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公开(公告)号：CN111647364A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010139705.7
申请日：2020-03-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L21/683
Abstract: 提供切割芯片接合薄膜，其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在-15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。芯片接合薄膜(20)以可剥离的方式密合于切割带(10)所具有的粘合剂层(12)。
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公开(公告)号：CN109309039A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810843733.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
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公开(公告)号：CN108735650A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810343654.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、-15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735649A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810342266.2
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、不易产生卷痕、并且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及芯片接合薄膜(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。芯片接合薄膜(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)可剥离地密合。芯片接合薄膜(20)的外周端(20e)在薄膜面内方向(D)位于距粘合剂层(12)的外周端(12e)500μm以内的距离处。
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公开(公告)号：CN108728000A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345577.4
申请日：2018-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J133/20 , C09J175/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08G18/62 , C08F220/18 , C08F220/20
Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
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公开(公告)号：CN108727999A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810339937.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J133/08 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
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公开(公告)号：CN107434955A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710392803.X
申请日：2017-05-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F8/30 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/78
CPC classification number: C08F8/30 , C08F220/18 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J2201/122 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/114 , C09J2423/046 , C09J2467/005 , H01L21/78 , H01L24/94 , C08F2220/281 , C08L61/06 , C08K3/36
Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
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公开(公告)号：CN105264652A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031893.4
申请日：2014-05-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/60 , C08K3/00 , C08L79/08 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/10 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , C09J2479/08 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/27 , H01L2224/11 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的片状树脂组合物是在粘附物与倒装连接在粘附物上的半导体元件的界面密封中所用的片状树脂组合物，以10℃/min的升温速度从25℃升温到300℃时的重量减少率为2％以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1％以下，相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含有酸解离常数处于3.0以上且5.0以下的范围内的有机酸。
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