公开(公告)号：FR3027472A1

公开(公告)日：2016-04-22

申请号：FR1459993

申请日：2014-10-17

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： GONTHIER LAURENT

IPC: H02M7/162

Abstract: L'invention concerne un circuit de redressement comportant : entre une première borne (23, 24) d'application d'une tension alternative (Vac) et une première borne (21) de fourniture d'une tension redressée (Vout), une première diode (D3, D4) ; et entre une deuxième borne (24, 23) d'application de la tension alternative et une deuxième borne (22) de fourniture de la tension redressée, un premier thyristor (T2, Tl) à gâchette d'anode, l'anode du premier thyristor étant connectée à la deuxième borne (22) de fourniture de la tension redressée.

公开(公告)号：FR2929449A1

公开(公告)日：2009-10-02

申请号：FR0852045

申请日：2008-03-28

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS S ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： BARRIERE CLEMENT ,  FAU PIERRE ,  CHAUDRET BRUNO ,  MARGEAT OLIVIER

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/4763

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, sur un substrat (5), d'une couche d'amorçage permettant un dépôt ultérieur d'une couche d'un métal, consistant à immerger le substrat dans un bain (7) comprenant un matériau de la famille des éthoxysilanes ou des siloxanes et un amidinate de cuivre ou de nickel.

公开(公告)号：FR2926679A1

公开(公告)日：2009-07-24

申请号：FR0850288

申请日：2008-01-17

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS S

Inventor： BEDU YANN ,  TOUZET DOMINIQUE ,  FARRONI JEAN PAUL

IPC: H01M2/02

Abstract: L'invention concerne un boîtier pour piles à combustible comprenant une plaque supérieure composée de l'empilement d'une première plaque isolante (60), de portions d'une première couche conductrice (72), d'une seconde plaque isolante (80) et d'une seconde couche conductrice (84), cet empilement comportant des fenêtres (66), des piles à combustible (90) étant placées en dessous de la première plaque isolante (60) au niveau des fenêtres (66) de façon à les obstruer, l'empilement comportant en outre des ouvertures remplies d'un matériau thermoconducteur (94) formant un contact entre la périphérie des piles à combustible (90) et la seconde couche conductrice (84).

公开(公告)号：FR3054372A1

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：FR1656944

申请日：2016-07-21

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED ,  LADROUE JULIEN

IPC: H01L23/52 ,  H05K7/02

Abstract: L'invention concerne un montage de composants électroniques (1) identiques plans ayant deux métallisations de contact (3, 5) positionnées sur des bords d'une même face (7) de chaque composant (1), ces composants étant empilés suivant un axe Z orthogonal à leur plan, dans lequel chaque composant (1) successif est tourné autour de l'axe Z d'un angle fixe (α), cet angle fixe (α) étant choisi pour positionner côte à côte une des métallisations de contact (3, 5) d'un composant et une des métallisations de contact (3, 5) du composant suivant, ce montage comprenant en outre des connexions (15) entre deux métallisations de contact (3, 5) adjacentes.

公开(公告)号：FR3017242B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1450886

申请日：2014-02-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： YVON ARNAUD ,  ALQUIER DANIEL ,  CORDIER YVON

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

公开(公告)号：FR3030943B1

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：FR1462598

申请日：2014-12-17

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： NGO SOPHIE ,  CERTON DOMINIQUE ,  ALQUIER DANIEL

IPC: H03H9/58 ,  B06B1/06

公开(公告)号：FR3039005A1

公开(公告)日：2017-01-20

申请号：FR1556660

申请日：2015-07-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： LADROUE JULIEN ,  BOUFNICHEL MOHAMED

IPC: H01M10/04 ,  B32B37/12 ,  B32B37/14

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une batterie en couches minces autosupportée, comportant les étapes suivantes : a) former, sur la face supérieure d'un substrat de support (101), un empilement actif vertical dont la couche inférieure (103) est une couche métallique dans laquelle est formée une première borne de contact (103) d'une première polarité de la batterie et dont la couche supérieure (127) est une couche métallique dans laquelle est formée une deuxième borne de contact (127) d'une deuxième polarité de la batterie ; b) apposer un film autocollant de support (131) sur la face supérieure de la couche supérieure (127) ; et c) décoller la couche inférieure (103) du substrat (101) au moyen d'un faisceau laser projeté à travers le substrat (101) depuis sa face inférieure.

公开(公告)号：FR3036001A1

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：FR1554010

申请日：2015-05-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un commutateur (200) comportant trois composants (1001, 1002, 1003) comportant chacun : un empilement de trois régions semiconductrices (102, 104, 106) de types alternés ; et une région de commande (108) de type opposé à celui de la première région (102), dans lequel : les premières régions (102) des premier et deuxième composants sont de même type et les premières régions (102) des premier et troisième composants sont de types opposés ; la première région (102) du premier composant est connectée aux régions de commande (108) des deuxième et troisième composants ; les premières régions (102) des deuxième et troisième composants sont connectées à une borne (A1) ; les troisièmes (106) régions des premier, deuxième et troisième composants sont connectées à une borne (A2) ; et la région de commande (108) du premier composant est connectée à une borne (G).

公开(公告)号：FR2931320A1

公开(公告)日：2009-11-20

申请号：FR0853080

申请日：2008-05-13

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS S

Inventor： RIVET BERTRAND ,  HAMADOU AURELIEN

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/32

Abstract: L'invention concerne un convertisseur à découpage comprenant un transformateur inductif (10) dont un enroulement secondaire (12) est associé à au moins un premier interrupteur (34), comportant en parallèle sur le premier interrupteur, au moins une première diode en série avec un élément capacitif ; et en parallèle sur ledit élément capacitif, un circuit actif de limitation de la tension à ses bornes.

公开(公告)号：US12230698B2

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：US18110095

申请日：2023-02-15

Applicant: STMicroelectronics (Tours) SAS

Inventor： Patrick Hauttecoeur ,  Vincent Caro

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: A device includes a semiconductor substrate. A step is formed at a periphery of the semiconductor substrate. A first layer, made of polysilicon doped in oxygen, is deposited on top of and in contact with a first surface of the substrate. This first layer extends at least on a wall and bottom of the step. A second layer, made of glass, is deposited on top of the first layer and the edges of the first layer. The second layer forms a boss between the step and a central area of the device.