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公开(公告)号：CN104425021B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201410339949.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同的配置将第一线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。
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公开(公告)号：CN103578555B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310305782.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/22
CPC classification number: G06F12/14 , G06F12/1433 , G06F21/78 , G06F21/79 , G06F2212/202
Abstract: 提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。
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公开(公告)号：CN101645307B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN200910160233.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 本发明提供了一种用于将快闪存储器设备编程的方法、设备和系统，该方法包括：执行位线设置操作；以及与该位线设置操作同时执行通道预充电操作，该通道预充电操作包括将通道预充电电压施加到所有字线；该设备包括：电压产生器，被布置用于提供编程电压、读取电压、通过电压、以及通道预充电电压中的每一个；高电压开关，其连接到电压产生器，并且被布置用于可切换地提供所述编程电压、读取电压、通过电压、或通道预充电电压之一；以及控制逻辑，其连接到高电压开关，并且被布置用于同时执行位线设置操作和通道预充电操作，所述通道预充电操作包括控制高电压开关以便将通道预充电电压施加到所述设备的被选中的字线和未被选中的字线二者。
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公开(公告)号：CN103943149A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410024917.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/30 , G11C16/0483 , G11C16/12
Abstract: 外部电源控制方法包括：根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压；当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号；响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压；以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。
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公开(公告)号：CN103578555A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310305782.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/22
CPC classification number: G06F12/14 , G06F12/1433 , G06F21/78 , G06F21/79 , G06F2212/202
Abstract: 提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。
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公开(公告)号：CN1905068B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610107602.2
申请日：2006-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储单元阵列，该存储单元阵列具有以行和列方式排列的多个非易失性存储单元。通过对选定存储单元施加编程电压来对其编程。接下来，读取存储在选定单元中的数据位。然后，执行第一列扫描操作，以确定所选存储单元中的任一个是否未被充分编程。当确定所选存储单元中的至少一个未被充分编程时，执行第二列扫描操作以检测未被充分编程的选定存储单元的总数。当确定未被充分编程的选定存储单元的总数小于可由纠错电路纠正的数目时，编程操作用编程通过状态终止。
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公开(公告)号：CN101819813A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010167375.9
申请日：2005-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C16/06
CPC classification number: G06F12/0893 , G11C7/1039 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2207/2245
Abstract: 提供一种半导体器件中的读取方法。该方法包括：以第一存储器单元中的数据来设定位线；和将所述位线上的所述数据存储于寄存器中，其中所述寄存器中的数据在以第二存储器单元中的数据来设定所述位线的同时，被传送至数据总线。
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公开(公告)号：CN100555455C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126994.2
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
Abstract: 非易失存储器件包括：存储单元阵列，其具有以行和列排列的存储单元；和地址存储单元，被配置来在其中存储开始列地址的指示符和结束列地址的指示符，以识别从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集；编程电路，被配置来验证从开始列地址延伸到结束列地址的列的子集处的所选择行的编程操作。还提供了编程非易失存储器件的类似方法。
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公开(公告)号：CN101154458A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161796.9
申请日：2007-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/3445
Abstract: 提供对包括多个存储块的存储器设备执行多块擦除操作的方法。依照这些方法，基于待擦除的存储块的数量，控制在多块擦除操作期间施加到待擦除的存储块的第一电压上升的速度。存储器设备可以是快闪存储器设备，并且第一电压可以是施加到快闪存储器设备的衬底的擦除电压。第一电压上升的速率可以被设置，从而使快闪存储器设备的衬底在近似相同的时间达到擦除电平，而无论待擦除的存储块的数量如何。
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