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公开(公告)号:CN108353361B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201680063061.X
申请日:2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W52/02 , H04W4/80 , H04W4/02 , H04M1/72412 , H04M1/72415 , H04B7/06 , H04B7/08
Abstract: 提供了电子设备、相关的移动设备及其控制方法。该电子设备包括收发器、包括切换电路的开关单元以及控制器。收发器包括具有朝向第一方向区域的第一方向性的第一天线、具有朝向第二方向区域的第二方向性的第二天线以及具有在所有方向上的全向性的第三天线。切换电路选择性地激活或停用每个天线。当在通过第三天线的全向通信期间发生与位于第一方向区域中的移动设备有关的第一事件时,控制器控制切换电路停用第三天线并激活第二天线。
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公开(公告)号:CN111856955A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010705135.3
申请日:2014-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05B15/02 , G05B19/418
Abstract: 本公开提供了用于控制用于智能家居服务的装置的方法和设备。方法包括:从注册至智能家居服务的装置中将用于同时接收至少一个命令的装置分组到用于每个模式的组;生成用于每个模式的模式配置信息,其包括用于该模式的分组的装置和用于该模式的至少一个命令;将用于每个模式的模式配置信息传输至注册的装置;选择模式配置信息已经针对其被生成的每个模式中的一个;以及将用于激活所选模式的模式激活请求传输至注册的装置。
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公开(公告)号:CN105763597B
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201610007191.3
申请日:2016-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L29/08
Abstract: 本公开涉及用于使用从多个传感器采集的传感器数据确定代表传感器并使用所确定的代表传感器的传感器数据处理传感器数据的方法和设备。本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机器到机器(M2M)通信以及物联网(IoT)技术。本公开可应用于基于以上技术的智能服务,例如智能家、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、卫生保健、数字教育、智能零售、安全性和安全服务。
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公开(公告)号:CN110858595A
公开(公告)日:2020-03-03
申请号:CN201910772275.X
申请日:2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 本发明公开了一种三维半导体存储器件,其可以包括:第一堆叠块,包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠;第二堆叠块,包括在基板上在第一方向上布置的第二堆叠;以及分离结构,设置在基板上在第一堆叠块和第二堆叠块之间。分离结构可以包括第一模层和第二模层,其在垂直于基板的顶表面的垂直方向上堆叠。
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公开(公告)号:CN110838493A
公开(公告)日:2020-02-25
申请号:CN201910757657.5
申请日:2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种竖直存储器器件,包括:具有外围电路结构的衬底;第一栅极图案,具有从衬底竖直地堆叠的第一栅极焊盘区域;竖直沟道结构,穿透第一栅极图案;第一栅极接触结构,每个第一栅极接触结构竖直地延伸到对应第一栅极焊盘区域;模制图案,从所述衬底彼此竖直地堆叠,其中,每个所述模制图案被定位在距所述衬底的与对应栅极图案相同的高度处;外围接触结构,穿透所述模制图案以连接到所述外围电路结构;第一块分离结构,设置在所述第一栅极接触结构与所述外围接触结构之间;以及第一外围电路连接布线,跨所述第一块分离结构而延伸,以将所述第一栅极接触结构中的一个第一栅极接触结构连接到所述外围接触结构中的一个外围接触结构。
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公开(公告)号:CN110828325A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201910549829.X
申请日:2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/603
Abstract: 提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括:下卡盘,所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片;上卡盘,所述上卡盘用于固定上晶片;键合引发器,所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压,直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分,由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程;以及键合控制器,所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度,使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前,所述上晶片的弹性形变被释放。
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公开(公告)号:CN110690138A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910174288.7
申请日:2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/50
Abstract: 提供了晶圆键合设备以及使用其的晶圆键合系统,所述晶圆键合设备包括:第一键合卡盘,将第一晶圆固定在第一键合卡盘的第一表面上;第二键合卡盘,将第二晶圆固定在第二键合卡盘的面对第一表面的第二表面上;键合起始构件,位于第一键合卡盘的中心处以将第一晶圆推向第二表面;以及膜构件,包括从第二表面的中心部分朝向第一表面突出的突起以及在围绕中心部分的外部区域上限定突起的平面部分。
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公开(公告)号:CN110600481A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910241621.1
申请日:2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。所述三维半导体存储器件包括:设置在基底上并且在垂直于基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构,第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构包括彼此间隔地堆叠的栅电极;穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构并被第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域;以及穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构,其中,第一栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第一接触焊盘,第二栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第二接触焊盘,第二接触焊盘中的至少一部分第二接触焊盘在贯穿区域的一侧与第一接触焊盘交叠。
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公开(公告)号:CN104521289B
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201380041960.6
申请日:2013-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于根据用户的意图连接服务的方法和装置。所述方法包括:确定将通过无线保真(Wi‑Fi)直连连接发送的至少一个文件;通过设备发现选择用于接收所述至少一个文件的对等终端;在与所述对等终端建立Wi‑Fi直连连接之前,发送包括关于所述至少一个文件的文件属性信息的第一帧到所述对等终端;和从所述对等终端接收包括指示接受还是拒绝到所述对等终端的Wi‑Fi直连连接的信息的第二帧。
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公开(公告)号:CN104683451B
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201510065513.5
申请日:2010-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了在网络系统中的远程控制的方法和设备,其中,使用控制用户接口CUI从远程地控制所述应用运行设备的远程设备收集与所述远程设备的性能有关的信息,向应用服务器发送请求将用于远程地控制当前运行的应用的CUI的CUI请求和与所述远程设备的性能有关的信息,响应于所述CUI请求从所述应用服务器接收与所述远程设备的性能相匹配的CUI,以及向所述远程设备发送所接收的CUI。
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