带防污层的光学薄膜
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115835957A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202180049236.2

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度为1.05GPa以上。

    透明导电性薄膜
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114628060A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011457888.3

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜,透明导电性薄膜(1)依次具备玻璃基材(2)和透明导电层(3)。玻璃基材(2)的厚度为150μm以下。透明导电层(3)为结晶性。透明导电层(3)的残余应力不足‑100MPa或超过100MPa。

    透光性导电薄膜和调光薄膜

    公开(公告)号:CN111391427B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202010214957.1

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明提供一种透光性导电薄膜和调光薄膜。本发明的透光性导电薄膜,其具备透光性基材和非晶质透光性导电层,在将非晶质透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将对非晶质透光性导电层进行加热处理后的被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、将移动距离L设为{(Xc‑Xa)2+(Yc‑Ya)2}1/2时,满足下述(1)~(3)的条件,(1)Xa≤Xc、(2)Ya≥Yc、(3)前述移动距离L为1.0以上且45.0以下。

    触摸传感器
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109196452B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201780033500.7

    申请日:2017-05-30

    Abstract: 本发明提供一种与以往相比实现了全光线透过率和雾度的改善、由构件减少带来的薄型化以及低成本化的触摸传感器。触摸传感器(10)具有压电传感器(11)和静电电容传感器(12)。压电传感器(11)具有由第1基材膜(14)和具有压电性的涂层(15)构成的第1层叠体即压电膜(16)、形成于压电膜(16)的一面的第1透明电极(17)以及形成于压电膜(16)的另一面的第2透明电极(18)。静电电容传感器(12)具有在第2基材膜(19)的一面形成了第3透明电极(20)而成的第2层叠体(21)、在第3基材膜(22)的一面形成了第4透明电极(23)而成的第3层叠体(24)以及将第2层叠体(21)和第3层叠体(24)粘接的透明填充层(25)。

    防反射薄膜及图像显示装置
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113391380A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110261906.9

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明涉及防反射薄膜及图像显示装置。防反射薄膜(100)在薄膜基材(1)上具备包含多个薄膜的防反射层(5)。防反射层是包含低折射率层及高折射率层各自至少1层作为薄膜的多层薄膜。对于防反射薄膜,从防反射层侧照射的D65光源的正反射光优选满足:(A)2°入射光的正反射光的视感反射率Y2与θ°入射光的正反射光的视感反射率Yθ在5~50°的范围的任意角度θ中满足Yθ/Y2≤6.0;及(B)2°入射光的正反射光的色度指数a*2及b*2与θ°入射光的正反射光的色度指数a*θ及b*θ在5~50°的范围的任意角度θ中满足{(a*2‑a*θ)2+(b*2‑b*θ)2}1/2≤6.0。

    透明导电膜的制造方法
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109930109B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201910038774.6

    申请日:2012-11-28

    Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有:在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材,通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法,使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序;以及,在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后,对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理,由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化,形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。

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