包括辅助位线的半导体装置

    公开(公告)号:CN106169476A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201610341096.7

    申请日:2016-05-20

    Abstract: 本发明提供了包括辅助位线的半导体装置。一种半导体装置包括交替的栅极和绝缘层的堆叠件。所述半导体装置包括伪单元区。所述半导体装置包括多根位线和多根辅助位线。所述多根辅助位线中的一些具有不同的对应长度。本发明还提供了形成半导体装置的相关方法。

    匹配无线终端中的天线的装置和方法

    公开(公告)号:CN103036584A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210382035.7

    申请日:2012-10-10

    CPC classification number: H04B1/0458 H04B1/18

    Abstract: 公开了一种用于匹配无线终端中的天线的装置和方法,为了容易地控制阻抗匹配而对其进行修改。控制器配置为产生与所述无线终端的状态相对应的状态信息,并且向现场可编程门阵列(FPGA)单元提供所述状态信息。所述FPGA单元输出与所述无线终端的状态信息相对应的最优可调谐匹配网络(TMN)调节值。状态信息可以包括工作频带/协议和模式,可以辨识影响电场的具体环境条件,例如手持条件。

    存储模块及具有该存储模块的存储系统

    公开(公告)号:CN1822207A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610005720.2

    申请日:2006-01-06

    CPC classification number: G11C5/063 G11C5/04 H05K1/148 H05K2201/10159

    Abstract: 提供了一种存储模块和存储系统。所述存储模块包括:第一电路板,在其上安装有至少一个存储芯片;第二电路板,在其上安装有至少一个存储芯片;和柔性耦合器,将第一电路板电连接至第二电路板。存储模块是可弯曲的,并且被配置为围绕存储控制器延伸。存储芯片经由相应的多条信号线与存储控制器电耦合。可弯曲的存储模块被配置为围绕存储控制器弯曲,以使得各个信号线长度相等。

    ACF供给装置
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1779539A

    公开(公告)日:2006-05-31

    申请号:CN200510109953.2

    申请日:2005-09-20

    Abstract: 一种ACF供给装置,涉及用于在LCD、PDP等平板显示器(FPD)基板上,粘接驱动器IC或TAB封装的ACF供给装置,包括供给由ACF层和ACF支持层构成的ACF带的供给部、从所述供给部引出所述ACF带,在作业台上粘接所述ACF层的接合部、回收分离ACF层的所述ACF支持层的回收部,其特征在于,所述供给部,包括:多个卷轴安置架,在同一平面内,可旋转地支持卷绕ACF带的多个ACF卷轴;夹持机构,将从放置在所述多个卷轴安置架中的任何一个上的ACF卷轴上引出的ACF带的引出端部,定位在规定的供给待机位置上。由此在装置的运转中也能够替换用完的ACF卷轴,能够使ACF卷轴替换造成的装置的运转停止最小化。

    包括均衡器的电子设备及由电路执行的方法

    公开(公告)号:CN110618955B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN201910410634.7

    申请日:2019-05-16

    Abstract: 本申请提供了一种电子设备及由电路执行的方法。所述电子设备包括:接收均衡器,其基于第一系数对第一信号执行第一均衡,并且基于第一系数对一个或多个第二信号执行一个或多个第二均衡,所述一个或多个第二信号基于与外部设备的发送均衡器的一个或多个特性相关联的第二系数;以及电路,其迭代地将基于第一系数生成的控制信息发送到外部设备,直到关于第一系数满足终止条件,控制信息使得第二系数增加或减小,迭代发送的控制信息使得与一个或多个第二均衡的最终均衡对应的第一系数的第一绝对值变得小于与第一均衡对应的第一系数的第二绝对值。

    半导体器件以及包括其的数据存储系统

    公开(公告)号:CN115802757A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211093453.4

    申请日:2022-09-08

    Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括其的数据存储系统。一种半导体器件包括:具有第一区域和第二区域的基板;栅电极,在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开,在第二方向上延伸,并在第二区域上具有不同的长度;沟道结构,穿透栅电极,在第一方向上延伸并分别包括沟道层,沟道结构在第一区域上;支撑结构,穿透栅电极并在第二区域上在第一方向上延伸;以及分隔区,穿透栅电极并在第二方向上延伸。基板具有凹陷区域,该凹陷区域在第一方向上与分隔区重叠并在第二区域的与第一区域相邻的部分中从基板的上表面向下延伸。分隔区具有向下突出以对应于凹陷区域的突起。

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