公开(公告)号：CN101183705A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710192709.6

申请日：2007-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴泳洙 ,  郑兰株 ,  徐顺爱 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。

公开(公告)号：CN101060129A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200610171716.3

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李明宰 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/0475 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76

Abstract: 一种非易失性存储器件及其操作和制造方法提供了高集成度和高速度，同时允许低工作电流。所述非易失性存储器件包括半导体衬底。在所述半导体衬底的表面上形成电阻层，所述电阻层每者均存储可变电阻状态。在位于所述电阻层之下的所述半导体衬底上形成掩埋电极，并将其分别连接至所述电阻层。在所述半导体衬底的表面上形成沟道区，其使相邻的所述电阻层相互连接，但不连接下部电极。在所述半导体衬底的所述沟道区上形成栅极绝缘层。在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其在所述电阻层之上延伸。

公开(公告)号：CN101034732A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610170100.4

申请日：2006-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴允童 ,  黄显相 ,  李东洙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种电阻随机存取存储器装置，其包括：下电极；第一氧化物层，形成在下电极上并使用两个电阻状态存储信息；电流控制层，由位于第一氧化物层上的第二氧化物形成；和上电极，堆叠在电流控制层上。

公开(公告)号：CN101030622A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610132100.5

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  柳寅儆 ,  李殷洪 ,  金钟完 ,  金东彻 ,  安承彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/73

Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。

公开(公告)号：CN117728048A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310457104.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金咏栽 ,  李明宰

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  G01R31/389 ,  G01R31/52

Abstract: 提供用于电池控制的方法、电子装置和电池组。所述方法包括：基于传感器数据，确定第一电池的第一内部短路电阻值；使用第一内部短路电阻值确定第一电池的第一内部短路状态；以及响应于确定的第一内部短路状态是除预定正常状态之外的第一状态，执行减小第一电池的电流的第一控制处理，以减轻第一电池的电流负担。

公开(公告)号：CN116298897A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211150240.0

申请日：2022-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  金振豪 ,  林柱完 ,  金咏栽 ,  成映勳 ,  宋泰元 ,  特伦斯·克里斯多夫·黄

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/385 ,  G01R31/387 ,  G01R31/52

Abstract: 包括一种用于电池短路检测的方法和设备。所述方法包括：基于由电池测量的电池数据和电池的电池模型，确定用于检测电池的短路的检测参数值和与检测参数相关的变化因子值；使用变化因子从参考数据集提取与检测参数值对应的参考值；以及基于将检测参数值与参考值进行比较的结果，确定电池的短路是否已经发生。

公开(公告)号：CN116263485A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210849174.X

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林柱完 ,  金振豪 ,  李明宰 ,  成映勳 ,  吴德镇

IPC: G01R31/382 ,  G01R31/52 ,  H01M10/48 ,  H01M10/42

Abstract: 提供一种用于检测电池中的内部短路的方法和设备。所述方法包括：获取电池的一个或多个基本参数的值；基于所述一个或多个基本参数的值，获取在指示电池的内部状态的电池模型中使用的一个或多个劣化参数的值；基于所述一个或多个劣化参数之中的第一劣化参数的第一值和第二劣化参数的第二值，确定电池中是否发生内部短路；以及响应于电池中发生内部短路，执行操作。

公开(公告)号：CN115483728A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210112356.9

申请日：2022-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林柱完 ,  郑大龙 ,  金振豪 ,  成映勋 ,  吴德鎭 ,  李明宰

IPC: H02J7/00

Abstract: 提供了一种用于生成电池的充电路径的方法和电子装置。为了生成电池的充电路径，方法包括：基于指示电池的内部状态的电池模型生成充电电流的模拟数据；基于模拟数据生成针对充电电流和预设电池电压限制的初始查找表(LUT)，初始LUT表示与充电电流对应的阶段的电池的初始充电限制条件；响应于初始LUT不满足阈值，通过调整初始LUT的初始充电限制条件中的至少一个来生成修改的LUT；响应于修改的LUT满足所述阈值，基于修改的LUT确定最终LUT；和基于最终LUT生成电池的充电路径。

公开(公告)号：CN102298970B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110043409.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英培 ,  李昌范 ,  李东洙 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  张晚 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。

公开(公告)号：CN104347520A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410366642.3

申请日：2014-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  赵成豪 ,  金镐正 ,  朴永洙 ,  D.徐 ,  柳寅敬

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/788 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/0433 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/00 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66007

Abstract: 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。