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公开(公告)号：CN101395506A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007842.8
申请日：2007-03-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , C09J133/04 , C09J133/26
CPC classification number: C09J133/04 , C08G18/04 , C08L33/064 , C08L33/066 , C08L33/08 , C08L33/26 , C09D133/26 , C09J7/385 , C09J133/064 , C09J133/066 , C09J133/08 , C09J133/26 , C09J2203/318 , C09J2433/00 , G02B5/3033 , G02B5/3083 , Y10T428/2887 , Y10T428/2891 , Y10T428/2896
Abstract: 本发明提供一种在带粘合剂的光学薄膜等中使用的由丙烯酸系共聚物构成的光学用粘合剂，其是难以在显示画面的周边部分产生显示不均的光学用粘合剂，其特征在于，含有将(甲基)丙烯酸烷基酯(a1)及N－(2－羟乙基)(甲基)丙烯酰胺(a2)作为单体单元含有的丙烯酸系共聚物。
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公开(公告)号：CN100472230C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580034533.0
申请日：2005-10-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/10 , G02B1/16 , G02B5/3033 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的是提供防静电效果、光学特性和耐水性优异，且防静电层与粘合剂层的粘附性优异的防静电性粘合型光学膜。本发明的防静电性粘合型光学膜的特征在于，在光学膜的至少一面层叠有防静电层，进而在该防静电层上层叠有粘合剂层，所述防静电层含有导电性聚合物和磺酸类化合物作为原料成分，且所述粘合剂层是由含氮丙烯酸类粘合剂形成的。
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公开(公告)号：CN101040198A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034535.X
申请日：2005-10-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/16 , B32B27/00 , G02B1/105 , G02B1/12 , G02B27/0006 , G02F2202/22 , G02F2202/28 , H01L51/0036 , H01L51/5281 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/28 , Y10T428/31504 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明的目的是提供在光学膜的至少一面层叠有防静电层的防静电性光学膜，其防静电效果优异、且光透射率高。另外，其目的是提供在上述效果的基础上，难以发生粘合剂欠缺、再加工性良好的防静电性粘合型光学膜。本发明的防静电性光学膜，其在光学膜的至少一面层叠有防静电层，其特征在于，对层叠有上述防静电层侧的光学膜的表面实施摩擦处理，且上述防静电层中的导电性聚合物是定向的。
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公开(公告)号：CN101040196A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034533.0
申请日：2005-10-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/10 , G02B1/16 , G02B5/3033 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的是提供防静电效果、光学特性和耐水性优异，且防静电层与粘合剂层的粘附性优异的防静电性粘合型光学膜。本发明的防静电性粘合型光学膜的特征在于，在光学膜的至少一面层叠有防静电层，进而在该防静电层上层叠有粘合剂层，所述防静电层含有导电性聚合物和磺酸类化合物作为原料成分，且所述粘合剂层是由含氮丙烯酸类粘合剂形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108727999B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810339937.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J133/08 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
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公开(公告)号：CN108728000B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810345577.4
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J133/20 , C09J175/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08G18/62 , C08F220/18 , C08F220/20
Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
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公开(公告)号：CN108735650A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810343654.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
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公开(公告)号：CN108735649A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810342266.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、不易产生卷痕、并且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及芯片接合薄膜(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。芯片接合薄膜(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)可剥离地密合。芯片接合薄膜(20)的外周端(20e)在薄膜面内方向(D)位于距粘合剂层(12)的外周端(12e)500μm以内的距离处。
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公开(公告)号：CN108728000A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345577.4
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J133/20 , C09J175/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08G18/62 , C08F220/18 , C08F220/20
Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
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