包层 12）围绕外芯（112）。 在光纤（1）中，Rd被设定为不小于0.15，其中Rd是外芯（112）和包层（12）之间的折射率差之比与中心部分之间的折射率差 内芯（111）和包层（12）。

公开(公告)号：US20040173154A1

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：US10802806

申请日：2004-03-18

Applicant: Osaka Prefecture ,  Hosiden Corporation

Inventor： Katsutoshi Izumi ,  Motoi Nakao ,  Yoshiaki Ohbayashi ,  Keiji Mine ,  Seisaku Hirai ,  Fumihiko Jobe ,  Tomoyuki Tanaka

IPC: C23C016/00

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/7602 ,  H01L21/76251

Abstract: A manufacturing method for a buried insulating layer-type semiconductor silicon carbide substrate comprises the step of placing an SOI substrate 100, which has a surface silicon layer 130 of a predetermined thickness and a buried insulator 120, in a heating furnace 200 and of increasing the temperature of the atmosphere within heating furnace 200 while supplying a mixed gas (G1nullG2) of a hydrogen gas G1 and of a hydrocarbon gas G2 into heating furnace 200, thereby, of metamorphosing surface silicon layer 130 of SOI substrate 100 into a single crystal silicon carbide thin film 140.

Abstract translation: 掩埋绝缘层型半导体碳化硅衬底的制造方法包括将具有预定厚度的表面硅层130和掩埋绝缘体120的SOI衬底100放置在加热炉200中的步骤， 同时向加热炉200供给氢气G1和烃气G2的混合气体（G1 + G2），从而使SOI衬底100的变形表面硅层130成为单晶 碳化硅薄膜140。

公开(公告)号：US20040151612A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：US10461622

申请日：2003-06-13

Applicant: Osaka Prefecture ,  Kabushiki Kaisha Sankyogokin Chuzosho ,  OKAMOTO CO. LTD

Inventor： Tadashi Kitudo ,  Mamoru Takemura ,  Mituaki Matumuro ,  Hideto Matumoto ,  Takao Horie ,  Kazumichi Shimizu

IPC: C22C037/00

CPC classification number: C22C37/10

Abstract: The purpose of the present invention is to provide high manganese cast iron containing spheroidal vanadium carbide and method for making thereof which is nonmagnetic as well as superior mechanical properties such as wear-resistance and toughness, and further does not require a water toughing heat treatment which has been needed when nonmagnetic high manganese steel (high manganese cast steel) is obtained by crystallized spheroidal vanadium in austenite matrix, and the high manganese cast iron containing spheroidal vanadium carbide is comprised of C 1.5null4.0 weight %, V 6null15 weight %, Si 0.2null4.0 weight %, Mn 10null18 weight %, Mg 0.01null0.1 weight %, remaining iron (Fe) and inevitable impurities, spheroidal vanadium carbide is crystallized within a structure.

Abstract translation: 本发明的目的是提供含有球状钒碳化物的高锰铸铁及其制造方法，其是非磁性的，并且具有优异的机械性能如耐磨性和韧性，并且还不需要水韧性热处理， 在奥氏体基体中通过结晶球状钒获得非磁性高锰钢（高锰铸钢）时，需要使用含球状碳化钒的高锰铸铁，其含量为C 1.5〜4.0重量％，V 6〜15重量％ ，Si 0.2〜4.0重量％，Mn 10〜18重量％，Mg 0.01〜0.1重量％，剩余铁（Fe）和不可避免的杂质，球状碳化钒在结构内结晶。

公开(公告)号：US20040099871A1

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：US10699832

申请日：2003-11-04

Applicant: OSAKA PREFECTURE ,  HOSIDEN CORPORATION

Inventor： Katsutoshi Izumi ,  Motoi Nakao ,  Yoshiaki Ohbayashi ,  Keiji Mine ,  Seisaku Hirai ,  Fumihiko Jobe ,  Tomoyuki Tanaka

IPC: H01L027/15

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: There is provided a monocrystalline gallium nitride localized substrate suitable for manufacturing electronic-optical united devices in which electronic devices and optical devices are mixedly mounted on the same silicon substrate. An area in which monocrystalline gallium nitride 410 is grown is locally present on a silicon substrate 100 by forming silicon carbide 200 on the silicon substrate 100 to locally form the monocrystalline gallium nitride 410 on the above-mentioned silicon carbide 200. Silicon nitride 220 is used as a mask in forming the above-mentioned monocrystalline gallium nitride 410.

Abstract translation: 提供了适用于制造电子器件和光学器件混合安装在同一硅衬底上的电子 - 光学联合器件的单晶氮化镓局部衬底。 单晶氮化镓410生长的区域通过在硅衬底100上形成碳化硅200而在硅衬底100上局部存在，以在上述碳化硅200上局部形成单晶氮化镓410.使用氮化硅220 作为形成上述单晶氮化镓410的掩模。

公开(公告)号：US3517192A

公开(公告)日：1970-06-23

申请号：US3517192D

申请日：1967-03-13

Applicant: OSAKA PREFECTURE

Inventor： KINOSHITA MASAHIRO ,  SUNADA TSUYOSHI

IPC: G03C5/16 ,  G01N23/04

CPC classification number: G03C5/16 ,  Y10S430/167 ,  Y10S534/01

公开(公告)号：TWI624472B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW102136954

申请日：2013-10-14

Applicant: 史鐵勒製藥股份有限公司 ,  STELLA PHARMA CORPORATION ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 竹中宏誌 ,  TAKENAKA, HIROSHI ,  大田洋一郎 ,  OHTA, YOICHIRO ,  田口祐輔 ,  TAGUCHI, YUSUKE ,  上田沙悠里 ,  UEDA, SAYURI ,  石野祐子 ,  ISHINO, YUKO ,  中嶋秀紀 ,  NAKASHIMA, HIDEKI ,  上原幸樹 ,  UEHARA, KOHKI ,  切畑光統 ,  KIRIHATA, MITSUNORI

IPC: C07F5/02 ,  C07B59/00 ,  A61K51/04 ,  A61K101/02

公开(公告)号：TWI621621B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW104118471

申请日：2015-06-08

Applicant: 田中貴金屬工業股份有限公司 ,  TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. ,  公立大學法人 大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 政広泰 ,  MASAHIRO, YASUSHI ,  八木繁幸 ,  YAGI, SHIGEYUKI ,  谷内淳一 ,  TANIUCHI, JUNICHI

IPC: C07F15/00 ,  H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016

公开(公告)号：TW201710520A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105124297

申请日：2016-08-01

Applicant: 公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 東健司 ,  HIGASHI, KENJI ,  井上之 ,  INOUE, HIROYUKI ,  上杉徳照 ,  UESUGI, TOKUTERU

IPC: C22C21/06 ,  C22C21/00 ,  C23F13/14 ,  C23C4/08

CPC classification number: C22C21/06 ,  C23C4/08

Abstract: 一種鋁系合金的熔射材料，其中，前述鋁系合金係以鋁為主成分，且i)添加第1金屬或ii)添加第1金屬與第2金屬而形成者，前述第1金屬係選自釔、鋰、鋅、鉍、錫及鈣之至少1種，並且於前述鋁系合金中以多於0且3重量%以下被含有，前述第2金屬為鎂，並且於前述鋁系合金中以多於0且6重量%以下被含有。

Abstract in simplified Chinese: 一种铝系合金的熔射材料，其中，前述铝系合金系以铝为主成分，且i)添加第1金属或ii)添加第1金属与第2金属而形成者，前述第1金属系选自钇、锂、锌、铋、锡及钙之至少1种，并且于前述铝系合金中以多于0且3重量%以下被含有，前述第2金属为镁，并且于前述铝系合金中以多于0且6重量%以下被含有。

公开(公告)号：TWI523934B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104106523

申请日：2015-03-02

Applicant: 公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 八木繁幸 ,  YAGI, SHIGEYUKI

IPC: C09K11/06 ,  C07D209/86 ,  C07F15/00 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07D401/14 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016