公开(公告)号：CN115835957A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180049236.2

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚 ,  角田丰

IPC: B32B7/022

Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度为1.05GPa以上。

公开(公告)号：CN114628060A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011457888.3

申请日：2020-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西森才将 ,  梨木智刚

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜，透明导电性薄膜(1)依次具备玻璃基材(2)和透明导电层(3)。玻璃基材(2)的厚度为150μm以下。透明导电层(3)为结晶性。透明导电层(3)的残余应力不足‑100MPa或超过100MPa。

公开(公告)号：CN111391427B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202010214957.1

申请日：2016-11-08

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚

IPC: B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/027 ,  G02F1/1343 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供一种透光性导电薄膜和调光薄膜。本发明的透光性导电薄膜，其具备透光性基材和非晶质透光性导电层，在将非晶质透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将对非晶质透光性导电层进行加热处理后的被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、将移动距离L设为{(Xc‑Xa)2+(Yc‑Ya)2}1/2时，满足下述(1)～(3)的条件，(1)Xa≤Xc、(2)Ya≥Yc、(3)前述移动距离L为1.0以上且45.0以下。

公开(公告)号：CN109196452B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201780033500.7

申请日：2017-05-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 矢野孝伸 ,  拝师基希 ,  别府浩史 ,  木曽宪俊 ,  梨木智刚

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本发明提供一种与以往相比实现了全光线透过率和雾度的改善、由构件减少带来的薄型化以及低成本化的触摸传感器。触摸传感器(10)具有压电传感器(11)和静电电容传感器(12)。压电传感器(11)具有由第1基材膜(14)和具有压电性的涂层(15)构成的第1层叠体即压电膜(16)、形成于压电膜(16)的一面的第1透明电极(17)以及形成于压电膜(16)的另一面的第2透明电极(18)。静电电容传感器(12)具有在第2基材膜(19)的一面形成了第3透明电极(20)而成的第2层叠体(21)、在第3基材膜(22)的一面形成了第4透明电极(23)而成的第3层叠体(24)以及将第2层叠体(21)和第3层叠体(24)粘接的透明填充层(25)。

公开(公告)号：CN114171242A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111300892.3

申请日：2016-10-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 提供透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。透光性导电薄膜依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层。前述无机层的厚度为20nm以下。前述无机层的水接触角为50度以下。

公开(公告)号：CN113391380A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110261906.9

申请日：2021-03-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  高见佳史 ,  梨木智刚

IPC: G02B1/11 ,  G02B1/115 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明涉及防反射薄膜及图像显示装置。防反射薄膜(100)在薄膜基材(1)上具备包含多个薄膜的防反射层(5)。防反射层是包含低折射率层及高折射率层各自至少1层作为薄膜的多层薄膜。对于防反射薄膜，从防反射层侧照射的D65光源的正反射光优选满足：(A)2°入射光的正反射光的视感反射率Y2与θ°入射光的正反射光的视感反射率Yθ在5～50°的范围的任意角度θ中满足Yθ/Y2≤6.0；及(B)2°入射光的正反射光的色度指数a*2及b*2与θ°入射光的正反射光的色度指数a*θ及b*θ在5～50°的范围的任意角度θ中满足{(a*2‑a*θ)2+(b*2‑b*θ)2}1/2≤6.0。

公开(公告)号：CN109930109B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201910038774.6

申请日：2012-11-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 拝师基希 ,  山本佑辅 ,  梨木智刚 ,  佐佐和明

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。

公开(公告)号：CN112299091A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010744394.7

申请日：2020-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西森才将 ,  村上尚史 ,  小笹顺平 ,  梨木智刚

IPC: B65H20/02 ,  B65H27/00 ,  B65H23/00 ,  B65H37/04 ,  B32B37/10

Abstract: 本发明提供玻璃基材的输送装置、层叠玻璃的制造装置以及制造方法。玻璃基材(1)的输送装置(11)具有：送出辊(21)，该送出辊(21)构成为，送出具有挠性的玻璃基材(1)；卷取辊(41)，该卷取辊(41)构成为，卷取玻璃基材(1)；以及第1引导辊(26)、第2引导辊(28)、第3引导辊(31)、第4引导辊(38)，它们配置于玻璃基材(1)的输送方向上的送出辊(21)与卷取辊(41)之间。第1引导辊(26)、第2引导辊(28)、第3引导辊(31)、第4引导辊(38)的表面具有1.0μm以上的最大高度粗糙度Rz。

公开(公告)号：CN109074906B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201780021579.1

申请日：2017-03-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  G02B5/26 ,  G06F3/041

Abstract: 透光性薄膜依次具备透明基材和透光性导电层，透光性导电层自透明基材侧起依次具备第1无机氧化物层、金属层、和第2无机氧化物层，第1无机氧化物层不含有晶粒，第2无机氧化物层含有晶粒。

公开(公告)号：CN111602211A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201880084006.8

申请日：2018-11-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  米泽秀行

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B27/36 ,  B32B7/023 ,  E06B9/24

Abstract: 透光性导电薄膜沿第1方向、和与第1方向正交的第2方向延伸，其具备基材薄膜和透光性导电层。在对透光性导电薄膜实施从20℃升温至160℃之后降温至20℃的热机械分析工序时，下述式所示的面内尺寸变化率R为0.55％以下。式中，ΔL1表示前述第1方向的前述分析工序前后的尺寸变化率(％)，ΔL2表示前述第2方向的前述分析工序前后的尺寸变化率(％)。R＝(ΔL12+ΔL22)1/2。