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公开(公告)号：CN107073146B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580056212.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种能够使用紫外辐射对物体的表面检测和/或灭菌的系统。所述系统可以包括包含用于诱导污染物中的荧光和/或对物体的表面进行灭菌的紫外源的杀菌室和/或手持式紫外单元。所述物体可以包括防护服，所述防护服由使用者穿戴并且还可以包括用于在空气进入防护服之前对空气杀菌的紫外源。所述系统可以实施为多层次系统，其用于保护使用者和其它物体免受暴露于污染物，并且在暴露到包括污染物的环境之后对防护服进行灭菌。
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公开(公告)号：CN111035859A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911314813.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A61N5/06
Abstract: 公开了一种紫外处理装置，所述紫外处理装置包括：柔性基底，包括位于第一侧上的紫外吸收层和与第一侧相对定位的第二侧；以及紫外辐射系统，结合到柔性基底，其中，紫外辐射系统包括：被构造为穿过第二侧发射紫外辐射的至少一个紫外辐射源、被配置为控制所述至少一个紫外辐射源的操作的控制系统、以及被配置为检测与第二侧邻近定位的表面上的病原体活性的至少一个感测单元，其中，控制系统基于病原体活性控制所述至少一个紫外辐射源的操作。
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公开(公告)号：CN105518380B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480048772.0
申请日：2014-09-05
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02B5/00
Abstract: 提供了用于生成紫外线漫射辐射的解决方案。漫射紫外线辐射照射器包括位于包括多个表面的反射腔内的至少一个紫外线辐射源。所述多个表面当中至少一个可被配置为漫反射至少70％的紫外线辐射，并且所述多个表面中当中至少一个可被配置为透射至少30％的紫外线辐射并反射至少10％的紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN105163605B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380056459.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , F25D17/042 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。存储区域被扫描和监视所指定区中生物活性的存在。一旦识别出生物活性，紫外辐射就被指向，以杀菌和消毒存储区域中指定的区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107073146A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056212.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A41D13/002 , A61L2/24 , A61L9/00 , A61L9/20 , A61L2202/14 , A61L2209/111 , A61L2209/14 , G01J1/429 , G01N21/6456 , G01N21/6486 , G01N2201/0221 , G09B5/06 , G09B19/24
Abstract: 提供了一种能够使用紫外辐射对物体的表面检测和/或灭菌的系统。所述系统可以包括包含用于诱导污染物中的荧光和/或对物体的表面进行灭菌的紫外源的杀菌室和/或手持式紫外单元。所述物体可以包括防护服，所述防护服由使用者穿戴并且还可以包括用于在空气进入防护服之前对空气杀菌的紫外源。所述系统可以实施为多层次系统，其用于保护使用者和其它物体免受暴露于污染物，并且在暴露到包括污染物的环境之后对防护服进行灭菌。
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公开(公告)号：CN105659383A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057571.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L29/151 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 提供了一种用于电子或光电器件中的异质结构。异质结构包括一个或多个复合半导体层。该复合半导体层可以包括形貌变化的子层，其中至少一个子层可以由一组柱状结构(例如，纳米线)形成。复合半导体层中的另一个子层可以是多孔的、连续的或部分连续的。
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公开(公告)号：CN105518878A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN104838509A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380055363.9
申请日：2013-10-22
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/52 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L27/15 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/16245 , H01L2224/81191 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/81
Abstract: 提供了一种用于封装诸如发光二极管的双端子装置的解决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及在至少一个双端子装置每个周围切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极以及至第二接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN103597618A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280013116.8
申请日：2012-02-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/04 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种用于减少发射装置的有源区中的位错的数目的解决方案。位错弯曲结构可包括于该发射装置中介于衬底与有源区之间。该位错弯曲结构可被配置以例如归因于足够量的应变的存在而在位错到达该有源区之前使位错弯曲和/或消灭。该位错弯曲结构可包括多个层，而相邻层由一材料构成，但相应材料中的元素的摩尔分数在两层之间存在差异。该位错弯曲结构可包括至少40对相邻层，在相邻层之间元素的摩尔分数相差至少百分之五。
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