公开(公告)号：CN105118890B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510484602.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104508831B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380038129.5

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。

公开(公告)号：CN106024918A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610532491.3

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN105830200A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069124.3

申请日：2014-12-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。

公开(公告)号：CN105161404A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510655317.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 含有从氮化硼和碳化硼中选择的至少1种的硼化合物和分散介质而构成p型扩散层形成用组合物。通过将该p型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN104508831A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380038129.5

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。

公开(公告)号：CN104471720A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038209.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: C07F9/005 ,  C07F5/069 ,  C07F7/003 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物的钝化层形成用组合物。式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

公开(公告)号：CN104471719A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038176.X

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08G77/58 ,  C08K5/05 ,  C08L83/02 ,  C09D183/02 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R1表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR1)m (I)。

公开(公告)号：CN104272503A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024275.2

申请日：2013-05-09

Applicant: 日立化成株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 织田明博 ,  河添宏 ,  吉田诚人 ,  北冈卓也

IPC: H01M2/16 ,  H01G9/02 ,  H01G11/52

CPC classification number: H01M2/1633 ,  H01G9/02 ,  H01G11/52 ,  H01G11/84 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1613 ,  H01M2/162 ,  H01M2/1626 ,  H01M2/1653 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供具有高耐热性、且柔软性优异的新型的隔膜及该隔膜的制造方法。本发明涉及一种电化学元件用隔膜，其包含包括无机纤维及有机物的多孔质基体，无机纤维的一部分或全部被有机物覆盖，无机纤维通过有机物而粘接。

公开(公告)号：CN104137227A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。