太赫兹检查装置
    53.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102272578B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN200980153214.X

    申请日:2009-12-16

    Abstract: 在检查装置或方法中,可同时获取被检体的厚度和特性的值或者它们的分布。检查装置包括:部分9,用于用放射线照射被检体2;部分10,用于检测来自被检体的放射线;获取部分26;存储部分21和计算部分20。获取部分获取与放射线的检测时间相关联的传送时间以及放射线的振幅。存储部分事先存储传送时间和振幅与被检体的特性的代表性值之间的关系数据。计算部分基于传送时间、振幅和关系数据,获得被检体的厚度和特性的值。

    高频电信号控制器和感测系统

    公开(公告)号:CN1809760B

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN200480017681.7

    申请日:2004-03-26

    Inventor: 尾内敏彦

    Abstract: 一种高频电信号控制器包括一个产生高频电信号的发射器、一个接收器、一个传播电信号的传输线和一个向空间辐射通过传输线传播的电信号或从空间接收信号的构件。所述构件提供的在空间与传输线之间的电信号的耦合度可以是可变地受控的。

    具有负电阻元件的振荡器
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102484450A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039684.6

    申请日:2010-08-13

    CPC classification number: H03B9/12

    Abstract: 振荡器具有负电阻元件和谐振器,以及相对于电源偏压电路与负电阻元件并联电连接的电容器,电容器的电容被选择为使得抑制由于电源偏压电路导致的任何寄生振荡并允许由于负电阻元件和谐振器导致的谐振频率上的振荡。

    光学半导体器件
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101794835B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201010135255.0

    申请日:2005-07-28

    CPC classification number: H01L31/08 G01N21/3581 H01S1/02

    Abstract: 本发明提供了一种光学半导体器件,其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10),其中,当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时,所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面,其间夹着所述半导体薄膜。

    太赫兹检查装置
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102272578A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200980153214.X

    申请日:2009-12-16

    Abstract: 在检查装置或方法中,可同时获取被检体的厚度和特性的值或者它们的分布。检查装置包括:部分9,用于用放射线照射被检体2;部分10,用于检测来自被检体的放射线;获取部分26;存储部分21和计算部分20。获取部分获取与放射线的检测时间相关联的传送时间以及放射线的振幅。存储部分事先存储传送时间和振幅与被检体的特性的代表性值之间的关系数据。计算部分基于传送时间、振幅和关系数据,获得被检体的厚度和特性的值。

    光学元件以及包含它的光学器件和太赫兹时域分光装置

    公开(公告)号:CN102194914A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110049029.5

    申请日:2011-03-02

    Inventor: 尾内敏彦

    CPC classification number: H01L27/1443 G01J3/42 H01L31/108

    Abstract: 本发明涉及光学元件以及包含它的光学器件和太赫兹时域分光装置。该光学元件包含:具有比光的光子能量大的能量带隙的半导体层;和与半导体层电气接触的多个电极。所述电极中的至少一个形成在该电极和半导体层之间的肖特基结;该肖特基结具有比光的光子能量小的势垒高度。形成肖特基结的电极和半导体层之间的结表面的至少一部分包含:被布置为从半导体层的没有电极的表面用光照射的光照射表面;和被布置为与用光的照射而产生或检测的太赫兹波耦合的耦合结构的一部分。

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